- ICinsights認為，全球內存下半年價格上漲動能可能減緩，包含DRAM與NAND閃存均是如此。
盡管漲勢減緩，但DRAM與NAND今年營收預料仍將創新高記錄，這完全都是拜先前平均售價快速上漲之賜。 以DRAM為例，DRAM平均售價今年預估年漲幅高達63%，此為1993年有記錄以來之最。
內存價格從去年第三季起漲，ICinsights預期動能可能持續至2017年第三季，第四季可能微幅轉負，為這波正向循環劃下休止符。
ICinsights指出，隨著價格走揚，內存制造商也再次增加資本投
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DRAM NAND
- 韓國半導體產業發展風生水起。世界上最大的內存芯片供應商三星電子公司宣布，其在韓國平澤的新建半導體生產線已經開始量產。NAND閃存技術開發商SK海力士公司已經加入了一個同盟，將投標收購日本東芝的內存部門。今天，我們邀請到了韓國真好經濟研究院的李仁喆(音譯：???)先生，與他共同聊一聊韓國半導體產業的未來。首先，我們了解一下7月4日三星電子公司在平澤投產的半導體工廠的意義。
根據IT市場研究公司的數據，第一季度三星電子公司在NAND閃存市場上的份額為35.4%。 這個數字具有絕對優勢，但平澤半導體廠
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半導體 NAND
- 這個時間點我們討論NorFlash行業趨勢與全年景氣度，一方面是Nor廠商二季度業績即將公布，而相關公司一季度業績沒有充分反映行業變化;另一方面是相關標的與行業基本面也出現了變化(如Switch超預期大賣以及兆易創新收到證監會反饋意見等)，同時我們調高AMOLED與TDDINor的需求拉動預期，詳細測算供需缺口，以求對未來趨勢定性、定量研究;
汽車電子與工控拉動行業趨勢反轉TDDI+AMOLED新需求錦上添花
1、汽車與工控拉動2016趨勢反轉
從各方面驗證，2016年是NOR的拐點
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DRAM NAND
- 據韓聯社報道，三星電子平澤工廠全球最大規模半導體生產線近日正式投產。三星電子將在該工廠生產第四代64位V-NAND，月產能可達20萬片，并計劃持續擴充生產設備，解決近年來全球半導體市場上供不應求的局面。
據了解，位于韓國京畿道平澤市的三星電子平澤工廠于2015年5月動工建設，日均投入1.2萬名施工人員，耗時兩年多建成全球最大的單一產品生產線。
三星宣布，至2021年為止，要對位于平澤市的NAND型快閃存儲器廠房投入14.4萬億韓圜(約合125.4億美元)，并對華城市新建的半導體生產線投入6
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三星 V-NAND
- 東芝日前發布了全球首個基于QLC(四比特單元) BiCS架構的3D NAND閃存芯片，64層堆疊封裝，單顆容量可以做到768Gb(32GB)，可以帶來容量更大、成本更低的SSD產品。 不過隨著NAND閃存技術的發展，壽命和耐用性一直是個讓人憂慮的問題。 芯片 NAND閃存目前已經發展出了四種形態：SLC單比特單元，性能最好，壽命最長，但成本也最高;MLC雙比特單元，性能、壽命、成本比較均衡，目前主要用于高端和企業級產品;TLC三比特單元，成本低，容量大，但壽命越來越短;QLC
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東芝 QLC
- SLC(單比特)、MLC(雙比特)、TLC(三比特)之后，NAND閃存的第四種形態QLC終于正式出爐了。東芝今天發布了全球第一個采用每單元4比特位設計的QLC閃存，廉價的超大容量SSD將不再是夢。
從TLC到QLC，雖然只是在同樣的電子單元內增加了一個比特位，但技術挑戰十分之大，因為需要雙倍的精度才能確保足夠高的穩定性、壽命和性能，不過一旦克服各種技術障礙，隨著容量的大幅增加，單位成本也會繼續迅速下降。
東芝的這種新型BiCS閃存依然采用3D立體封裝，堆疊多達64層，每個Die的容量已經做
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東芝 QLC
- 全球第 2 大 NAND 型快閃存儲器廠東芝(Toshiba)28 日宣布，攜手 SanDisk 研發出全球首款采用堆疊 96 層制程技術的 3D NAND Flash 產品，且已完成試樣。該款產品為 256Gb(32GB)、采用 3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技術的產品，預計于 2017 年下半送樣、2018 年開始進行量產，主要用來搶攻數據中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智能手機、平板電腦和存儲卡等市場。
東芝今后也計劃推出采用堆疊 96 層制程技術的
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東芝 NAND
- 64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎，預計將在未來18個月內成為市場主流...
Western Digital(WD)內存技術執行副總裁Siva Sivaram日前指出，64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎。
在最近接受《EE Times》的訪問中，Siva Sivaram將64層3D NAND定義為一種「開創性技術」(seminal technology)，可望應用于WD逾50種產品線。 他預計今年WD約有一半的產品線都將采用3D
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NAND 堆棧
- 三星電子 15 日宣布，最新 64 層 256GB V-NAND 閃存已進入量產，與此同時，三星還將擴展包含服務器、PC 與行動裝置的儲存解決方案。
64 層 V-NAND 閃存用稱為第四代 V-NAND 芯片，南韓 ITtimes.com 報導指出，三星為穩固領先優勢，打算于年底把第四代芯片占每月生產比重拉高至五成以上。
其實，三星今年 1 月已先為某關鍵客戶，打造第一顆內含 64 層 V-NAND 芯片的固態硬盤(SSD)，自此之后，三星持續朝行動與消費型儲存市場開發新應用，務求與 I
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三星 NAND
- 鴻海董事長郭臺銘昨(12)日證實，將籌組美、日、臺夢幻團隊，共同競標東芝半導體。 對日本出現擔心鴻海「中國因素」的評論，郭董炮火全開，左打美系私募基金，右批日本經濟產業省高層，并強調，鴻海如果順利得標，海外市場將優先考慮在美設內存芯片廠。
東芝半導體競標案進入倒數計時，預計本周公布結果。 競標者之一鴻海動作不斷，郭臺銘接連接受日經新聞、路透社專訪。 郭董強調，如果鴻海順利標下東芝半導體事業，希望未來能在海外建立內存工廠，地點將優先考慮美國。
郭臺銘補充，因為美國國內市場需求在當地還沒達到，
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東芝 NAND
- NAND閃存的內部架構:NAND閃存可以分為三種不同架構，即：單層單元SLC 多層單元MLC多位單元MBC。其中，MBC以NROM技術為基礎的NAND閃存架構，由英飛凌與Saifun合作開發，但該項架構技術并不成熟。采SLC架構是在每個Cell中存儲1個bit的信息，以達到其穩定、讀寫速度快等特點，Cell可擦寫次數為10萬次左右。作為SLC架構，其也有很大的缺點，就是面積容量相對比較小，并且由于技術限制，基本上很難再向前發展了。
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MLC 閃存 NAND 英特爾
- 公司內部派系斗爭問題，又因外部的2008年金融海嘯與2011年福島核災影響日本經濟及東芝業績，造成派系斗爭惡化，及為自保而偽造業績歪風興起，等到2015年事件爆發，發現該廠從2008會計年度(2008/4~2009/3)便有業績灌水的問題，事件逐一發不可收拾。
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東芝 NAND
- NAND Flash控制芯片與模塊廠群聯董事長潘健成日前估計，接下來將面臨史上最缺貨的第3季，而該公司也積極備戰，近日捧著5000多萬美元現金，大舉吃下某大廠釋出的貨源，為下半年建立更多庫存。
群聯在去年初NAND Flash市況尚未大熱時，建立的庫存水位一度超過三億美元，后來市場景氣于去年第3季開始往上，價格走升，也讓該公司因此大賺。
潘健成提到，今年大概只有5月有機會多收貨，所以該公司在前兩個禮拜以現金買了大約5000多萬美元的額外貨源，預計可供第3季使用。
群聯在今年4月時，手
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NAND
- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，第一季整體NAND Flash市況延續第四季持續受到缺貨影響，即使第一季度為傳統NAND Flash淡季，渠道顆粒合約價卻仍上揚約20-25%。在智能終端設備如智能手機與平板電腦內的行動式存儲價格也呈現雙漲的狀況下，2017年將是NAND Flash成果豐碩的一年。
DRAMeXchange資深研究經理陳玠瑋表示，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，進而轉進垂直堆棧制程(3D/Vertical-NAND)
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NAND SK海力士
- 全球領先的信息技術研究和顧問公司Gartner的研究顯示，2016年全球半導體收入總計3,435億美元，較2015年的3,349億美元提升2.6%。在企業并購潮的影響下，前二十五大半導體廠商總收入增加10.5%，表現遠優于整體產業增長率。 Gartner研究總監James Hines表示：“2016年半導體產業出現回彈。雖然其年初因受到庫存調整的影響而表現疲軟，但下半年需求增強，定價環境得到改善。助力全球半導體收入增長的因素包括多項電子設備部門產量的增加、NAND閃存售價的上揚及相對溫和的
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半導體 NAND
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