- 專注于為無線連接和蜂窩移動市場開發創新型下一代射頻(RF)解決方案的領先無晶圓半導體公司RFaxis, Inc.于2014年6月18日宣布，該公司用于無線局域網絡(WLAN)應用的RFX241高功率2.4GHz功率放大器(PA)已投入量產。 RFX241最新加入RFaxis瞄準快速增長的無線接入點(AP)、路由器(Router)、機頂盒(STB)、家庭網關(HGW)、熱點(Hotspot)等無線基礎設施市場的純CMOS大功率CMOS PA產品系列。RFX241可與包括RTC6649E在內的目前市場上
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RFaxis RF CMOS
- 日前，德州儀器 (TI) 宣布其基站軟件開發包 (Base Station SoftwarePac) 新增 RF 軟件開發套件 (RFSDK)，可使小型基站開發人員配置基帶至射頻通信并在僅僅一天之內即實現首次調用或系統驗證，而此前所需的時間長達數周甚至數月之久。借助該新型 RFSDK，基于 TI KeyStone™ 的 TCI6630K2L 小型基站片上系統 (SoC) 和 TCI6631K2L 回程 SoC 如今能夠無縫地實現諸如數字預失真 (DPD) 和波形因數抑制 (CFR) 等數字
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德州儀器 RF 基站
- 在市場再度傳言IBM將10億美元出售其芯片部門給GlobalFoundries的同時，該公司正在加速量產新一代絕緣上覆硅(silicon-on-insulator，SOI)與硅鍺(silicongermanium，SiGe)制程，以擴大在射頻(RF)芯片代工市場的占有率;該類芯片傳統上大多是采用更稀有的砷化鎵(galliumarsenide，GaAs)制程。
IBM的兩種新制程都在該公司只提供晶圓代工的美國佛州Burlington晶圓廠運作，該座8吋晶圓廠以往曾生產IBM高階服務器處理器以及
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RF 芯片
- 致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導體技術方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布進軍單片微波集成電路(monolithic microwave integrated circuit, MMIC)市場領域。在其豐富的RF、微波和毫米波解決方案歷史的基礎下，新的產品系列最初將提供涵蓋DC-40GHz范圍的16種產品，包括寬帶放大器、低噪聲放大器和開關產品，設計用于國防、通信、儀器儀表和航空航天工業。
美高森美一直活躍于MMIC產品的開發工作，同時使用成熟的
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美高森美 RF
- Molex 公司的柔性微波電纜組件(Flexible Microwave Cable Assemblies)通過結合Temp-Flexò同軸電纜和高性能射頻(RF)連接器，替代半剛性組件。這些組件具有出色的電氣性能及使用專有技術組裝，最大限度地減小電壓駐波比(Voltage Standing Wave Ratio)和插入損耗，用于完整的端至端互連解決方案。
Molex產品經理Darren Schauer表示：“半剛性電纜組件被彎曲放入現今較小的模塊時可能出現性能退化
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Molex RF VOP
- 在地熱生產和石油生產過程中溫度通常會超過200℃，高于設備所用的傳統微芯片一般能耐受的最高溫度。德國弗勞恩霍夫微電子電路與系統研究所(IMS)的研究人員近日開發出一種新型的高溫工藝，可以制造出超緊湊型微芯片，這種微芯片在高達300℃的溫度下也能正常工作。
傳統的CMOS芯片有時能耐受250℃的高溫，但其性能與可靠性會迅速下降。還有一種方法是對熱敏感的微芯片實施持續冷卻，但是很難實現。此外，市場上也存在專門的高溫芯片，但是尺寸過大(最小尺寸也達1微米)。
IMS開發的微芯片尺寸僅有0
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微芯片 CMOS
- Analog Devices, Inc.(NASDAQ：ADI)，全球領先的高性能信號處理解決方案供應商及數據轉換器市場份額領先者*，日前宣布推出雙通道、1.25 V、14位、1 GSPS ADC AD9680 ，它具有同類產品中的最佳噪聲和動態范圍性能，支持通訊、儀器儀表和軍事/航空航天領域的直接RF采樣應用。其154 dBFs/Hz的噪聲密度為業內最低。ADI公司的寬帶RF數據采集技術具有突破性的性能、帶寬、集成功能，能夠在擁堵的RF環境中，以史無前例的帶寬更好地提取信號。AD9680可與主要制造
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ADI AD9680 RF
- 因為MOS晶體管的襯底或者與源極相連，或者連接到VDD或VSS,所以經常被用作一個三端設備。由于未來CMOS技術的閾值電壓并不會遠低于現有標準，于是采用襯底驅動技術進行模擬電路設計就成為較好的解決方案[1].襯底驅動技術的原理是：在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓，以形成反型層，輸入信號加在襯底和源極之間，這樣閾值電壓就可以減小或從信號通路上得以避開。襯底驅動MOS晶體管的原理類似于結型場效應晶體管，也就是一個耗盡型器件，它可以工作在負、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導電溝
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MOS CMOS
- 當平面工藝已經無法滿足對于性能提升的需求時，3D架構是業界首先能想到的提升方式。
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CMOS 納米
- 作為專注在WiFi、藍牙、GPS連接性射頻芯片技術供應商，卓勝微電子今日宣布，公司GPSLNA芯片產品MXDLN16S在三星累計出貨超過2000萬顆。
“卓勝微電子的GPSLNA產品能夠給三星大批量供貨體現了我們產品的卓越性能。”卓勝微電子總經理許志翰表示：“作為全球智能手機市場的領先者，三星對產品的創新和品質有著不懈追求，同時它對合作伙伴也有著非常高的品質和供貨能力的要求。這么大批量的穩定出貨證明了我們的能力。”
卓勝微電子的GPS
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卓勝微電子 CMOS
- 2014年5月5日，作為專注在WiFi，藍牙，GPS連接性射頻芯片技術供應商，卓勝微電子宣布其GPSLNA芯片產品MXDLN16S在三星累計出貨超過2000萬顆。
“卓勝微電子的GPSLNA產品能夠給三星大批量供貨體現了我們產品的卓越性能。”卓勝微電子總經理許志翰表示：“作為全球智能手機市場的領先者，三星對產品的創新和品質有著不懈追求，同時它對合作伙伴也有著非常高的品質和供貨能力的要求。這么大批量的穩定出貨證明了我們的能力。”
卓勝微電子的G
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GPSLNA 卓勝 RF CMOS
- 市場研究機構CoughlinAssociates的最新報告預測，磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)──包含磁場感應(field-induced)以及自旋力矩轉移(spin-torquetransition，STT)等形式──將在未來因為取代DRAM與SRAM而繁榮發展。
CoughlinAssociates的報告指出，因為具備省電與非揮發特性，MRAM/STTMRAM市場營收規模可望由2013年的1.9億美元左右，到2019年成長至21億美元;期間的復合年平均成長率(CAGR)估計為50%。
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MRAM CMOS
- Diodes公司?(Diodes?Incorporated)?推出先進的74AUP2G雙門超低功率?CMOS微型邏輯器件系列，為低壓和低功耗模式設計，可延長手機、電子書閱讀器及平板電腦等多種掌上消費性電子產品的電池壽命。 這款邏輯器件的漏電流少于0.9?μA，達到低靜態功耗的效果。其功耗電容在3.6V供電下一般為6pF，可將動態功耗降到最低。74AUP2G系列提供從0.8V到3.6V的供電電壓范圍，使電路供電降到最低等級。 全新超低功率74AUP2
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Diodes 電池 CMOS
- 最近以來智能手表、體征監測等穿戴式電子設備受到業界的極大關注，但市場一直處于“雷聲大，雨點小”的狀態。究其原因，有以下幾個因素制約了穿戴式電子設備實現突破：小型化低功耗技術還滿足不了需求、“殺手級”應用服務缺失、外觀工藝粗糙、用戶使用習慣仍需培養。 從技術層面上看，先進封裝將是穿戴式電子取得成功的關鍵技術之一，特別是系統級封裝(SiP)以及3D封裝等。據深圳市半導體行業協會秘書長蔡錦江介紹，2001年以色列Given?Imaging公司推出的膠囊內鏡就采用SiP技術將光學鏡頭、應用處理器、
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穿戴式 SiP 3D CMOS
- 全球可編程平臺領導廠商賽靈思公司?(Xilinx,?Inc.?)在?2011?年?SCTE?有線電視技術博覽會?(SCTE?Cable-Tec?Expo?2011)上演示了有線電視行業第一個用單個?RF?端口支持多達?160?個正交幅度調制?(QAM?)信道的方案，該方案是在基于賽靈思?28nm?7?系列
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Xilinx FPGA RF
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