- NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數公司壟斷，中國公司在此領域毫無話語權，甚至連收購、合作外資公司都沒可能，想獲得突破還得靠國產公司自立。紫光公司主導的長江存儲科技在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態3D閃存晶圓廠的安裝設備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產，預計2020年會在技術趕超國際領先的閃存公司。
長江存儲科技前身是武漢新芯公司，該公司去年聯合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地，
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NAND 東芝
- 市調機構集邦科技預期，今年儲存型快閃存儲器(NAND Flash)整年都將維持供應吃緊的情況，NAND Flash廠商業績可望逐季攀高。
集邦科技調查，隨著NAND Flash缺貨達到高峰，產品平均售價走揚，加上終端出貨暢旺，去年第4季NANDFlash產值達120.45億美元，季增達17.8%，各NANDFlash廠獲利也攀上去年高峰。
集邦科技指出，三星去年第4季市占率37.1%，穩居全球NAND Flash龍頭地位;東芝市占率18.3%，居第2大廠;西部數據市占率17.7%，居第3大
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三星 NAND
- “首屆IC咖啡國際智慧科技產業峰會”于2017年1月14日在上海召開，長江存儲集團公司CEO楊士寧介紹了對存儲器市場的看法，及選擇3D NAND閃存作為主打產品的戰略思考。
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存儲器 3D NAND DRAM 20170203
- 據海外媒體報道，去年下半年以來NANDFlash市場供不應求，主要關鍵在于上游原廠全力調撥2DNANDFlash產能轉進3DNAND，但3DNAND生產良率不如預期，2DNAND供給量又因產能排擠縮小，NANDFlash市場出現貨源不足問題，價格也因此明顯上漲。
不過，隨著3DNAND加速量產，下半年產能若順利開出，將成為NANDFlash市場最大變數。
2DNANDFlash制程持續往1y/1z納米進行微縮，如三星及SK海力士去年已轉進14納米，東芝及西部數據(WD)進入15納米，美光導
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NAND 存儲器
- 非揮發性電阻式內存(ReRAM)開發商CrossbarInc.利用非導電的銀離子-非晶硅(a-Si)為基板材料，并透過電場轉換機制，開發出號稱比NAND閃存更快千倍速度的ReRAM組件，同時就像先前在2016年所承諾地如期實現量產。
根據Crossbar策略營銷與業務發展副總裁SylvainDubois表示，專為嵌入式非揮發性內存(eNVM)應用而打造的CrossbarReRAM提供了更高性能，密度比DRAM更高40倍，耐久度與寫入速度更高1，000倍，單芯片尺寸約200mm2左右，即可實現高達
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NAND ReRAM
- 據海外媒體報道，傳三星電子于2017～2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，業界人士預估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元)，以迎接存儲器市場史上最大需求熱潮。
Chosun Biz日前引述業界消息指出，三星與大陸政府正針對西安廠第二期投資進行商議，2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關合作備忘錄。三星于2012年開始在西安廠的第一期投資與現在的第二期投資，皆用于打造3D NAND Flash生產所需設備及人力費用。
三星目前只使用西安廠腹地約34萬坪中的2
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三星 3D NAND
- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查顯示，東芝公司為提升半導體業務競爭力，已正式宣布將在今年三月三十一日前將完成分拆內存業務。預期分拆出來的新公司將有更多經營彈性及更佳的籌資能力，長期而言對東芝/西數(Western Digital)電子陣營在NAND Flash產能提升、產品開發均有所幫助。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示，東芝公司這一做法，一方面為的是應付日漸沉重的產業競爭環境，另一方面是為緩解經營壓力，并滿足籌措營運資金的需求。從產業結構來看，DRAMeX
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東芝 NAND
- 據報道，東芝(Toshiba)慘虧，將分拆旗下賺錢的半導體部門，成立新公司，賣股籌錢。由于東芝是全球NAND Flash二哥，各方都興趣濃厚。據傳韓國存儲器大廠SK海力士(SK Hynix)有意投資，借此強化NAND Flash布局。
韓媒BusinessKorea 24日報導，業界專家表示，SK海力士可能會投資東芝獨立出來的存儲器公司，取得決定NAND Flash表現的控制器技術。東芝在NAND市場表現出色，去年第三季市占率為19.8%，僅次于龍頭三星電子(36.6%)。SK海力士落后，市占排
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SK海力士 NAND
- 從2016年下半年開始，包括CPU、內存、屏幕、CMOS Sensor在內的眾多電子元器件都進入了缺貨周期，這樣就給終端制造商帶來了成本壓力，最終這個壓力就轉移到了消費者身上，引起蝴蝶效應。
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DRAM NAND
- 隨著全球對于手機、電腦、汽車等消費性產品需求持續增強，NAND FLASH始終處于供不應求的情況，特別是印度、印尼及越南等新興智慧手機市場，當地消費者智慧手機持有率大增，進而使得NAND FLASH需求大幅攀升。因此，預計2017年NAND FLASH全年供貨仍將持續吃緊，特別是在第2、3季最為嚴重。
群聯董事長潘建成表示，預計NAND FLASH今年將持續缺貨，特別是在第2、第3季最為明顯，原因在于手機、電腦、汽車等終端消費性產品需求仍舊強勁。因應此一情況，有些記憶體業者將部分產能轉去做3D
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SSD NAND
- 根據 SEMI (國際半導體產業協會) 的最新研究數據表示，當前中國正掀起興建晶圓廠的熱潮，預估 2017 年時，中國興建晶圓廠的支出金額將超過 40 億美元，占全球晶圓廠支出總金額的 70%。而來到2018年，中國建造晶圓廠相關支出更將成長至 100 億美元，而其中又將以晶圓代工占其總支出的一半以上。
SEMI 中國臺灣地區產業研究資深經理曾瑞榆指出，2017 年全球半導體產產值可望達到 7.2% 的年成長率。其中，存儲為其中成長的關鍵。而未來 5 年之內，全球半導體產業仍將持續成長，到了 2
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晶圓 NAND
- 賽普拉斯半導體公司旗下子公司，高速、高容量和免電池非易失性存儲器解決方案領先提供商AgigA Tech公司今日宣布，正式發布其符合JEDEC標準的AGIGARAM? DDR4 NVDIMM-N系列解決方案。該解決方案與AgigA業界領先的在JEDEC 標準發布之前就已量產的傳統DDR4 NVDIMM產品一起，為最新公布的NVDIMM-N解決方案JEDEC標準(JESD248和JESD245A)提供了一系列完整的交鑰匙式模塊產品和控制器解決方案。 Ag
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賽普拉斯 NAND
- 在上海一場以“匠心獨運，卓越創芯”為主題的IC技術峰會上，長江存儲CEO楊士寧先生參會并發表了題為《發展存儲產業的戰略思考》的演講。在演講中，他對為什么選擇發展存儲、為什么選擇3D NAND Flash作為突破口、還有3D NAND Flash將面臨什么樣的挑戰等問題，作了深刻的分析。
為什么中國要發展存儲產業
在詳細介紹為什么中國要發展存儲產業之前，楊士寧首先對存儲產業的整體狀況作了一個分析。根據他的說法，在全球的半導體存儲產品中，NAND 和
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存儲器 NAND
- 在2015、2016連續兩年下跌后，DRAM和NAND Flash存儲器平均銷售價格(ASP)正穩健走揚，研究機構IC Insights認為，此將有助推升2017年存儲器市場銷售規模，預估整體產值可達853億美元新高紀錄，較2016年成長10%;2020年更可望首度攀至千億美元大關。
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DRAM NAND
- 或許是巧合!12月30日，長江存儲的國家存儲器基地與華力二期12英寸生產線這兩個持續受到業界關注的重大項目，同日舉行了開工啟動儀式。
長江存儲是國內最大的存儲器項目之一，瞄準3D NAND技術，建成后將扭轉我國存儲器有市場無產品的窘境;華力微電子12英寸生產線建設項目則是“909工程”的二次升級改造，將建設邏輯芯片的代工生產線，建成后將使我國擁有從0.5微米到14納米各工藝節點的生產平臺，追趕國際先進水平。
隨著《國家集成電路產業發展推進綱要》的推進，中國IC業
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集成電路 NAND
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