前言現階段的大多數 GaN 電源系統都是由多個芯片組成。GaN 器件在電路板上組裝前采用分立式的元件組裝會產生寄生電感，從而影響器件的性能。例如驅動器會在單獨的芯片上帶有驅動器的分立晶體管，受到驅動器輸出級和晶體管輸入之間以及半橋開關節點之間的寄生電感的影響，同時GaN HEMT 具有非常高的開關速度，如果寄生電感未被抑制，將會導致信號傳輸的波動。近日，納芯微推出了兩款全新的GaN相關產品，分別是GaN驅動NSD2621，一顆高壓半橋柵極驅動芯片，專門用于驅動E?mode（增強型）GaN 開關管；集成化的
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GaN 納芯微 半橋驅動芯片
納芯微全新推出GaN相關產品，包含GaN驅動NSD2621與集成化的Power Stage產品NSG65N15K，均可廣泛適用于快充、儲能、服務器電源等多種GaN應用場景。其中，NSD2621是一顆高壓半橋柵極驅動芯片，專門用于驅動E?mode（增強型）GaN 開關管；NSG65N15K是一顆集成化的Power Stage產品，內部集成了高壓半橋驅動器和兩顆650V耐壓的GaN開關管。NSD2621產品特性： 01. SW引腳耐壓±700V 02. 峰值驅動電流2A/-4A 03.&n
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納芯微 GaN
電源適配器曾在電子產品中占據相當大的空間，而市場對于高功率密度的需求也正日益增高。過去硅(silicon)電源技術的發展與創新曾大幅縮減產品尺寸，但卻難有更進一步的突破。在現今的尺寸規格下，硅材料已無法在所需的頻率下輸出更高的功率。對于未來的5G無線網絡、機器人，以及再生能源至數據中心技術，功率將是關鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質，在電子遷移率遠遠高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來實現更高功率的小尺寸電源。?場景應用圖?產品實體圖?方案方塊圖?核心技術優
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安森美 NCP1342 PD QR 高頻率 GaN
相控陣雷達和有源電子掃描陣列（AESA）已經在航空航天和國防市場中使用和部署了十多年。這一時期主要從模擬波束成形系統開始，并不斷遷移到更高水平的數字波束成形。系統工程目標不斷需要接近元素的數字波束成形實現，以實現的靈活性和可編程性。相控陣雷達和有源電子掃描陣列（AESA）已經在航空航天和國防市場中使用和部署了十多年。這一時期主要從模擬波束成形系統開始，并不斷遷移到更高水平的數字波束成形。系統工程目標不斷需要接近元素的數字波束成形實現，以實現的靈活性和可編程性。遷移到近元素數字波束成形存在許多挑戰。挑戰范圍
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數字波束 RF
電源適配器曾在電子產品中占據相當大的空間，而市場對于高功率密度的需求也正日益增高。過去硅(silicon)電源技術的發展與創新曾大幅縮減產品尺寸，但卻難有更進一步的突破。在現今的尺寸規格下，硅材料已無法在所需的頻率下輸出更高的功率。對于未來的5G無線網絡、機器人，以及再生能源至數據中心技術，功率將是關鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質，在電子遷移率遠遠高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來實現更高功率的小尺寸電源。?場景應用圖?展示板照片?方案方塊圖?核心技術優
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安森美 有源鉗位 NCP1568 GaN PD電源 適配器
現代無線通信的迅猛發展日益朝著增大信息容量，提高信道的頻譜利用率以及提高線性度的方向發展。一方面，人們廣泛采用工作于甲乙類狀態的大功率微波晶體管來提高傳輸功率和利用效率；另一方面，無源器件及有源器件的引入，多載波配置技術的采用等，都將導致輸出信號的互調失真。現代無線通信的迅猛發展日益朝著增大信息容量，提高信道的頻譜利用率以及提高線性度的方向發展。一方面，人們廣泛采用工作于甲乙類狀態的大功率微波晶體管來提高傳輸功率和利用效率；另一方面，無源器件及有源器件的引入，多載波配置技術的采用等，都將導致輸出信號的互調
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RF 放大器
安森美GAN_Fet驅動方案(NCP51820)。 數十年來，硅來料一直統治著電晶體世界。但這個狀況在發現了砷化鎵（GaAs）和砷化鎵、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已經逐漸開始改變。由開發了由兩種或三種材料制成的化合物半導體，它們具有獨特的優勢和優越的特性。但問題在于化合物半導體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優勢。作為解決方案出現的兩個化合物半導體器件是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率電晶體。這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器
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NCP51820 安森美 半導體 電源供應器 GaN MOS Driver
【2022年11月24日，德國慕尼黑訊】USB供電（USB-PD）已成為快速充電以及使用統一Type-C連接器為各種移動和電池供電設備供電的主流標準。在最新發布的USB-PD rev 3.1標準中，擴展功率范圍（EPR）規格可支持寬輸出電壓范圍和高功率傳輸。統一化和大功率容量再加上低系統成本的小外型尺寸已成為推動適配器和充電器市場發展的主要驅動力。為了加速這一趨勢，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新XDP?數字電源XDPS2221。這款用于USB-PD的高度集
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英飛凌 PFC和混合反激式組合IC GaN USB-C EPR適配器
此電源設計最大輸出功率為65W，配備1A1C雙口輸出，單USB-C口輸出65W（20V/3.25A），單USB-A口輸出；雙口同時輸出時，C+A同降為5V方案全系列采用雙面板、最簡化設計理念,尺寸才51X51X31mm！上下兩片1.0mm左右厚銅散熱既滿足EMI又導熱好！通標變壓器設計，21V效率最高達到93%,驅動與MOS均采用美國安森美半導體技術！?場景應用圖?展示板照片?方案方塊圖?C口支持協議?核心技術優勢1.51.5*51.5*31 超小體積 功率密度：1.26cm3/W2. QR架構，COST
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安森美 NCP1342 65W PD GAN 1A1C 超小尺寸PD
問題：什么是射頻衰減器？如何為我的應用選擇合適的RF衰減器？答案：衰減器是一種控制元件，主要功能是降低通過衰減器的信號強度。這種元件一般用于平衡信號鏈中的信號電平、擴展系統的動態范圍、提供阻抗匹配，以及在終端應用設計中實施多種校準技術。?簡介本文延續之前一系列短文，面向非射頻工程師講解射頻技術。ADI將在文中探討IC衰減器，并針對其類型、配置和規格提出一些見解，旨在幫助工程師更快了解各種IC產品，并為終端應用選擇合適的產品。該系列的相關文章包括：“為應用選擇合適的RF放大器指南”、“如何輕松選擇
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RF 射頻衰減器 ADI
據外媒《NBC》報道，近日，晶圓代工廠商格芯（GlobalFoundries）獲得3000萬美元政府基金，在其佛蒙特州EssexJunction工廠研發和生產GaN芯片。該資金是2022年綜合撥款法案的一部分。這些芯片被用于智能手機、射頻無線基礎設施、電動汽車、電網等領域。格芯稱，電動汽車的普及、電網升級改造以及5G、6G智能手機上更快的數據傳輸給下一代半導體帶來需求。格芯總裁兼首席執行官Thomas Caulfield表示，GaN芯片將比前幾代芯片能更好地處理高熱量和電力需求。Caulfield在一份聲
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格芯獲 GaN
EPC9176是一款基于氮化鎵器件的逆變器參考設計，增強了電機驅動系統的性能、續航能力、精度和扭矩，同時簡化設計。該逆變器尺寸極小，可集成到電機外殼中，從而實現最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。 宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出EPC9176。這是一款三相BLDC電機驅動逆變器，采用EPC23102 ePower? 功率級GaN IC，內含柵極驅動器功能和兩個具有5.2 mΩ典型導通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作，可提供高達28 Apk(2
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GaN IC 電機驅動器
現階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會導致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會影響關斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優勢和優越的特性，使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個產品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開關的器
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GaN 氮化鎵 SiC 碳化硅 NCP51561 onsemi
氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場擊穿，達 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應用超出了蜂窩基站和國防雷達范疇，在所有 RF 細分市場中獲得應用。其中許多應用需要很長的使用壽
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Wolfspeed 放大器 GaN
氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業的熱門話題，因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設計得以實現。在許多應用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統的硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實現的性能，使用 GaN 進行設計面臨與硅不同的一系列挑戰。不同類型的 GaN FET 具有不同的器件結構。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
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TI GaN
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