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        rf-cmos 文章 最新資訊

        ISM-RF產(chǎn)品中的PCB布局“缺陷”解決方案

        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
        • 關(guān)鍵字: ISM-RF  PCB布局  寄生效應(yīng)  

        飛思卡爾推出六款適用于TD-LTE基站的全新Airfast RF功率解決方案

        • 高功率射頻(RF)功率晶體管領(lǐng)域全球領(lǐng)導(dǎo)者飛思卡爾半導(dǎo)體公司日前推出六款新的Airfast RF功率解決方案,專為2.3/2.6 GHz頻段的TD-LTE基站設(shè)計(jì)。
        • 關(guān)鍵字: 飛思卡爾  RF  Airfast  201307  

        設(shè)定相位同調(diào)RF量測(cè)系統(tǒng):從 MIMO 到波束賦形

        • 從傳送出第一筆無線電波之后,工程師就持續(xù)發(fā)明新方法,以優(yōu)化電磁微波訊號(hào)。RF 訊號(hào)已廣泛用于多種應(yīng)用,其中又以無線通信與 RADAR 的 2 項(xiàng)特殊應(yīng)用正利用此常見技術(shù)。就本質(zhì)而言,此 2 項(xiàng)應(yīng)用的獨(dú)到之處,即是利用電磁波的空間維度 (Spatial dimension)。
        • 關(guān)鍵字: 電磁波  RF  分析器  

        集成RF混頻器與無源混頻器方案的性能比較

        • 過去,RF研發(fā)人員在高性能接收器設(shè)計(jì)中使用無源下變頻混頻器取得了較好的整體線性指標(biāo)和雜散指標(biāo)。但在這些設(shè)計(jì)中使用分立的無源混頻器也存在一些缺點(diǎn)。
        • 關(guān)鍵字: Maxim  RF  無源混頻器  

        UMTS 基站接收器占板面積僅為半平方英寸

        • 在滿足宏蜂窩基站性能要求的前提之下,集成度究竟能夠達(dá)到多高? 工藝技術(shù)仍然限定某些重要的功能部件必須采用特殊工藝來制造:在射頻 (RF) 領(lǐng)域采用GaAs 和 SiGe 工藝,高速 ADC 采用細(xì)線 CMOS 工藝,而高品質(zhì)因數(shù) (High-Q) 濾波器則無法采用半導(dǎo)體材料很好地實(shí)現(xiàn)。此外,市場(chǎng)對(duì)于提高集成度的需求并沒有停止。
        • 關(guān)鍵字: 凌力爾特  RF  UMTS  LTM9004  

        RF與數(shù)模電路的PCB設(shè)計(jì)

        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
        • 關(guān)鍵字: 數(shù)模電路  PCB設(shè)計(jì)  RF  回?fù)p  

        RF電路設(shè)計(jì)中降低寄生信號(hào)的八大途徑

        • RF電路板設(shè)計(jì)最重要的是不該有信號(hào)的地方要隔離信號(hào),而該有信號(hào)的地方一定要獲得信號(hào)。這就要求我們有意識(shí)地采取措施,確保信號(hào)隔離于其路徑適當(dāng)?shù)牟课弧R粽{(diào)、信號(hào)、時(shí)鐘及其在電路板上任何地方生成的所有諧波都可能作為寄生信號(hào)混入輸出信號(hào),甚至可能會(huì)進(jìn)入混頻器和轉(zhuǎn)換器進(jìn)而被轉(zhuǎn)換、反映并混淆為寄生信號(hào)。
        • 關(guān)鍵字: RF  電路板  

        富士/松下聯(lián)手打造有機(jī)CMOS傳感器

        •   有機(jī)材質(zhì)在顯示領(lǐng)域已經(jīng)應(yīng)用了多年(比如AMOLED),相比傳統(tǒng)的非有機(jī)材質(zhì),它的色彩表現(xiàn)更加鮮艷,并且具有廣視角、高對(duì)比度等優(yōu)勢(shì)。本周富士、松下聯(lián)合宣布了他們共同打造的有機(jī)CMOS傳感器,將有機(jī)材料首次應(yīng)用到CMOS傳感器上。   傳統(tǒng)影像傳感器一般由硅光電二極管、金屬連接層、分色濾鏡以及微透鏡等結(jié)構(gòu)組成,而富士、松下聯(lián)合研發(fā)的這種有機(jī)CMOS傳感器使用高吸收率的有機(jī)材料代替?zhèn)鹘y(tǒng)的硅光電二極管,感光層厚度減小至0.5微米。   據(jù)了解,這種新型有機(jī)CMOS傳感器在性能和有諸多提升和改進(jìn),比如動(dòng)態(tài)范
        • 關(guān)鍵字: CMOS  傳感器  

        安森美半導(dǎo)體醫(yī)療半導(dǎo)體解決方案配合醫(yī)療市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)

        • 隨著人們生活水平的提高和人口老齡化的發(fā)展,對(duì)醫(yī)療器械的創(chuàng)新發(fā)展也提出了更高要求,而半導(dǎo)體技術(shù)在醫(yī)療設(shè)備創(chuàng)新方面發(fā)揮著重要作用。安森美半導(dǎo)體身為推動(dòng)高能效創(chuàng)新的半導(dǎo)體廠商,其多款醫(yī)療半導(dǎo)體產(chǎn)品居于領(lǐng)先地位,例如用于助聽器的數(shù)字信號(hào)處理(DSP) SoC的市場(chǎng)份額高居全球第一。
        • 關(guān)鍵字: 安森美  DSP  CMOS  

        聯(lián)電宣布與IBM共同開發(fā)10奈米CMOS制程

        •   晶圓代工大廠聯(lián)電(UMC)日前與IBM 共同宣布,聯(lián)電將加入IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟,共同開發(fā)10納米CMOS制程技術(shù)。聯(lián)電與IBM兩家公司此次的協(xié)議,拓展了雙方于2012年簽訂14納米FinFET合作協(xié)議。   擁有IBM的支援與know-how,聯(lián)電將可持續(xù)提升其內(nèi)部自行研發(fā)的14納米FinFET 技術(shù),針對(duì)行動(dòng)運(yùn)算與通訊產(chǎn)品,提供富競(jìng)爭(zhēng)力的低耗電優(yōu)化技術(shù)。雙方計(jì)劃開發(fā) 10納米制程基礎(chǔ)技術(shù),以滿足聯(lián)電客戶的需求。聯(lián)電將指派工程團(tuán)隊(duì)加入位于美國(guó)紐約州阿爾巴尼(Albany, New York)的10納
        • 關(guān)鍵字: 聯(lián)電  CMOS  

        東芝開發(fā)出應(yīng)用于小型低功率產(chǎn)品的CMOS圖像傳感器

        • 東京 – 東芝公司(東京: 6502)日前宣布了對(duì)于具有小面積低功率像素讀出電路的CMOS圖像傳感器的開發(fā)進(jìn)展。 內(nèi)置讀出電路的樣品傳感器性能是傳統(tǒng)傳感器的兩倍。(1)東芝于2月20日在加州舊金山舉行的 ISSCC 2013(美國(guó)電氣和電子工程師學(xué)會(huì)(IEEE)主辦的國(guó)際固態(tài)電路研討會(huì))會(huì)議上對(duì)該產(chǎn)品的開發(fā)進(jìn)展進(jìn)行了介紹。
        • 關(guān)鍵字: 東芝  CMOS  傳感器  

        Molex推出RF DIN 1.0/2.3模塊化背板系統(tǒng)

        • 全球領(lǐng)先的全套互連產(chǎn)品供應(yīng)商Molex公司宣布推出一款專門設(shè)計(jì)的高性能連接器系統(tǒng),使得視頻、商業(yè)廣播和電信行業(yè)的PCB開發(fā)人員能夠通過單一組件形式插配電路板傳送多種RF信號(hào),同時(shí)考慮空間約束。RF DIN 1.0/2.3模塊化背板系統(tǒng)具有獨(dú)特的凸起膠殼設(shè)計(jì),能夠達(dá)到最多10個(gè)端口的擴(kuò)展能力,從而增強(qiáng)直角PCB插配靈活性。
        • 關(guān)鍵字: Molex  連接器  RF  

        TTL電平和CMOS電平總結(jié)

        • TTL電平:輸出高電平〉2.4V輸出低電平〈0.4V在室溫下,一般輸出高電平是3.5V輸出低電平是0.2V。最小輸入...
        • 關(guān)鍵字: CMOS    電平    電路  

        CMOS集成電路設(shè)計(jì)(三):CMOS設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

        • (1)使用TTL集成電路注意事項(xiàng)  ①TTL集成電路的電源電壓不能高于+5.5V使用,不能將電源與地顛倒錯(cuò)接,否則將會(huì)因 ...
        • 關(guān)鍵字: CMOS  集成電路  

        CMOS與MEMS方案走紅 移動(dòng)裝置RF架構(gòu)改弦更張

        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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