RF復雜測試對測試設備提出更高需求無線通信系統的不斷更新產生了對先進RF測試設備的需求，以滿足這項新技術的復雜測試要求。這些測試設備需要能夠處理更高的頻率、更寬的帶寬和更復雜的調制方案。? 波束成形：使用先進的波束成形技術來提高信號強度和質量。多通道測試應側重于測試系統的波束成形能力，包括波束控制、波束跟蹤和波束成形算法性能。? 大規模MIMO：大規模MIMO技術涉及使用大量天線來提高信號質量和容量。多通道測試應側重于測試大規模MIMO系統的性能，包括天線放
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寬帶多通道 調試信號分析 RF 測試 泰克
作為提供不間斷連接的關鍵，許多數據中心依賴于日益流行的半導體技術來提高能效和功率密度。?氮化鎵技術，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導體材料，越來越多地用于高電壓應用。這些應用需要具有更大功率密度、更高能效、更高開關頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源。除了數據中心，這些應用還包括 HVAC 系統、通信電源、光伏逆變器和筆記本電腦充電電源。??了解 GaN 如何突破功率密度和效率界限? 德州儀器 GaN 產品線負責人 David Snook 表示：“氮化鎵是提高功率密
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氮化鎵 GaN 電源管理
隨著世界各地的電力消耗持續增長，高電壓技術領域的創新讓設計工程師能夠開發出更高效的解決方案，使電氣化和可再生能源技術更易于使用。?“隨著人均用電量的持續增長，可持續能源變得越來越重要，”TI 副總裁及高電壓產品部總經理 Kannan Soundarapandian 表示。“以負責的方式管理能源使用非常重要。我們不能浪費任何一毫焦1的能量。這就是為什么高電壓技術的創新是實現能源可持續的關鍵。”?隨著電力需求的增加（在 2 秒內將電動汽車 (EV) 從 0mph加速到 60mph?
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高電壓技術 電動汽車 GaN IGBT
自上世紀五十年代以來，以硅材料為代表的第一代半導體材料取代了笨重的電子管引發了以集成電路為核心的微電子領域迅速發展。隨著時間的流逝，盡管目前業內仍然以 Si 材料作為主流半導體材料，但第二代、第三代甚至是第四代半導體材料都紛沓而至。這其中又以第三代半導體材料——氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）受到大眾關注。近段時間，GaN 方面又有了新進展。本土 GaN 企業快速發展3 月 2 日，英飛凌宣布收購氮化鎵公司 GaN Systems，交易總值 8.3 億美元（約 57.3 億人民幣）。根據公告，英飛凌計劃
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GaN SiC
傳統的功率半導體被設計用來提升系統的效率以及減少能量損失。可是實際上，出于兩個方面的原因-傳導和開關切換，設備可能會出現能量損失。GaN FET為第三代功率半導體技術，其改善開關切換的延遲時間。納微（Navitas）半導體公司是世界上第一家的氮化鎵（ GaN ）功率芯片公司。所謂的氮化鎵功率芯片，其中 GaN 驅動器、GaN FET 和 GaN 邏輯單元的單片集成，并全部采用 650V GaN 工藝，從而實現許多軟開關拓撲和應用中的高速、高頻率、高效率操作。該方案采用NV6115 與 NV6117 氮化鎵
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NAVITAS NV6115 NV6117 GAN
GaN 要快速擴散至各應用領域，仍有層層關卡待突破。
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GaN
以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導體市場正如火如荼地發展著，而“圍墻”之外的企業亦對此賽道十分看重。近日，中瓷電子資產重組重新恢復審核，其對第三代半導體業務的開拓有了新的進展。3月6日，中瓷電子發布了《發行股份購買資產并募集配套資金暨關聯交易報告書（草案）（修訂稿）》。根據該修訂稿，中瓷電子擬以發行股份的方式，購買博威公司73.00%股權、氮化鎵通信基站射頻芯片業務資產及負債、國聯萬眾94.6029%股權。事實上，除中瓷電子外，近來還有許多企業選擇以收購的方式，布局或擴大第三代半導體業務。2023年3月2
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第三代半導體 收購 SiC GaN
隨著特斯拉宣布其下一代 EV 動力總成系統的 SiC 組件使用量減少 75%，預計第三代化合物半導體市場狀況將發生變化，GaN 被認為會產生后續替代效應。據業內消息人士透露，這有望使臺積電、世界先進半導體 (VIS) 和聯華電子受益，它們已經進行了早期部署，并繼續擴大其 8 英寸加工 GaN 器件的產能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿足市場上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達 1200V 的電壓等級，并具備高載流能力，因此非常適合汽車和機車牽引逆變器、高功率太陽能發電場和大型三相電網
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GaN SiC
當今的行業需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計算機、電動汽車、數據中心和高功率電機驅動等高功率應用中實施。實現這一壯舉的方法是提高電子設備的功率密度。硅基MOSFET具有較低的開關速度和熱效率；因此，如果不增加尺寸并因此影響功率密度，它們就不能用于高功率應用。這就是基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 用于制造高功率密度電子產品的地方，適用于各行各業的不同應用。當今的行業需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計算機、電動汽車、數據中心和高功率電機驅動等高功
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GaN HEMT 短路保護
【2023 年 03 月 03日，德國慕尼黑和加拿大渥太華訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）和氮化鎵系統公司（GaN Systems）聯合宣布，雙方已簽署最終協議。根據該協議，英飛凌將斥資 8.3 億美元收購氮化鎵系統公司。氮化鎵系統公司是全球領先的科技公司，致力于為功率轉換應用開發基于氮化鎵的解決方案。該公司總部位于加拿大渥太華，擁有 200 多名員工。 英飛凌科技首席執行官 Jochen Hanebeck 表示：“氮化鎵技術為打造更加
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英飛凌將 氮化鎵系統公司 GaN Systems 氮化鎵產品
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前我們簡單介紹過氮化鎵GaN驅動器的PCB設計策略概要，本文將為大家重點說明利用 NCP51820 設計高性能 GaN 半橋柵極驅動電路必須考慮的 PCB 設計注意事項。本設計文檔其余部分引用的布線示例將使用含有源極開爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。VDD 電容VDD 引腳應有兩個盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶瓷電容。如圖 7 所示，較低值的高頻旁路電
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安森美 GaN 驅動器 PCB
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布，將與AMD合作展示面向5G有源天線系統（AAS）無線電的完整RF前端解決方案。全新RF前端與經實地驗證的AMD Zynq??UltraScale+? RFSoC數字前端OpenRAN無線電（O-RU）參考設計相搭配，包含RF開關、低噪聲放大器，和前置驅動器，提供了一套完整的解決方案，以滿足不斷增長的移動網絡基礎設施市場需求。該參考平臺將于2月27日至3月2日在西班牙巴塞羅那舉行的世界移動通信大會AMD展臺（2展廳，#2M61展位）進行展示。全新5G設計平
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瑞薩 AMD 5G有源天線 RF 數字前端
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”） 功率開關。只有合理設計能夠支持這種功率開關轉換的印刷電路板 (PCB) ，才能實現實現高電壓、高頻率、快速dV/dt邊沿速率開關的全部性能優勢。本文將簡單介紹NCP51820及利用 NCP51820 設計高性能 GaN 半橋柵極驅動電路的 PCB 設計要點。NCP51820 是一款全功能專用驅動器，為充分發揮高電子遷移率晶體管 (HEMT) GaNFET 的開關性能而
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安森美 GaN PCB
前言現階段的大多數 GaN 電源系統都是由多個芯片組成。GaN 器件在電路板上組裝前采用分立式的元件組裝會產生寄生電感，從而影響器件的性能。例如驅動器會在單獨的芯片上帶有驅動器的分立晶體管，受到驅動器輸出級和晶體管輸入之間以及半橋開關節點之間的寄生電感的影響，同時GaN HEMT 具有非常高的開關速度，如果寄生電感未被抑制，將會導致信號傳輸的波動。近日，納芯微推出了兩款全新的GaN相關產品，分別是GaN驅動NSD2621，一顆高壓半橋柵極驅動芯片，專門用于驅動E?mode（增強型）GaN 開關管；集成化的
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GaN 納芯微 半橋驅動芯片
納芯微全新推出GaN相關產品，包含GaN驅動NSD2621與集成化的Power Stage產品NSG65N15K，均可廣泛適用于快充、儲能、服務器電源等多種GaN應用場景。其中，NSD2621是一顆高壓半橋柵極驅動芯片，專門用于驅動E?mode（增強型）GaN 開關管；NSG65N15K是一顆集成化的Power Stage產品，內部集成了高壓半橋驅動器和兩顆650V耐壓的GaN開關管。NSD2621產品特性： 01. SW引腳耐壓±700V 02. 峰值驅動電流2A/-4A 03.&n
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納芯微 GaN
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