- 相較于2.5寸SATA，M.2的SSD有著非常明顯的體積優勢，如果總線走PCIe，速度上更是完爆。
在舊金山的閃存峰會上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達1Tb，用于消費級產品。
三星表示，今后的2TB 3D閃存SSD產品將使用上這一新品，即一整顆芯片封裝16Tb Die，繼續減小體積。
如此精巧之后，連傳統M.2 2242(NGFF)的電路板型都用不到了，三星據此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 標準。
其
- 關鍵字：
三星 V-NAND
- 日刊工業新聞7日報導 ，為了提高3D架構的NAND型閃存(Flash Memory)產能、以因應三星電子等競爭對手加快擴產腳步，東芝(Toshiba)將進一步祭出增產投資，計劃在日本巖手縣北上市興建新工廠，該座新廠預計于2018年度動工、 2021年度啟用，總投資額將達1兆日圓的規模。 東芝目前已在四日市工廠廠區內興建3D NAND專用廠房「第6廠房」。
該座3D NAND新工廠興建計劃由東芝半導體事業子公司「東芝內存(Toshiba Memory Corporation、以下簡稱TMC)」負責
- 關鍵字：
東芝 NAND
- RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM?SRAM?DRAM(下面藍色字體的這幾種)都可以統稱RAM，random?access?memory(隨機存取存儲器)的縮寫，下面是51hei.com為大家整理的目前所有的存儲器的區別。 SRAM：靜態隨機存儲器，就是它不需要刷新電路，不像動態隨機存儲器那樣，每隔一段時間就要刷新一次數據。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內存，一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來做C
- 關鍵字：
DRAM NAND
- 根據韓國英文媒體 《The Korea Times》 的報導，三星副總裁權五鉉 (Kwon Oh-hyun) 日前就像韓國政府喊話，要韓國政府給予半導體產業更多的支持，以解決人才荒的問題。
報導中指出，目前是三星副總裁，也是領導三星顯示器部門的權五鉉，日前在一項公開演講中指出，韓國的半導體產業自認為有其競爭的實力。 不過，卻面臨當當前半導體人才不足的問題。 權五鉉進一步指出，半導體產業是第 4 次工業革命的重要基礎，因此希望韓國政府能藉由科技培訓的管道，持續為半導體與設備產業供應需要的人才。
- 關鍵字：
三星 NAND
- 受NAND Flash供貨緊張影響，以及數據中心、企業、移動設備等領域SSD強勁需求，2017年上半年NAND Flash價格持續走高。根據ZDC統計，NAND Flash價格累計漲幅達26%，消費類每GB銷售價格突破了0.3美金。
?
2017年上半年，中國市場智能手機、平板電腦等移動設備需求出現下滑，再加上NAND Flash的價格持續走高，高價壓力下的SSD市場呈現一片低迷景象。但隨著6月份需求旺季的到來，固態硬盤的關注度有所回升。
?
- 關鍵字：
固態硬盤 NAND
- IC Insights的報告顯示，DRAM及NAND Flash售價已經連續四個季度上漲。
不過因為原廠紛紛提出擴產計劃，IC Insights稍早憂心忡忡認為，未來幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數據、武漢新芯、長江存儲，都大舉提高3D NAND Flash產能，大陸還有新建廠商也會加入戰場，3D NAND Flash產能供過于求的可能性相當高。
近期SK海力士宣布今年資本支出追加至86.1億美元，進行3D NAND Flash和DRAM兩大內存
- 關鍵字：
DRAM NAND
- 韓國三星電子有限公司本周二表示，計劃在韓國投資至少21.4萬億韓元(約合186.3億美元)，以鞏固其在內存芯片和下一代智能手機領域的領先地位。
作為世界最大的記憶芯片生產商，三星將在2021年前對位于平澤市的NAND閃存工廠投入14.4萬億韓元。此外，位于華城市的半導體生產線也將拿到6萬億韓元的投資。剩下的1萬億韓元，將分配給三星位于韓國的OLED屏幕工廠。同時，三星還計劃為西安的NAND閃存生產基地添置一條新的生產線。
近年來，三星、東芝和SK海力士已投入了數百億美元來推動NAND閃存的
- 關鍵字：
NAND 三星
- ICinsights認為，全球內存下半年價格上漲動能可能減緩，包含DRAM與NAND閃存均是如此。
盡管漲勢減緩，但DRAM與NAND今年營收預料仍將創新高記錄，這完全都是拜先前平均售價快速上漲之賜。 以DRAM為例，DRAM平均售價今年預估年漲幅高達63%，此為1993年有記錄以來之最。
內存價格從去年第三季起漲，ICinsights預期動能可能持續至2017年第三季，第四季可能微幅轉負，為這波正向循環劃下休止符。
ICinsights指出，隨著價格走揚，內存制造商也再次增加資本投
- 關鍵字：
DRAM NAND
- 韓國半導體產業發展風生水起。世界上最大的內存芯片供應商三星電子公司宣布，其在韓國平澤的新建半導體生產線已經開始量產。NAND閃存技術開發商SK海力士公司已經加入了一個同盟，將投標收購日本東芝的內存部門。今天，我們邀請到了韓國真好經濟研究院的李仁喆(音譯：???)先生，與他共同聊一聊韓國半導體產業的未來。首先，我們了解一下7月4日三星電子公司在平澤投產的半導體工廠的意義。
根據IT市場研究公司的數據，第一季度三星電子公司在NAND閃存市場上的份額為35.4%。 這個數字具有絕對優勢，但平澤半導體廠
- 關鍵字：
半導體 NAND
- 這個時間點我們討論NorFlash行業趨勢與全年景氣度，一方面是Nor廠商二季度業績即將公布，而相關公司一季度業績沒有充分反映行業變化;另一方面是相關標的與行業基本面也出現了變化(如Switch超預期大賣以及兆易創新收到證監會反饋意見等)，同時我們調高AMOLED與TDDINor的需求拉動預期，詳細測算供需缺口，以求對未來趨勢定性、定量研究;
汽車電子與工控拉動行業趨勢反轉TDDI+AMOLED新需求錦上添花
1、汽車與工控拉動2016趨勢反轉
從各方面驗證，2016年是NOR的拐點
- 關鍵字：
DRAM NAND
- 據韓聯社報道，三星電子平澤工廠全球最大規模半導體生產線近日正式投產。三星電子將在該工廠生產第四代64位V-NAND，月產能可達20萬片，并計劃持續擴充生產設備，解決近年來全球半導體市場上供不應求的局面。
據了解，位于韓國京畿道平澤市的三星電子平澤工廠于2015年5月動工建設，日均投入1.2萬名施工人員，耗時兩年多建成全球最大的單一產品生產線。
三星宣布，至2021年為止，要對位于平澤市的NAND型快閃存儲器廠房投入14.4萬億韓圜(約合125.4億美元)，并對華城市新建的半導體生產線投入6
- 關鍵字：
三星 V-NAND
- 東芝日前發布了全球首個基于QLC(四比特單元) BiCS架構的3D NAND閃存芯片，64層堆疊封裝，單顆容量可以做到768Gb(32GB)，可以帶來容量更大、成本更低的SSD產品。 不過隨著NAND閃存技術的發展，壽命和耐用性一直是個讓人憂慮的問題。 芯片 NAND閃存目前已經發展出了四種形態：SLC單比特單元，性能最好，壽命最長，但成本也最高;MLC雙比特單元，性能、壽命、成本比較均衡，目前主要用于高端和企業級產品;TLC三比特單元，成本低，容量大，但壽命越來越短;QLC
- 關鍵字：
東芝 QLC
- SLC(單比特)、MLC(雙比特)、TLC(三比特)之后，NAND閃存的第四種形態QLC終于正式出爐了。東芝今天發布了全球第一個采用每單元4比特位設計的QLC閃存，廉價的超大容量SSD將不再是夢。
從TLC到QLC，雖然只是在同樣的電子單元內增加了一個比特位，但技術挑戰十分之大，因為需要雙倍的精度才能確保足夠高的穩定性、壽命和性能，不過一旦克服各種技術障礙，隨著容量的大幅增加，單位成本也會繼續迅速下降。
東芝的這種新型BiCS閃存依然采用3D立體封裝，堆疊多達64層，每個Die的容量已經做
- 關鍵字：
東芝 QLC
- 全球第 2 大 NAND 型快閃存儲器廠東芝(Toshiba)28 日宣布，攜手 SanDisk 研發出全球首款采用堆疊 96 層制程技術的 3D NAND Flash 產品，且已完成試樣。該款產品為 256Gb(32GB)、采用 3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技術的產品，預計于 2017 年下半送樣、2018 年開始進行量產，主要用來搶攻數據中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智能手機、平板電腦和存儲卡等市場。
東芝今后也計劃推出采用堆疊 96 層制程技術的
- 關鍵字：
東芝 NAND
- 64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎，預計將在未來18個月內成為市場主流...
Western Digital(WD)內存技術執行副總裁Siva Sivaram日前指出，64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎。
在最近接受《EE Times》的訪問中，Siva Sivaram將64層3D NAND定義為一種「開創性技術」(seminal technology)，可望應用于WD逾50種產品線。 他預計今年WD約有一半的產品線都將采用3D
- 關鍵字：
NAND 堆棧
qlc nand介紹
您好，目前還沒有人創建詞條qlc nand!
歡迎您創建該詞條，闡述對qlc nand的理解，并與今后在此搜索qlc nand的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
