- CMOS傳感器的感光度一般在6到15Lux的范圍內，CMOS傳感器有固定比CCD傳感器高10倍的噪音，固定的圖案噪音始終停留在屏幕上好像那就是一個圖案，因為CMOS傳感器在10Lux以下基本沒用，因此大量應用的所有攝像機都是用了
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CMOS 攝像機 什么
- CMOS傳感器CMOS傳感器是一種通常比CCD傳感器低10倍感光度的傳感器。光度一般在6到15Lux的范圍內，CMOS傳感器有固定比CCD傳感器高10倍的噪音，固定的圖案噪音始終停留在屏幕上好像那就是一個圖案，因為CMOS傳感器在10
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/SDDS 傳感器 CMOS 什么
- 自從傳送出第一筆無線電波之后，工程師就持續發明新方法，以優化電磁微波訊號。RF 訊號已廣泛用于多種應用，其中又以無線通信與 RADAR 的 2 項特殊應用正利用此常見技術。就本質而言，此 2 項應用的獨到之處，即是利用電磁波的空間維度 (Spatial dimension)。直到今天，許多無線通信系統整合了多重輸入/輸出 (MIMO) 天線架構，以利用多重路徑的訊號傳播 (Propagation) 功能。
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NI RF MIMO
- 每年生產10多億部手機的手機市場已成為半導體產業中競爭最激烈的領域。一直有這種說法：諸如砷化鎵（GaAs）、橫向 ...
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CMOS 功率放大器 單芯片手機
- IA4420/21是射頻收發一體芯片，IA4420工作在315/433/868/915MHz頻段，IA4421工作在 433/868/915MHz頻段。芯片的工作電壓為2.2～5.4V，采用低功耗模式，待機電流為0.3mu;A，采用FSK調制模式，發射功率為 5～8dbm，接
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無線 數據傳輸 應用 及其 簡介 芯片 IA4420 RF
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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基準比較測試 RF WCDMA PXI RF儀器
- 設定相位同調 RF 量測系統：從 MIMO 到波束賦形概觀自從傳送出第一筆無線電波之后，工程師就持續發明新方法，以優化電磁微波訊號。RF 訊號已廣泛用于多種應用，其中又以無線通信與 RADAR 的 2 項特殊應用正利用此常見
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MIMO RF 設定 量測系統
- AMD公司高級副總裁兼首席技術官Mark Papermaster表示，AMD在2013年芯片生產工藝將有重大變化，將完全從現有的SOI制造工藝切換到28nm Bulk CMOS工藝。至于GPU制造，AMD并不打算作出任何改變。目前南方群島系列GPU，已經采用臺積電28nm工藝，而AMD秋季即將推出的海島系列GPU將繼續采用相同工藝，海島系列GPU已經進入樣品試生產階段，在2012年年底開始生批量生產，在2013年第一季度正式發布。
在評論異構系統架構(HSA)聯盟，是否用來應對英特爾和NVIDI
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ARM CMOS
- 摘要：由于CMOS器件靜電損傷90％是延遲失效，對整機應用的可靠性影響太大，因而有必要對CMOS器件進行抗靜電措施。本文描述了CMOS器件受靜電損傷的機理，從而對設計人員提出了幾種在線路設計中如何抗靜電，以保護CMOS
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研究 措施 抗靜電 器件 CMOS
- 現代RF放大器既需要線性也需要高效率。線性要求是源于現代調制方法的使用，如QAM(正交幅度調制)和OFDM(正交頻分多址調制，參考文獻1)。這些放大器還需要效率，以降低功耗和減少散熱。開發人員通常將現代RF放大器組件
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信號 修正 失真 RF
- 對于超薄介質，由于存在大的漏電和非線性，通過標準I-V和C-V測試不能直接提取氧化層電容(Cox)。然而，使用高頻電路模型則能夠精確提取這些參數。隨著業界邁向65nm及以下的節點，對于高性能/低成本數字電路，RF電路
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測試 分析 RF 射頻 芯片 IC
- 摘要：為了提高數字集成電路芯片的驅動能力，采用優化比例因子的等比緩沖器鏈方法，通過Hspice軟件仿真和版圖設計測試，提出了一種基于CSMC 2P2M 0．6mu;m CMOS工藝的輸出緩沖電路設計方案。本文完成了系統的電原理
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輸出 緩沖 電路設計 芯片 數字 工藝 多功能 CMOS
- 摘要：設計了一種基于流水線模／數轉換系統應用的低壓高速CMOS全差分運算放大器。該運放采用了折疊式共源共柵放大結構與一種新型連續時間共模反饋電路相結合以達到高速度及較好的穩定性。設計基于SMIC 0．25mu;m CM
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CMOS 全差分 放大器設計 運算
- 聯華電子與新加坡科技研究局旗下的微電子研究院今天宣布，將合作進行應用在背面照度式CMOS影像感測器的TSV技術開發，透過這項技術，包括智慧手機、數位相機與個人平板電腦等行動電子產品，里面所采用的數百萬像素影像感測器，都可大幅提升產品效能、降低成本、體積減少。
聯電指出，市場上對于持續縮小像素，又能兼顧效能的需求，日益增強，帶動CMOS影像感測技術興起，而背面照度式技術則普遍被視為能夠讓微縮到微米級大小的像素，仍保有優異效能的解決方案。
聯電指出，這次專案目標，希望提影像感測器靈敏度，支援更
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聯華 CMOS 微電子
- 在可預見的未來，CMOS技術仍將持續微縮腳步，然而，當我們邁入10nm節點后，控制制程復雜性和變異，將成為能否驅動技術向前發展的關鍵，IMEC資深制程技術副總裁An Steegen在稍早前于比利時舉行的IMEC Technology Forum上表示。
明天的智慧系統將會需要更多的運算能力和儲存容量，這些都遠遠超過今天的處理器和記憶體所能提供的極限。而這也推動了我們對晶片微縮技術的需求。
在演講中，Steegen了解釋IMEC 如何在超越10nm以后繼續推動晶片微縮。在10nm之后，或許還
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IMEC CMOS 10nm
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