隨著純電動汽車（BEV）和插電式混合動力電動汽車（PHEV）銷量的快速增長，電動汽車市場的發展在不斷加速。預計到?2030?年，電動汽車的生產比例將實現兩位數增長，從2024年的20%增長至45%左右[1]。為滿足對高壓汽車IGBT芯片日益增長的需求，全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出新一代產品，包括為400 V和800 V系統設計的?EDT3（第三代電力傳動系統）芯片，以及為?800 V?系統量身定制的RC-IGBT&nbs
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英飛凌 IGBT RC-IGBT
關鍵要點BM6337xS系列 配備了可監控LVIC（Low Side Gate Driver）溫度的熱關斷電路，當LVIC的 T j 達到規定溫度以上時，熱關斷電路將啟動，會關斷下橋臂各相的IGBT，并輸出FO信號。在TSD已啟動的情況下，由于IGBT的 T j 已超過150°C的絕對最大額定值，因此需要更換IPM。該功能監控的 T j 為LVIC芯片的 T j ，無法跟上IG
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羅姆半導體 IGBT IPM 熱關斷保護
這是一個用于測試 2.5 kW 功率因數校正 (PFC) 電路的平臺。它旨在評估使用 4 腳封裝的優勢。 例如提高效率和信號質量，并展示了包括 PFC 控制器、MOSFET 驅動器和碳化硅二極管在內的完整 Infineon 解決方案。 文件中提供了關于如何使用該評估板、CoolMOS? C7 MOSFET 的性能表現以及四腳封裝的優勢的信息，目標讀者是經驗豐富的電源電子工程師和技術人員。 ? 評估板的目的與組成 ? 此評估板旨在評估TO-247 4針 CoolMOS
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英飛凌 ICE3PCS01G IGBT 空調電源
在消費電子市場高速發展的當下，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）已成為現代家電設備中不可或缺的核心器件。憑借其優異的開關特性、低導通損耗及出色的熱管理能力，IGBT技術正持續推動家電產品能效升級。安世半導體推出的650 V G3 IGBT平臺產品，通過性能優化與可靠性提升，為家電設備的高效化、節能化發展提供了關鍵解決方案。本文將聚焦家電設備的三大核心應用場景——電機拖動、PFC（功率因數校正）電路及感應加熱，深入解析安世半導體650 V G3 IGBT平臺的技術優勢及其在家電領域的實際應用價值。1. 電機拖動1
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安世半導體 IGBT
大家好，我是蝸牛兄，今天給大家分享的是：IGBT（絕緣柵雙極型晶體管)在實際應用中最流行和最常見的電子元器件是雙極結型晶體管 BJT 和 MOS管。IGBT實物圖+電路符號圖你可以把 IGBT 看作 BJT 和 MOS 管的融合體，IGBT具有 BJT 的輸入特性和 MOS 管的輸出特性。與 BJT 或 MOS管相比，絕緣柵雙極型晶體管 IGBT 的優勢在于它提供了比標準雙極型晶體管更大的功率增益，以及更高的工作電壓和更低的 MOS 管輸入損耗。一、什么是IGBT？IGBT 是絕緣柵雙
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IGBT 功率半導體
英飛凌在此發布TRENCHSTOP? IGBT7 EconoDUAL? 3系列產品拓展，帶焊接針和帶預涂導熱材料版本(TIM)。產品型號：■ FF900R12ME7■ FF600R12ME7■ FF450R12ME7■ FF900R12ME7W■ FF750R17ME7DP_B11產品特點■ TRENCHSTOP? IGBT7■ 最高功率密度■ Tvj op=175°C過載■ 集成NTC溫度傳感器■ 絕緣基板應用價值■ 相同尺寸下輸出電流更大■ 避免并聯I
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英飛凌 IGBT
關鍵要點?FO引腳為錯誤輸出功能引腳，用于向外部通知內置保護功能的啟動情況，并會為自我保護而關斷下橋臂各相的IGBT。?FO輸出功能的信號輸出時間因已啟動的保護功能類型而異，因此可以判別已啟動了哪種保護功能。這是本機型產品所具備的功能。?FO引腳的輸入功能，通過在FO引腳上連接RC并調整時間常數，可以擴展下橋臂各相IGBT的關斷時間。?當FO輸出經由隔離器件輸入至MCU時，在輸出時間隔離器件的傳輸延遲時間比FO輸出的L電平最短時間要長時，需要根據延遲情況來擴展FO輸出時間時，可使用該功能。本文將介紹“保護
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羅姆半導體 IGBT
IGBT是一種功率開關晶體管，結合了MOSFET和BJT的優點，用于電源和電機控制電路。絕緣柵雙極型晶體管（簡稱IGBT）是傳統雙極結型晶體管（BJT）和場效應晶體管（MOSFET）的交叉產物，使其成為理想的半導體開關器件。IGBT晶體管結合了這兩種常見晶體管的最佳部分，即MOSFET的高輸入阻抗和高開關速度以及雙極晶體管的低飽和電壓，并將它們結合在一起，產生另一種類型的晶體管開關器件，能夠處理大的集電極-發射極電流，而幾乎不需要門極電流驅動。典型絕緣柵雙極型晶體管?典型IGBT絕緣柵雙極型晶體
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絕緣柵雙極型晶體管，IGBT
上回書(英飛凌芯片簡史 http://www.104case.com/article/202502/467026.htm)說到，IGBT自面世以來，歷經數代技術更迭，標志性的技術包括平面柵+NPT結構的IGBT2，溝槽柵+場截止結構的IGBT3和IGBT4，表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等。現今，英飛凌IGBT芯片的“當家掌門”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽（micro pattern trench）技術，溝道密度更高，元胞間距也經過精心設計，并且優化了寄生電容參數，從而實現極低的導通壓降和優
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IGBT 電力電子
話說公元2018年，IGBT江湖驚現第六代和第七代的掌門人，一時風頭無兩，各路吃瓜群眾紛紛猜測二位英雄的出身來歷。不禁有好事者梳理了一下英家這些年，獨領風騷的數代當家掌門人，分別是：呃，好像分不清這都誰是誰?呃，雖然這些IGBT“掌門人”表面看起來都一樣，但都是悶騷型的。只能脫了衣服，做個“芯”臟手術。。。像這樣，在芯片上，橫著切一刀看看。好像，有點不一樣了。。。故事，就從這兒說起吧。。。史前時代-PTPT是最初代的IGBT，它使用重摻雜的P+襯底作為起始層，在此之上依次生長N+ buffer，N- ba
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IGBT 芯片
鐵路與其他客運工具相比，能源效率高，據說其每單位運輸量的CO?排放量約為一般載客車輛的1/7。特別是在長距離運輸中，其差距更大，高速鐵路網對運輸基礎設施的節能有很大的推動作用。一直以來，高速鐵路網在發達國家運輸基礎設施中承擔著重要的作用，而近年來在新興發展中國家也出現了鋪設高鐵的動向。日本已經實現高速鐵路網的實用化，擁有該項技術的國家則集聚官民各方力量，加強對正在探討鋪設的國家的推銷攻勢。在高鐵市場競爭過程中，除了高速性、安靜性、安全性之外，能否通過削減CO?實現碳中和等環境性能也成為需要納入視野的關鍵點
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碳中和 逆變器 IGBT
安森美（onsemi）在2024年先后推出兩款超強功率半導體模塊新貴，IGBT模塊系列——SPM31 IPM，QDual 3。值得注意的是，背后都提到采用了最新的FS7技術，主要性能拉滿，形成業內獨特的領先優勢。解密FS7“附體”的超能力眾所周知，IGBT是一種廣泛應用于電力電子領域的半導體器件，結合了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和雙極結型晶體管（BJT）的優點，具有高輸入阻抗和低導通電壓降的特點。而安森美的Field Stop技術則是IGBT的一種改進技術，通過在器件的漂移區引入一個場截
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功率半導體 onsemi IGBT
通過RC和RL電路的品質因子（Q因子）以及這些電路的串并聯轉換，了解L形阻抗匹配方程在本系列的前一篇文章中，我們學習了如何使用史密斯圓圖設計無源阻抗匹配網絡。除了使用這種圖形方法，還可以遵循分析方法并使用一些方程來獲得所需的匹配網絡。首先，在深入阻抗匹配方程之前，我們需要了解兩個基本概念：RC和RL電路的品質因子以及這些電路的串并聯轉換。RC和RL電路的品質因子定義用Q表示的術語品質因子可以用多種方式定義。當談論儲能裝置（即電容器或電感器）時，Q表示我們的儲能裝置有多接近理想。例如，理想的電容器不會耗散任
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串聯，并聯，RC，RL，L形匹配網絡
意法半導體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關柵極驅動器集成了意法半導體最新的穩健的電隔離技術、優化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構。STGAP3S 在柵極驅動通道與低壓控制和接口電路之間采用增強型電容隔離，瞬態隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態抗擾度 (CMTI)達到 200V/ns。通過采用這種的先進的電隔離技術，STGAP3S提高了空調、工廠自動化、家電等工業電機驅動裝置的可靠性。新驅動器還適合電源和能源應用，包括充電站、儲能系統、功率因數校正 (PFC)、
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意法半導體 電隔離柵極驅動器 IGBT SiC MOSFET
為滿足電力電子系統對更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增長的需求，功率元件正在不斷發展。為了向系統設計人員提供廣泛的電源解決方案，Microchip Technology（微芯科技公司）今日宣布推出采用不同封裝、支持多種拓撲結構以及電流和電壓范圍的IGBT 7器件組合。這一新產品組合具有更高的功率容量、更低的功率損耗和緊湊的器件尺寸，旨在滿足可持續發展、電動汽車和數據中心等高增長細分市場的需求。高性能IGBT 7器件是太陽能逆變器、氫能生態系統、商用車和農用車以及更多電動飛機（MEA）中電源應用的關鍵構件
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Microchip IGBT 7 功率器件
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