6月21日，臺達電子宣布與全球半導體領導廠商德州儀器（TI）成立創新聯合實驗室。臺達表示，此舉不僅深化雙方長期合作關系，亦可憑借TI在數字控制及氮化鎵（GaN）等半導體相關領域多年的豐富經驗及創新技術，強化新一代電動車電源系統的功率密度和效能等優勢，增強臺達在電動車領域的核心競爭力。臺達交通事業范疇執行副總裁及電動車方案事業群總經理唐修平表示：“透過與TI成立創新聯合實驗室，運用TI在數位控制及GaN領域豐富經驗與技術優勢，提升電動車電源系統的功率密度和效能，期盼雙方達到更緊密的技術交流及合作，以更具前瞻
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臺達電子 TI GaN
根據Yole機構2024 Q1的預測，氮化鎵 (GaN) 功率半導體器件市場2023至2029年平均復合年增長 (CAGR) 將高于45%，其中表現最為搶眼的是汽車與出行市場（automotive & mobility），“從無到有”，五年后即有望占據三分之一的GaN應用市場（圖1）。而相比之下，碳化硅（SiC）應用市場成長則顯得比較溫和，CAGR遠低于GaN（圖1）。隨著GaN“上車”進程加速，功率器件器件市場競爭格局或將被改寫。圖1：在GaN市場份額變化中，汽車與出行市場 “從無到有”，五年后
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GaN 車用功率器件 Transphorm SiC
●? ?650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術，助力家電和暖通空調（HVAC）系統逆變器達到99%以上效率。●? ?得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了對外部散熱器的需求，工程師可以將解決方案尺寸縮減多達 55%。德州儀器 (TI)近日推出了適用于 250W 電機驅動器應用的先進 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設計大型家用電器及加熱、通風和空調 (HVAC) 系統時通常面臨的許多設
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德州儀器 GaN IPM 高壓電機
氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質是外延結構的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結構，再對增強型和耗盡型的氮化鎵HEMT結構進行對比，總結結構不同決定的部分特性。此外，對氮化鎵功率器件的外延工藝以及功率器件的工藝進行描述，加深對氮化鎵功率器件的工藝技術理解。在理解氮化鎵功率器件結構和工藝的基礎上，對不同半導體材料的特性、不同襯底材料的氮化鎵HEMT進行對比說明。一、器件結構與制造工藝（一）器件結構對比GaN
HEMT是基于AlGaN/GaN異質結，目前市面上還未出現G
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氮化鎵 GaN 結構 制造工藝
6月14日，純化合物半導體代工廠穩懋半導體（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司擴大了其RF
GaN技術組合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化鎵（GaN）技術測試版NP12-0B平臺。目前，NP12-0B鑒定測試已經完成，最終建模/PDK生成預計將于2024年8月完成，并計劃于2024年第三季度末發布完整的生產版本。據穩懋半導體介紹，該平臺的核心是0.12μm柵極RF GaN
HEMT技術，該技術結合了多項改進，以增強直流和射頻的耐用性，并增加芯片級防潮性。NP12-0
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純化合物 半導體 RF GaN
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環保科技半導體公司，開發了一系列高能效氮化鎵（GaN） 功率器件，致力于打造更環保的電子器件。CGD 正在與全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克股票代碼：QRVO）合作開發 GaN 在電機控制應用中的參考設計和評估套件（EVK）。CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在無刷直流電機（BLDC）和永磁同步電機（PMSM）應用中的使用，打造更高功率、高效、緊湊和可靠的系統。Qorvo在為其PAC5556A高性能 BLD
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CGD 電機控制 GaN
無晶圓廠環保科技半導體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN? 產品系列 GaN 功率 IC 封裝，它們具有低熱阻并便于光學檢查。這兩種封裝均采用經過充分驗證的 DFN 封裝，堅固可靠。DHDFN-9-1（雙散熱器DFN）是一種薄的雙面冷卻封裝，外形尺寸僅為10x10 mm，并采用側邊可濕焊盤技術，便于光學檢查。它具有低熱阻（Rth(JC)），可采用底部、頂部和雙側冷卻方式運行，
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CGD 數據中心 逆變器 GaN 功率IC
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環保科技半導體公司，開發了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環保的電子器件。CGD 與與中國臺灣工業技術研究院（ITRI）簽署了諒解備忘錄，以鞏固為USB-PD適配器開發高性能GaN解決方案的合作伙伴關系、并共享市場信息、實現對潛在客戶的聯合訪問和推廣。Andrea Bricconi | CGD 首席商務官“我們很高興能與ITRI合作，ITRI擁有一個電力解決方案研究團隊，在開發電力解決方案方面有著非常豐富的經驗
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CGD GaN 電源開發
深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations近日宣布達成協議，收購垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術開發商Odyssey Semiconductor Technologies的資產。這項交易預計將于2024年7月完成，屆時Odyssey的所有關鍵員工都將加入Power Integrations的技術部門。此次收購將為該公司專有的PowiGaN?技術的持續開發提供有力支持。PowiGaN技術已廣泛應用于該公司的眾多產品系列，包括InnoSwitch? IC、HiperPFS
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Power Integrations Odyssey 氮化鎵 GaN
近日，Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統級封裝氮化鎵（GaN）器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起，組成首個基于Transphorm SuperGaN平臺的系統級封裝GaN產品系列。新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準諧振/谷底開關）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，兩
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功率半導體 氮化鎵 GaN
D類音頻放大器參考設計(EPC9192)讓模塊化設計具有高功率和高效，從而可實現全定制、高性能的電路設計。宜普電源轉換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設計，可實現優越、緊湊型和高效的D類音頻放大器，于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設計中發揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優勢，在4Ω負載時，每聲道輸出功率達700 W。EPC9192是可擴展的模塊化設計，其主板配有兩個PWM調制器和兩個半橋功率級子板，實現具備輔助管理電源和保護功能的雙通道放大器。這種設計的靈活性高，使
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GaN FET D類音頻放大器
基于氮化鎵器件的逆變器參考設計(EPC9193)讓您實現具有更高性能的電機系統，其續航里程更長、精度更高、扭矩更大，而且同時降低了系統的總成本。宜普電源轉換公司（EPC）近日宣布推出EPC9193，它是使用EPC2619 eGaN?FET的三相BLDC電機驅動逆變器，具有14V~65V的寬輸入直流電壓范圍和兩種配置，分別為標準和高電流版本：●? ?EPC9193 是標準參考設計，在每個開關位置使用單個FET，可提供高達30ARMS 的最大輸出電流。●? ?EPC91
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SiC 市場的快速擴張主要得益于電動汽車的需求，預計 2023 年市場將比上年增長 60%。
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GaN SiC
Qorvo是一家在射頻解決方案領域具有顯著影響力的美國公司。它通過提供創新的射頻技術，為移動、基礎設施與國防/航空航天市場提供核心技術及解決方案，致力于實現全球互聯。Qorvo在射頻前端模塊、濾波器、功率放大器、開關、調諧器等領域都展現出了強大的技術實力和市場地位。它是全球主要的功頻放大器供貨商，其產品在市場上具有較高的認可度和廣泛的應用。這使得Qorvo在推動5G網絡、云計算、物聯網等新興應用市場的發展方面發揮了重要作用。在Qorvo所擅長的寬帶功率放大器領域之中，GaN材料展露出了重要的應用潛力。由于
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Qorvo GaN 寬帶功率放大器
在低頻下工作的普通電路與針對RF頻率設計的電路之間的關鍵區別在于它們的電氣尺寸。RF設計可采用多種波長的尺寸，導致電壓和電流的大小和相位隨元件的物理尺寸而變化。這為RF電路的設計和分析提供了一些基礎的核心原理特性。基本概念和術語假設以任意負載端接傳輸線路（例如同軸電纜或微帶線），并定義波量a和b，如圖1所示。圖1.以單端口負載端接匹配信號源的傳輸線路。這些波量是入射到該負載并從該負載反射的電壓波的復振幅。我們現在可以使用這些量來定義電壓反射系數Γ，它描述了反射波的復振幅與入射波復振幅的比值：反射系數也可以
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ADI RF 波反射
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