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        rc-igbt 文章 最新資訊

        Mentor Graphics 推出獨特的 MicReD Power Tester 600A 解決方案,用于解決電動和混合動力車 IGBT 熱可靠性問題

        •   Mentor Graphics公司今天宣布推出全新的 MicReD® Power Tester 600A 產品,其在功率循環中能測試電動和混合動力車 (EV/HEV) 的功率半導體器件的可靠性。借助 MicReD Power Tester 600A 產品,EV/HEV 研發和可靠性工程師能測試功率半導體器件(如絕緣柵雙極性晶體管 – IGBT、MOSFET、晶體管以及充電器),以便檢查對完成任務來說至關重要的熱可靠性和生命周期性能。熱可靠性問題可能導致需要召回 EV/HEV 汽車,
        • 關鍵字: Mentor Graphics  IGBT   

        Fairchild推出適用于混合動力電動汽車和純電動汽車應用的分立式IGBT

        •   隨著Fairchild最新汽車創新產品的上市,汽車制造商及其供應商在牽引逆變器  和其他電機驅動的元件方面將擁有更多的選擇  全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild 今天發布了新產品,即適用于混合動力電動汽車(HEV)、充電式混合動力電動汽車(PHEV)和電動汽車(EV)應用的新型分立式IGBT和二極管和裸片,從而擴展了其不斷增加的汽車級半導體解決方案產品組合。 這些IGBT和二極管非常適合牽引逆變器,牽引逆變器是所有HEV、PHEV和EV的核心組件,能夠將電池
        • 關鍵字: Fairchild  IGBT  

        Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC,將高可靠性的SCALE-2驅動器技術引入到1200 V應用中

        •   中等電壓和高壓逆變器應用領域IGBT和MOSFET驅動器技術的領導者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅動器IC,8 A是目前業內不采用外部推動級的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時為IGBT和MOSFET提供驅動,也是首款將Power Integrations首創的FluxLink?磁感雙向通信技術引入1200 V驅動器應用的產品。Flux
        • 關鍵字: Power Integrations  IGBT  

        Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC,將高可靠性的SCALE-2驅動器技術引入到1200 V應用中

        •   中等電壓和高壓逆變器應用領域IGBT和MOSFET驅動器技術的領導者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅動器IC,8 A是目前業內不采用外部推動級的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時為IGBT和MOSFET提供驅動,也是首款將Power Integrations首創的FluxLink?磁感雙向通信技術引入1200 V驅動器應用的產品。Flux
        • 關鍵字: Power Integrations  IGBT  

        解析IGBT的工作原理及作用

        •   本文通過等效電路分析,通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用,并精簡的指出了IGBT的特點。可以說,IGBT是一個非通即斷的開關,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。   IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。  
        • 關鍵字: IGBT  MOSFET  

        IGBT模塊封裝底板的氧化程度對焊接空洞率的影響分析

        • 本文簡介了IGBT模塊的主要封裝工藝流程,并在相同的實驗條件下,對兩組不同氧化程度的模塊分別進行超聲波無損檢測掃描,將掃描圖像載入空洞統計分析軟件,通過對比兩組空洞率數據發現:非氧化底板焊接空洞率較低,氧化底板的焊接空洞率普遍偏大。基于本實驗的結果,本文建議IGBT模塊在封裝之前,應對散熱底板做好防腐處理,以確保底板不被氧化。
        • 關鍵字: IGBT  底板  氧化  空洞率  超聲波檢測  201605  

        RC電路用作芯片復位電路原理

        •   本文主要介紹了利用RC電路作為芯片復位的原理,分為上電復位和按鍵復位。下面一起來看看:  1 電容充電過程  當電容器接通電源以后,在電場力的作用下,與電源正極相接電容器極板的自由電子將經過電源移到與電源負極相接的極板下,正極由于失去負電荷而帶正電,負極由于獲得負電荷而帶負電,正、負極板所帶電荷大小相等,符號相反。電荷定向移動形成電流,由于同性電荷的排斥作用,所以開始電流最大,以后逐漸減小,在電荷移動過程中,電容器極板儲存的電荷不斷增加,電容器兩極板間電壓 Uc等于電源電壓&nbs
        • 關鍵字: RC  芯片  

        工業強基:工信部今年打算怎么干?

        •   工業基礎能力不強,關鍵核心零部件受制于人,工業發展如何補短板?解放日報·上海觀察從國家工信部12日發布的《工業強基2016專項行動實施方案》獲悉,今年工信部將推動重點領域發展,實施“一攬子”突破行動,重點突破40種左右標志性核心基礎零部件(元器件)、關鍵基礎材料、先進基礎工藝。    ?   “工業大而不強”,是我國工業發展的總體現狀。上海機床廠剛剛下線的國內首臺進入汽車主機廠發動機生產線的“MK8220/S
        • 關鍵字: IGBT  中國制造2025  

        三菱電機應用于電動汽車驅動的模塊解決方案

        •   電動汽車的運行條件不同于工業應用條件,對電驅動用逆變器的核心元器件功率模塊不僅要求體積小、重量輕、效率高、冷卻方法簡單等,而且要求更高的可靠性、更長的壽命以及安全無故障運行。  作為全球首家開發汽車級功率模塊的三菱電機從1997年起就將汽車級功率模塊成功地應用于電動汽車中,迄今為止,已具有20年成功開發汽車級功率模塊的豐富經驗。  據介紹,三菱電機最早推出的是客戶定制型的汽車級IGBT模塊和智能功率模塊(IPM),隨后推出了非定制型的J-series汽車級功率模塊T-PM,它是一種采用壓注模封裝的2i
        • 關鍵字: 三菱電機  IGBT  

        IGBT關斷特性的提升

        • ???????IGBT現在存在的一個比較大的問題是關斷特性比較差,這對應用限制比較多。英飛凌是如何解決這樣的問題的?  英飛凌科技(中國)公司工業功率控制事業部中國區總監?于代輝  以前,半導體廠家主要從產品的角度如電子學角度來實現產品的更新換代。最近,英飛凌提出PToS,也就是從產品到系統。英飛凌從系統的角度,通過與用戶更多的溝通,比如UPS,包括太陽能、風能也存在導通電阻、工作溫度的問題。我們從用戶、系統和應用的角度來反觀
        • 關鍵字: 英飛凌  IGBT  

        新型大功率模塊助你在日益火爆的充電樁搶占先機

        •   新能源汽車隨著相關技術的日趨成熟而越來越受歡迎,同時其清潔環保的特點已經越來越受到大眾的喜愛。只是受制于動力系統(電池等)的限制,新能源汽車的續航與動力艙的體積一直為人詬病。由此可見,新能源汽車優勢非常明顯,但弱點也比較突出,因此如何才能充分利用這種新技術,使之不雞肋呢?增加配套基礎設施(像燃料動力車一樣,增加“加油站”即充電樁/充電機)毫無疑問成為推動電動車發展的最強助力。這個配套基礎設施的潛力有多大?可以這么說,有路的地方就有機會!由此,我們可以看到大量的企業信心滿滿地殺入這個市場。  那么問題來
        • 關鍵字: Vincotech  IGBT  

        驅動電路頻率不足導致的IGBT失效分析

        •   在IGBT的使用過程中,存在電路失效的情況,而失效的原因通常多種多樣,其中一種就是當驅動電路工作頻率相對IGBT開關頻率不足時,導致的IGBT失效問題。只有對IGBT失效原因進行正確全面的分析,才能找出問題的根源順利解決。幫助大家理解這種失效原因背后的原理。  通常來說,限制輸出頻率的因素是響應速度和耗散功率。但是相比之下很多驅動產品的規定輸出頻率上限卻顯得小了很多。這是為什么呢?原因之一,是驅動器經過一次輸出翻轉后并不能馬上恢復穩態。如果在驅動器進入穩態前再次輸出翻轉,則會引發一些可靠性問題。  比
        • 關鍵字: 驅動電路  IGBT  

        電源的六大酷領域及動向

        • 節能環保離不開高能效、高密度的功率器件、模塊,以及各種高精度、低能耗的控制和模擬芯片等。在此,本文選取了六大熱門領域:電力電子器件、汽車電源、USB Type-C供受電、無線充電、能量收集、數據中心電源,邀請部分領軍企業介紹了技術市場動向及新產品。
        • 關鍵字: SiC  IGBT  汽車  電池  USB Type-C  無線充電  能量收集  數據中心  201604  

        瑞薩電子推出第8代IGBT,以行業領先的超低損耗特性,提升系統功率

        •   瑞薩第8代IGBT:G8H系列2016年3月10日,日本東京訊——全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社(TSE:6723),于今日宣布推出第八代G8H系列絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的六款新產品,其可將用于太陽能發電系統的功率調節器中的轉換損耗降至最低,并減少不間斷電源(UPS)系統中的逆變器應用。推出的六種新產品額定功率分別為650 V /40 A、50 A、75 A、1250 V / 25 A、4
        • 關鍵字: 瑞薩  IGBT  

        淺析IGBT的檢測方法

        •   IGBT有三個電極,分別稱為柵極G(也叫控制極或門極)、集電極C(亦稱漏極)及發射極E(也稱源極)  一、用指針式萬用表對場效應管進行判別  (1)用測電阻法判別結型場效應管的電極  根據場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現象,可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法:將萬用表撥在R×1k檔上,任選兩個電極,分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等,且為幾千歐姆時,則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結型場效應管而言,漏極和源極可互換,剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表
        • 關鍵字: IGBT  
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