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        rf-cmos 文章 最新資訊

        亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

        • 1 引言ESD(Electric Static Discharge)保護(hù)結(jié)構(gòu)的有效設(shè)計(jì)是CMOS集成電路可靠性設(shè)計(jì)的重要任務(wù)之一,其ESD結(jié)構(gòu)與工藝技術(shù)、特征尺寸密切相關(guān),隨著IC工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展,特征尺寸越來(lái)越小,管子的柵氧層厚度越來(lái)越
        • 關(guān)鍵字: VDD-VSSESD  CMOS  亞微米  電路    

        用于低噪聲CMOS圖像傳感器的流水線ADC設(shè)計(jì)及其成像驗(yàn)證

        • 摘要:在對(duì)低噪聲CMOS圖像傳感器的研究中,除需關(guān)注其噪聲外,目前數(shù)字化也是它的一個(gè)重要的研究和設(shè)計(jì)方向,設(shè)計(jì)了一種可用于低噪聲CMOS圖像傳感器的12 bit,10 Msps的流水線型ADC,并基于0.5mu;m標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝進(jìn)行
        • 關(guān)鍵字: ADC  設(shè)計(jì)  及其  驗(yàn)證  流水線  傳感器  噪聲  CMOS  圖像  用于  

        RF WCDMA 基準(zhǔn)比較測(cè)試白皮書

        • 概覽通過(guò)與傳統(tǒng)的儀器進(jìn)行比較,了解軟件定義的PXI RF儀器在速度上的優(yōu)勢(shì)。如WCDMA測(cè)量結(jié)果所示,基于多核處理器并行執(zhí)行的LabVIEW測(cè)量算法與傳統(tǒng)儀器相比可以實(shí)現(xiàn)明顯的速度提升。 介紹你在早晨7:00伴著搖滾音樂的聲
        • 關(guān)鍵字: WCDMA  RF  基準(zhǔn)  比較    

        數(shù)碼相機(jī)的CMOS傳感器知識(shí)介紹

        • 標(biāo)簽:數(shù)碼相機(jī) CMOS數(shù)碼相機(jī)的另一個(gè)靈魂CMOS傳感器隨著2005年Canon(佳能)公司發(fā)布其型號(hào)為EOS D30的專業(yè)級(jí)數(shù)碼相機(jī)后,人們對(duì)CMOS影像傳感器的注意力猛然巨增。這是因?yàn)椋珻MOS影像傳感器過(guò)去有著信噪比小、分辨率
        • 關(guān)鍵字: 介紹  知識(shí)  傳感器  CMOS  數(shù)碼相機(jī)  

        CCD和CMOS圖像傳感器性能的幾大技術(shù)指標(biāo)

        • CCD和CMOS是圖像傳感器的兩個(gè)主要類別,都有各自的應(yīng)用領(lǐng)域。但近年來(lái),CMOS傳感器逐步吞噬了CCD的市場(chǎng)。為什么CMOS傳感器如此受歡迎呢?評(píng)價(jià)一款圖像傳感器性能的技術(shù)指標(biāo)有哪些?下面來(lái)為大家詳細(xì)說(shuō)明。CCD和CMOS圖
        • 關(guān)鍵字: 性能  技術(shù)指標(biāo)  傳感器  圖像  CMOS  CCD  

        淺析CMOS與CCD在內(nèi)部結(jié)構(gòu)與原理的差異

        • 標(biāo)簽:CMOS CCD無(wú)論任何產(chǎn)品,品質(zhì)的好壞主要取決于性能的優(yōu)劣,而性能優(yōu)劣的關(guān)鍵跟產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和工作原理又有著較大的關(guān)系,CCD和CMOS也既如此。基本組成CCD是在MOS晶體管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的,其基本結(jié)構(gòu)是MOS(金屬m
        • 關(guān)鍵字: 原理  差異  結(jié)構(gòu)  內(nèi)部  CMOS  CCD  淺析  

        基于1.0μm CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路設(shè)計(jì)

        • 本文以比較器為基本電路,采用恒流源充放電技術(shù),設(shè)計(jì)了一種基于1.0mu;m CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路,并對(duì)其各單元組成電路的設(shè)計(jì)進(jìn)行了闡述。同時(shí)利用Cadence Hspice仿真工具對(duì)電路進(jìn)行了仿真模擬,結(jié)果表明,鋸齒波
        • 關(guān)鍵字: CMOS  1.0  工藝  鋸齒波    

        采用靜態(tài)CMOS和單相能量回收電路的乘法器電路設(shè)計(jì)

        • O 引言  電路中的功率消耗源主要有以下幾種:由邏輯轉(zhuǎn)換引起的邏輯門對(duì)負(fù)載電容充、放電引起的功率消耗;由邏輯門中瞬時(shí)短路電流引起的功率消耗;由器件的漏電流引起的消耗,并且每引進(jìn)一次新的制造技術(shù)會(huì)導(dǎo)致漏電流
        • 關(guān)鍵字: CMOS  單相  乘法器  能量回收  

        CMOS數(shù)字隔離器在智能電表中的應(yīng)用

        • 未來(lái)幾年由于消費(fèi)者對(duì)傳統(tǒng)機(jī)電式電表的更新?lián)Q代,智能電表市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以每年兩位數(shù)的速度增長(zhǎng)。智能電表使用最新的集成電路(IC)技術(shù)進(jìn)行精確測(cè)量并報(bào)告消耗的電量,智能電表比機(jī)電式電表復(fù)雜,但更加注重測(cè)量數(shù)據(jù)的完
        • 關(guān)鍵字: CMOS  數(shù)字隔離器  智能電表  中的應(yīng)用    

        基于CMOS電路的IDDQ測(cè)試電路設(shè)計(jì)

        • 引言  測(cè)試CMOS電路的方法有很多種,測(cè)試邏輯故障的一般方法是采用邏輯響應(yīng)測(cè)試,即通常所說(shuō)的功能測(cè)試。功能測(cè)試可診斷出邏輯錯(cuò)誤,但不能檢查出晶體管常開故障、晶體管常閉故障、晶體管柵氧化層短路,互連橋短路
        • 關(guān)鍵字: CMOS  IDDQ  電路  測(cè)試    

        RF電路板分區(qū)設(shè)計(jì)中PCB布局布線技巧介紹

        • 今天的蜂窩電話設(shè)計(jì)以各種方式將所有的東西集成在一起,這對(duì)RF電路板設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)很不利。現(xiàn)在業(yè)界競(jìng)爭(zhēng)非常激烈,人人都在找辦法用最小的尺寸和最小的成本集成最多的功能。模擬、數(shù)字和RF電路都緊密地?cái)D在一起,用來(lái)隔開
        • 關(guān)鍵字: 布線  技巧  介紹  布局  PCB  電路板  分區(qū)  設(shè)計(jì)  RF  

        小型CMOS電壓調(diào)整器IC- XC6420

        • XC6420系列是實(shí)現(xiàn)了高精度,高紋波抑制,低壓差,搭載了2溝道150mA高速LDO的小型CMOS電壓調(diào)整器IC。把2個(gè)...
        • 關(guān)鍵字: CMOS  電壓  調(diào)整器IC  

        基于CMOS工藝的高阻抗并行A/D芯片TLC5510

        • 1 概述TLC5510是美國(guó)TI公司生產(chǎn)的新型模數(shù)轉(zhuǎn)換器件(ADC),它是一種采用CMOS工藝制造的8位高阻抗并行A/D芯片,能提供的最小采樣率為20MSPS。由于TLC5510采用了半閃速結(jié)構(gòu)及CMOS工藝,因而大大減少了器件中比較器的數(shù)
        • 關(guān)鍵字: CMOS  5510  TLC  工藝    

        2G至3.5G蜂窩移動(dòng)設(shè)備的高效RF功率管理

        • 標(biāo)簽:蜂窩移動(dòng) RF功率管理大家是否注意到人們對(duì)移動(dòng)設(shè)備,尤其是對(duì)智能手機(jī)的著迷程度到了何種地步?人們?cè)谟弥悄苁謾C(jī)進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)沖浪、查收和編寫電子郵件、玩網(wǎng)絡(luò)游戲或者更新社交網(wǎng)絡(luò)等活動(dòng)。所有這些活動(dòng),外加撥打
        • 關(guān)鍵字: RF  功率  管理  高效  設(shè)備  3.5G  蜂窩  移動(dòng)  2G  

        CMOS與CCD圖像傳感器特性對(duì)比分析

        • CCD(Charge Coupled Device)圖像傳感器(以下簡(jiǎn)稱CCD)和CMOS圖像傳感器(CMOS Image Sensor以下簡(jiǎn)稱CIS)的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后,以電荷的方
        • 關(guān)鍵字: 對(duì)比  分析  特性  傳感器  CCD  圖像  CMOS  
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        rf-cmos介紹

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