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CMOS模擬開關(guān)的選擇與典型應(yīng)用
- 一、前言：早期的模擬開關(guān)大多工作于plusmn;20V 的電源電壓，導(dǎo)通電阻為幾百歐姆，主要用于模擬信號與數(shù)字控制的接口，近幾年，集成模擬開關(guān)的性能有了很大的提高，它們可工作在非常低的電源電壓，具有較低的導(dǎo)通電
- 關(guān)鍵字： CMOS 模擬開關(guān) 典型
基于單片機CMOS汽車電子調(diào)節(jié)器
- 基于單片機CMOS汽車電子調(diào)節(jié)器引言汽車電子化程度現(xiàn)已成為國際衡量汽車先進水平的重要標準，也正是由于這個原因推動和刺激當前汽車電子這一行業(yè)不斷向前發(fā)展，各國都競相發(fā)展，不斷應(yīng)用高新技術(shù)，提高汽車電氣化性能
- 關(guān)鍵字： CMOS 單片機 汽車電子 調(diào)節(jié)器
亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護結(jié)構(gòu)設(shè)計（二）
- 3 仿真分析及具體設(shè)計結(jié)果3.1 仿真分析在亞微米的ESD結(jié)構(gòu)的設(shè)計中，一種常見的具體的ESD瞬態(tài)檢測電壓如圖2 VDD-VSS間的電壓鉗位結(jié)構(gòu)。其原理如下：主要利用結(jié)構(gòu)中的RC延遲作用，一般T=RC被設(shè)計為100ns-1000ns之間，而
- 關(guān)鍵字： VDD-VSSESD CMOS 亞微米 電路
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