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rf-cmos 文章 進(jìn)入rf-cmos技術(shù)社區(qū)
一種基于混合信號(hào)技術(shù)的汽車電子單芯片設(shè)計(jì)

- 隨著汽車部件電子化程度的不斷提高,汽車工程師們正積極地尋求車輛系統(tǒng)中的先進(jìn)控制和接口技術(shù)解決方案。目前,汽車系統(tǒng)中用來(lái)嵌入這些功能單元的空間和能源十分有限,汽車工程師們正借助于新穎的高壓混合信號(hào)技術(shù)將復(fù)雜的——截至目前還不兼容的元件功能集成到一塊芯片上。現(xiàn)在,應(yīng)用與42V車載電壓兼容的I3T高電壓技術(shù)已經(jīng)可以將復(fù)雜的數(shù)字電路(如傳感器)、嵌入式微處理器以及功率電路(如激勵(lì)源或開關(guān)驅(qū)動(dòng)器)集成到一起。 LIN總線系統(tǒng) 由于其相對(duì)較低的造價(jià),LIN總線正被廣泛應(yīng)用于汽車的分布式電氣
- 關(guān)鍵字: AMI CMOS
三星28納米工藝技術(shù)為客戶新增RF功能
- 作為尖端半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先企業(yè),三星電子今日宣布為其28納米工藝技術(shù)新增射頻(RF)功能。隨著物聯(lián)網(wǎng)快速成為現(xiàn)實(shí),三星晶圓代工事業(yè)部開始助力芯片設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)中集成高級(jí)RF功能,使互聯(lián)家用電器、車載信息娛樂(lè)系統(tǒng)和供暖/制冷系統(tǒng)等連接應(yīng)用成為可能。 “現(xiàn)在市場(chǎng)上只有少數(shù)晶圓代工廠能夠提供先進(jìn)制程工藝,而能在芯片設(shè)計(jì)中集成RF功能的選擇則更為有限。“三星晶圓代工事業(yè)部市場(chǎng)營(yíng)銷副總裁韓承勛指出,”隨著我們進(jìn)入物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代,智能連接設(shè)備也將更加普及,更小和節(jié)能型的RF設(shè)計(jì)對(duì)SoC解決方案來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。為
- 關(guān)鍵字: 三星 28nm RF 物聯(lián)網(wǎng) 晶圓
Nordic Semiconductor和Digi-Key簽署全球分銷協(xié)議
- 超低功耗(ULP)射頻(RF)專業(yè)廠商N(yùn)ordic?Semiconductor?ASA宣布與分銷巨頭Digi-Key?公司簽署了全球分銷協(xié)議,涵蓋所有ULP產(chǎn)品系列,包括業(yè)界領(lǐng)先的藍(lán)牙低功耗解決方案。 Nordic的藍(lán)牙低功耗解決方案包括多次獲獎(jiǎng)、帶有內(nèi)置32位ARM?Cortex?M0?CPU?的nRF51822?系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)、高集成度nRF8001連接IC、瞄準(zhǔn)匙扣?(key?tag-t
- 關(guān)鍵字: Nordic ULP RF Digi-Key 低功耗
RFaxis單芯/單模RF前端模塊獲Frost&Sulivan創(chuàng)新獎(jiǎng)
- 全球領(lǐng)先的單芯/單模RF前端模塊提供商RFaxis公司宣布,榮獲北美Frost&Sullivan技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)大獎(jiǎng)。RFaxis致力于單芯/單模RF前端集成電路(RFeIC?)研發(fā),推出獨(dú)特的無(wú)線通信RF前端解決方案。?Frost&Sullivan根據(jù)其對(duì)于無(wú)線通信射頻前端模塊(RF?FEM)市場(chǎng)的最新分析結(jié)果,認(rèn)為RFaxis的創(chuàng)新解決方案實(shí)現(xiàn)了卓越性能、功能與經(jīng)濟(jì)性的完美結(jié)合,已經(jīng)得到證明是傳統(tǒng)GaAs?(砷化鎵)解決方案的理想替代選項(xiàng)。 傳統(tǒng)上,F(xiàn)R
- 關(guān)鍵字: RFaxis Frost&Sullivan GaAs RF
飛思卡爾發(fā)布LDMOS首批11個(gè)射頻功率產(chǎn)品
- 射頻(RF)功率晶體管領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者飛思卡爾半導(dǎo)體日前宣布11個(gè)全新商用的射頻功率LDMOS產(chǎn)品全面上市,這個(gè)產(chǎn)品可滿足美國(guó)國(guó)防電子產(chǎn)品應(yīng)用的要求,這是2013年6月公布的公司射頻功率業(yè)務(wù)戰(zhàn)略防御計(jì)劃發(fā)布的首套產(chǎn)品。 飛思卡爾現(xiàn)在為美國(guó)國(guó)防系統(tǒng)客戶提供與其他市場(chǎng)相當(dāng)?shù)闹С炙剑箍蛻艨梢詢?yōu)化這些射頻器件的性能,適合雷達(dá)、軍用通信和電子戰(zhàn)的應(yīng)用。這些產(chǎn)品包含在飛思卡爾產(chǎn)品長(zhǎng)期供貨計(jì)劃中,根據(jù)不同產(chǎn)品可確保最低10年或15年的產(chǎn)品供應(yīng)。?此外,飛思卡爾射頻國(guó)防市場(chǎng)專家組成的專門團(tuán)隊(duì)擁有符合I
- 關(guān)鍵字: 飛思卡爾 LDMOS RF 國(guó)防
高通推3G/4G LTE集成CMOS放大器芯片
- 高通公司QFE2320和QFE2340芯片的成功商用,標(biāo)志著移動(dòng)射頻前端技術(shù)的一個(gè)重大進(jìn)展,兩款芯片借助簡(jiǎn)化的走線和行業(yè)尺寸最小的功率放大器和天線開關(guān),相信會(huì)在集成電路上實(shí)現(xiàn)前所未有的功能。 集成天線開關(guān)的QFE2320多模多頻功率放大器(MMMBPA)和集成收發(fā)器模式開關(guān)的QFE2340高頻段MMMBPA,以及首款用于3G/4GLTE移動(dòng)終端的包絡(luò)追蹤(ET)芯片QFE1100,都是Qualcomm?RF360?前端解決方案的關(guān)鍵組件,并支持OEM廠商打造用于全球LTE移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)的單
- 關(guān)鍵字: 高通 CMOS
一種0.1-1.2GHz的CMOS射頻收發(fā)開關(guān)芯片設(shè)計(jì)

- 本文設(shè)計(jì)了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS 射頻收發(fā)開關(guān)芯片。該電路采用深N阱體懸浮技術(shù),在1.8V電壓供電下,該射頻開關(guān)收發(fā)兩路在0.1-1.2GHz內(nèi)的測(cè)試結(jié)果具有0.7dB的插入損耗、優(yōu)于-20dB的回波損耗以及-37dB以下的隔離度。本開關(guān)采用GLOBALFOUNDRIES 0.18μm CMOS工藝,芯片總面積為0.53mm2。
- 關(guān)鍵字: 射頻開關(guān) CMOS 開關(guān)芯片 201402
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