Qorvo是一家在射頻解決方案領域具有顯著影響力的美國公司。它通過提供創新的射頻技術，為移動、基礎設施與國防/航空航天市場提供核心技術及解決方案，致力于實現全球互聯。Qorvo在射頻前端模塊、濾波器、功率放大器、開關、調諧器等領域都展現出了強大的技術實力和市場地位。它是全球主要的功頻放大器供貨商，其產品在市場上具有較高的認可度和廣泛的應用。這使得Qorvo在推動5G網絡、云計算、物聯網等新興應用市場的發展方面發揮了重要作用。在Qorvo所擅長的寬帶功率放大器領域之中，GaN材料展露出了重要的應用潛力。由于
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Qorvo GaN 寬帶功率放大器
在低頻下工作的普通電路與針對RF頻率設計的電路之間的關鍵區別在于它們的電氣尺寸。RF設計可采用多種波長的尺寸，導致電壓和電流的大小和相位隨元件的物理尺寸而變化。這為RF電路的設計和分析提供了一些基礎的核心原理特性。基本概念和術語假設以任意負載端接傳輸線路（例如同軸電纜或微帶線），并定義波量a和b，如圖1所示。圖1.以單端口負載端接匹配信號源的傳輸線路。這些波量是入射到該負載并從該負載反射的電壓波的復振幅。我們現在可以使用這些量來定義電壓反射系數Γ，它描述了反射波的復振幅與入射波復振幅的比值：反射系數也可以
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ADI RF 波反射
唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業領導者——納微半導體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會展中心舉辦的亞洲充電展，邀請觀眾造訪由最新氮化鎵和碳化硅技術打造，象征著全電氣化未來的“納微芯球”展臺。納微半導體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應用及解決方案，包括：●? ?功率水平更高、以應用為導向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術●? &
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納微半導體 亞洲充電展 GaN+SiC 快充
羅德與施瓦茨與索尼半導體以色列（Sony）合作，達成了3GPP Rel. 17 NTN NB-IoT RF性能驗證的行業首次里程碑。他們還成功驗證了基于PCT的測試用例。兩項工作都有助于NTN NB-IoT技術的市場就緒。在2024年巴塞羅那世界移動通信大會上，羅德與施瓦茨將在其展臺上展示與Sony的Altair NTN Release 17 IoT設備一起進行NTN NB-IoT測試的實時演示。與Sony的合作中，羅德與施瓦茨成功驗證了Sony的Altair設備的NTN NB-IoT功能。使用羅德與施瓦
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羅德與施瓦茨 索尼 3GPP Rel. 17 NB-IoT RF
英飛凌科技股份公司近日宣布與Worksport Ltd.合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低便攜式發電站的重量和成本。Worksport將在其便攜式發電站轉換器中使用英飛凌的GaN功率半導體GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飛凌GaN晶體管后，該功率轉換器將變得更輕、更小，系統成本也將隨之降低。此外，英飛凌還將幫助Worksport優化電路和布局設計，進一步縮小尺寸并提高功率密度。Worksport首席執行官Steven Rossi表示：“英飛凌高質量標準和穩固的供應鏈為我們提供了
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英飛凌 Worksport 氮化鎵 GaN 便攜式發電站
全球增強型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領域的領導者宜普電源轉換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場上具有最低導通電阻的GaN FET，與EPC的上一代產品相比，其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐熱QFN封裝，頂部裸露，封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過五倍。憑借超低導通電阻
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EPC 1mΩ 導通電阻 GaN FET
激光探測及測距 (LiDAR) 的應用包括自主駕駛車輛、無人機、倉庫自動化和精準農業。在這些應用中，大多都有人類參與其中，因此人們擔心 LiDAR 激光可能會對眼睛造成傷害。為防止此類傷害，汽車 LiDAR 系統必須符合 IEC 60825-1 1 類安全要求，同時發射功率不超過 200 W。通用解決方案一般采用 1 至 2 ns 脈沖，重復頻率為 1 至 2 MHz。這很有挑戰性，因為需要使用微控制器或其他大型數字集成電路 (IC) 來控制激光二極管，但又不能直接驅動它，這樣就必須增加一個柵極
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自主駕駛 LiDAR GaN FET
電力電子應用希望納入新的半導體材料和工藝。
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GaN SiC
當今，快充市場正迎來前所未有的機遇與挑戰。風暴仍在繼續，快充市場的迅猛發展，用戶對于充電器的功率需求也在不斷增大；移動設備的普及，用戶對于充電器體積的要求也越來越高；同時為了在激烈的市場競爭中脫穎而出，低成本是每個快充產品必須考慮的因素。種種這些都對快充技術的要求愈發嚴格，不僅需要高效率、高功率，還需要適應多樣化的標準和滿足用戶個性化的需求。在種種挑戰之下，PI推出了InnoSwitch5-Pro 離線反激式開關IC，在內部集成750V或900V PowiGaN?初級開關、初級側控制器、FluxLink?
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PI SR-ZVS GaN 氮化鎵
宜普電源轉換公司（EPC）推出三款激光驅動器電路板，這些板采用了符合AEC-Q101認證標準、快速轉換的GaN FET以實現具備卓越性能的激光雷達系統。EPC推出三款評估板，分別是EPC9179、EPC9181和EPC9180，它采用75 A、125 A、231 A脈沖電流激光驅動器和通過車規級AEC-Q101認證的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化鎵器件的體積小30%和更具成本效益。這些電路板專為長距離和
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EPC GaN FET 激光二極管
就在幾個月之前，一則消息被各大媒體平臺報道：2023年7月3日，為維護國家安全和利益，中國相關部門發布公告，決定自8月1日起，對鎵和鍺兩種關鍵金屬實行出口管制。至此有不少不關注該領域的讀者突然意識到，不知道從什么時候開始，我國的鎵和鍺已經悄悄成為了世界最大的出口國。根據一份中國地質科學院礦產資源研究所2020年的一份報告顯示，目前鎵的世界總儲量約 23 萬噸，中國的鎵金屬儲量居世界第一，約占世界總儲量的 80%-85%，而我國的鎵產量則是壓倒性的占到了全球產量的90%到95%。而作為鎵的化合物，砷化鎵、氮
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雷達 RF 氮化鎵 相控陣
消費者希望日常攜帶的各種電子設備能夠配備便攜、快速和高效的充電器。隨著大多數電子產品轉向 USB Type-C? 充電器，越來越多的用戶希望可以使用緊湊型電源適配器為所有設備充電。在設計現代消費級 USB Type-C 移動充電器、PC 電源和電視電源時，面臨的挑戰是如何在縮小解決方案尺寸的同時保持甚至提高功率水平。德州儀器的低功耗氮化鎵 (GaN) 器件有助于在各種最流行的拓撲中解決這一問題，同時提供散熱、尺寸和集成方面的優勢。在過去的幾十年里，隨著 GaN 等寬帶隙技術的發展，交流/直流拓撲
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TI GaN 電源拓撲
2024 年 1 月 11 日 3:00 p.m. JST，日本東京 | 2024 年 1 月 10 日 10:00 p.m. PST 加利福尼亞州戈利塔訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（以下“瑞薩”，TSE：6723）與全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布雙方已達成最終協議，根據該協議，瑞薩子公司將以每股5.10美元現金收購Transphorm所有已發行普通股，較Transphorm在2024年1月
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瑞薩 Transphorm GaN
『這個知識不太冷』系列，旨在幫助小伙伴們喚醒知識的記憶，將挑選一部分Qorvo劃重點的知識點，結合產業現狀解讀，以此溫故知新、查漏補缺。在過去十年中，移動無線數據快速增長，使得運營商愈加迫切地需要新頻段和新技術，以滿足用戶對無線數據容量的需求。這種需求不僅推動了無線技術的發展，也增加了對增強型射頻(RF)濾波器技術的需求，以幫助減少系統干擾，擴大RF覆蓋范圍，增強接收器性能，并提升共存特性。本篇內容將介紹RF濾波器的工作原理，以及如今的應用中使用的各種技術版本。首先介紹關于濾波器的一些基本實情，以及它們帶
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Qorvo RF 濾波器
近期，大阪公立大學的研究團隊成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳化硅（SiC）襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上，有望應用于5G通信基站、氣象雷達、衛星通信、微波加熱、等離子體處理等領域，該研究成果已發表在“Small”雜志上。隨著半導體技術不斷發展，功率密度和散熱等問題日益凸顯，業界試圖通過新一代材料解決上述問題。據悉，金剛石具備極強的導熱性能，氮化鎵具有寬帶隙和高導電性等特性，居于上述特性，以金剛石為襯底的氮化鎵晶體管被寄予厚望。在最新研究中，大阪公立大學的科學家們成
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GaN 散熱能力
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