當IGBT在開關時普遍會遇到的一個問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺。米勒效應在單電源門極驅動的應用中影響是很明顯的。基于門極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關斷期間會產生一個很高的瞬態dv/dt，這樣會引發門極VGE間電壓升高而導通，這是一個潛在的風險(如圖1)。
圖1：下管IGBT因為寄生米勒電容而引起導通 寄生米勒電容引起的導通 在半橋拓撲中，當上管IGBT(S1)正在導通， 產生變化的電壓dV/dt加在下管IGBT(S1)C-E間。電流流經S
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米勒電容 IGBT
英飛凌科技股份公司進一步壯大1200 V單管IGBT產品組合陣容，推出最高電流達75 A的新產品系列。TO-247PLUS封裝同時還集成全額定電流反并聯二極管。全新TO-247PLUS 3腳和4腳封裝可滿足對更高功率密度和更高效率不斷增長的需求。需要高功率密度1200VIGBT的典型應用包括變頻器、光伏逆變器和不間斷電源(UPS)。其他應用包括電池充電和儲能系統。 相比常規TO-247-3封裝而言，全新TO-247PLUS封裝可實現雙倍額定電流。由于去除了標準TO-24
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英飛凌 IGBT
英飛凌科技股份公司推出全新封裝技術TRENCHSTOP??Advanced?Isolation。TRENCHSTOP??Advanced?Isolation可用于TRENCHSTOP和TRENCHSTOP?Highspeed?3?IGBT，確保一流的散熱性能并簡化制造流程。兩個版本均經過性能優化，可取代全塑封封裝(FullPAK)及標準和高性能絕緣箔。該新封裝適用于諸多應用，如空調功率因數校正(PFC)、不間斷電源(UPS)和變頻器
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英飛凌 IGBT
2017年開年以來有這樣一些事件進入我們的視線:①2月,IGBT等電力電子功率器件被列入《戰略性新興產業重點產品和服務指導目錄》。②3月14日,捷捷微電上市,主營晶閘管等功率半導體器件的研發生產和銷售。③5月,國家科技重大專項(02專項)實施管理辦公室驗收中環股份“區熔硅單晶片產業化技術與國產設備研制”項目。④5月17日,國電南瑞公布非公開發行預案,募集配套中16.4億元用于IGBT模塊產業化項目。
一直以來,IGBT技術被國外半導體廠商壟斷,截至2015年我國IGBT市
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IGBT 新能源汽車
本文介紹了風電變流器核心組成部分的單體變流器在機柜結構設計中空間狹小、工作環境惡劣等特點，本文進行了結構設計分析。主要內容包括：單體變流器的組成布局、功率器件維護、結構受力，以及可維護性等。
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風電變流器 IGBT 退火處理
IGBT驅動電路的作用： IGBT驅動電路的作用主要是將單片機脈沖輸出的功率進行放大，以達到驅動IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩定、安全工作的前提，驅動電路起到至關重要的作用。 IGBT的工作特性： IGBT的等效電路及符合如圖1所示,IGBT由柵極正負電壓來控制。當加上正柵極電壓時,管子導通;當加上負柵極電壓時,管子關斷。 ?
? IGBT具有和雙極型電力晶體管類似的伏安特性,隨著控制電壓UGE的增加,特性曲線上移。開關電源中的IGBT通過UGE電平
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IGBT 功率器件
本文設計一種驅動供電電源，并通過實際測試證明其可用性。常見的驅動電源采用反激電路和單原邊多副邊的變壓器進行設計。
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IGBT 逆變器 汽車
本文重點研究了基于IGBT模塊的電能質量類治理設備的能耗狀況及節能路徑。首先，對典型拓撲結構的SVG、APF、MEC在額定輸出工況下的損耗特性進行了分析，確定了主要耗能部分;隨后，分析了 IGBT模塊能耗機理及降耗可行性路徑;最后，總結出現階段國內基于IGBT模塊的電能質量類治理設備降低自身工作能耗的重點改進方向。
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電能質量 能耗 節能 IGBT APF SVG 201706
中高壓逆變器應用領域IGBT和MOSFET驅動器技術的領導者今天推出SCALE-iDriver?系列電磁隔離的單通道門極驅動IC的擴展產品。新器件支持耐壓為1700 V以內的IGBT，通常適用于400 VAC至690 VAC的應用。它們也適用于最新的三電平拓撲光伏逆變器，以及采用1500 V新直流母線標準的光伏陣列。擴展后的1700 V SCALE-iDriver產品系列允許OEM廠商在各類解決方案中使用相同的高度集成、安全可靠的驅動器方案。
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Power Integrations IGBT
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上
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IGBT
半導體分立器件IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)潛在市場巨大，在工業控制、汽車電子、新能源、智能電網應用市場廣闊，而中國IC制造芯片廠也正積極尋求突破口，以成熟的工藝制程落地在地生產，提升國產IGBT芯片模塊的自給率。
IGBT應用領域廣泛，堪稱現代功率變流裝置的“心臟”和高端產業的“核芯”。從傳統的電力、機械、礦冶，到軌道交通、航空航天、新能源裝備以及特種裝備等戰略性新興產業，都有它的身影。
不過當前全球IGBT市場，仍被日、歐、美等IDM
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IGBT 芯片
為了應對補貼下降帶來的影響，市場對光伏組件和光伏逆變器的成本降低的需求將加強。目前來看，1500V等更高電壓的光伏組件將在成本降低方面將會很大程度上彌補支付補貼的下降。因此，隨著市場的期待，諸如1500V等更高電壓的光伏組件將會加快進入到市場的步伐。另外，光伏發電的效率和可靠性等要求也將相應提高，以提高光伏電站的產出，并降低光伏電站和光伏逆變器的維護成本。因此，新技術在光伏電站和光伏逆變器中的應用需求將不斷加強，并且將促進光伏發電行業的良性競爭和健康發展。
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三菱電機 光伏逆變器 IGBT
英飛凌科技股份公司進一步壯大其62 mm 封裝IGBT模塊陣容。新推出的功率模塊可滿足提高功率密度而不增加封裝尺寸這一與日俱增的需求，這應歸功于將更大面積的芯片和經改良的DCB襯底應用于成熟的62 mm封裝而得以實現。1200 V阻斷電壓模塊的典型應用包括：變頻器、太陽能逆變器和不間斷電源(UPS)，1700 V阻斷電壓模塊則適用于中壓變頻器。 1200 V阻斷電壓的62 mm模塊的額定電流最高達到600A，1700 V
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英飛凌 IGBT
Alpha?and?Omega?Semiconductor?(AOS)為集設計、開發與銷售為一體的功率半導體供應商,AOS提供廣泛的功率半導體產品線，包括完整的功率MOSFET和電源管理IC(Power?IC)產品系列。其在器件物理，工藝技術，電路設計及封裝設計上擁有豐富的經驗。通過將這些經驗整合用于產品性能以及成本控制的優化，AOS在競爭中顯示出自身的特色。AOS的產品線設計的目標是滿足日益增長的高產量，高效能產品的應用需求，包括手提電腦、平板電視、
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e星球 IGBT
1月14日-15日，2017中國電動汽車百人會論壇在釣魚臺國賓館舉行，騰訊汽車作為戰略合作媒體將進行全程直播。會上，英飛凌科技(中國)有限公司大中華區副總裁徐輝進行了主題演講。
以下為發言實錄：
大家早上好!首先非常開心今天能再次來到百人會的論壇，能分享英飛凌對整個行業發展的看法和觀點。
今天在吳主任的領導下，演講嘉賓分工比較明確，今天我想談一談半導體如何支持整個汽車行業創新。正好中車的丁總也把功率半導體IGBT這方面講了，我更多從我們的角度出發，功能安全和信息安全正好分開了，不用重
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英飛凌 IGBT
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