- 我的匯報分三個部分。
首先簡單介紹汽車功率半導體器件的發展趨勢。
功率半導體器件最早都是由晶閘管后來變成GTO到MOSFET，到現在用得比較多的IGBT器件。IGBT器件跟傳統的器件相比，主要是驅動比較簡單，同時損耗比較小，比較適合用于牽引傳動包括電機控制器等。IGBT器件包括原來講的功率半導體器件，都被譽為傳統系統，在高鐵里一樣，把它稱之為“心臟”。它主要起到能量傳輸和能量的點的轉換，是電機控制系統的CPU。
目前電動汽車器件大概占到控制器總成本的30%左右
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IGBT 功率半導體
- 受益于新能源電動汽車、智能電網、軌道交通的快速發展，未來IGBT市場將迎來爆發。
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IGBT
- 傳統工業如何乘著工業4.0的東風，加快智能制造裝備發展、加快構建工業互聯網基礎、加強關鍵共性技術創新也成為現今的熱點問題，這次世強舉辦研討會，旨在幫助工程師了解工業4.0的相關器件產品、前沿技術方案，從而更好的解決其在創新時的問題。
- 關鍵字：
工業4.0 IGBT
- 0引言無刷直流電機(以下簡稱BLDCM)用電子換相器取代機械換向器，根除了電刷和換向器接觸磨損所導致的壽命周期短、電氣絕緣低、火花干擾強
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BLDC 無刷直流電機 IGBT 旋轉變壓
- IGBT芯片的研發成功意味著，按中國標準制造的高鐵上，將安裝具有我國完全自主知識產權的‘中國芯’。
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IGBT 芯片
- 根據湖南省經濟和信息化委員會發布的消息，近日，中車株洲電力機車研究所有限公司(中車株洲所)自主研發的8英寸IGBT產品，成功中標印度機車市場，將用于該國電力貨運重載機車改造升級項目，這是該產品首次出口海外。
絕緣雙極性晶體管(IGBT)是目前技術最先進的電力電子器件，廣泛應用于家用電器、新能源裝備、軌道交通、直流輸電、自動化和智能控制領域，被稱為電力電子行業里的“CPU”。該技術一直由英飛凌、ABB、三菱等國外公司壟斷。中車株洲所在引進吸收的基礎上，建成世界第二條8英寸I
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IGBT
- V1—V4組成橋式逆變器，兩端并聯RCD吸收支路，L為限流電感，Co為儲能電容，Lo用于限制Co對負載氙燈的放電電流，保護氙燈。此處將限流電感L放在變壓器原邊。這除了能實現功率管的零電壓開通外，例如在V1，V4關斷后，由于L的續流作用，D2...
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全橋型 IGBT 脈沖激光 電源電路
- JS為軟啟動控制,避免上電時浪涌電流對整流模塊的沖擊。IGBT變頻電源電路:
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IGBT 變頻電源
- IGBT實在BDMOS型功率場效應管的基礎上發展起來的。在VDMOS結構的漏極側N+層下，增加一個P+層發射極而行程pn，如圖1-31所示，就構成IGBT。
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IGBT 基本結構
- IGBT的靜態特性包括伏安特性、轉移特性和靜態開關特性。IGBT的伏安特性如圖1-33所示，與GTR的伏安特性基本相似，不同的是，控制參數是柵源電壓，而不是基極電流。...
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IGBT 靜態特性
- IGBT的保護措施，主要包括過壓保護和過流保護兩類。使用中，對于IGBT因關斷而產生的開關浪涌電壓，可以采用適當的緩沖回路抑制它，使器件免于損壞。...
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IGBT 電路圖
- 逆變器中的開關元件選用VMOS或IGBT時，組成的充電電路，比用晶閘管作開關元件的充電電路的工作頻率高。
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VMOS IGBT 逆變充電 電路圖
- IGBT芯片技術含量極高，制造難度非常大，其研發、制造、應用是衡量一個國家科技創新和高端制造業水平的重要標志。
- 關鍵字：
IGBT
- 由綜合放大電路板（ZHFD）產生的輸出信號被送入SG3526，產生PWM脈沖，此信號與反饋信號進行邏輯運算后送入HL403B厚膜驅動器，當IGBT產生過流、短路故障時，借助于IGBT內部的短路、欠飽和、軟關斷、降柵壓保護功能，保護信號通過光...
- 關鍵字：
IGBT 驅動 保護電路
- 圖示出電源主電路，V1—V4組成橋式逆變器，兩端并聯RCD吸收支路，L為限流電感，Co為儲能電容，Lo用于限制Co對負載氙燈的放電電流，保護氙燈。圖全橋型IGBT電源主電路圖...
- 關鍵字：
全橋型 IGBT 電源
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