- 隨著數據中心支持的人工智能（AI）和機器學習（ML）工作負載越來越多，市場需要具備更寬存儲帶寬和更高單機架存儲密度的云級別基礎設施。因此，市場的趨勢是按照如M.2和全球網絡存儲工業協會（SINA）新推出的企業和數據中心固態硬盤外形尺寸（EDSFF） E1.S等行業標準，采用體積更小、且支持第四代PCIeò的非易失性存儲器高速（NVMe?）固態硬盤。這些固態硬盤要求控制器具備體積小和低功耗的特點，能驅動NAND閃存發揮最大潛力，同時保持這種企業級NVMe固態硬盤所需的豐富功能集和可靠性。Microchip
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QLC TLC AI ML SINA IOPS
- 據國外媒體報道，研究機構預計，銷售額在去年大幅下滑的NAND閃存，在今年將大幅增長，同比增長率將達到27.2%，銷售額將達到560.07億美元。從研究機構的預計來看，在集成電路的33個產品類別中，NAND閃存今年銷售額的同比增長率，將是最高的，是增長最明顯的一類。就預期的銷售金額而言，NAND閃存依舊會是集成電路中的第二大細分市場，僅次于DRAM，后者的銷售額預計為645.55億美元，較NAND閃存高85.48億美元。在研究機構的預計中，在全球集成電路市場，NAND閃存今年的銷售額將占到15.2%，僅次于
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NAND 閃存
- 近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統。該系統具有獨特的檢測能力，能夠檢測出常規光學或其他電子束檢測平臺無法捕獲的缺陷，從而加速了高性能邏輯和存儲芯片的上市時間（包括那些依賴于極端紫外線（EUV）光刻技術的芯片）。eSL10的研發是始于最基本的構架，針對研發生產存在多年的問題而開發出了多項突破性技術，可提供高分辨率，高速檢測功能，這是市場上任何其他電子束系統都難以比擬的。KLA電子束部門總經理Amir Azordegan 表示：“利用單一的高能量電子
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DRAM NAND
- 根據TrendForce內存儲存研究(DRAMeXchange)調查，盡管消費性產品及智能型手機受到疫情沖擊導致需求下降，但云端服務、遠距教學的需求也同步催生，加上部份客戶因擔憂供應鏈中斷而提前備貨，促使NAND Flash市場在2020年第一季與第二季呈現缺貨。整體而言，目前需求以SSD占最大宗，與手機、消費性較相關的eMMC、UFS及wafer市場較為冷卻。根據TrendForce分析師葉茂盛指出，當前為NAND Flash第三季議價的關鍵時刻，初步觀察因新款游戲機的年底上市計劃不變，首次轉進SSD的
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NAND Flash
- 4年前的2016年，國家在武漢建設了國家存儲器基地項目一期，不僅量產了64層閃存，今年初還研發成功128層QLC閃存。昨天國家存儲器基地項目二期也在武漢東湖高新區未來科技城正式啟動，整個項目投資高達240億美元，約合1697億元。在開工儀式上，紫光集團、長江存儲董事長趙偉國介紹了項目有關情況。他表示，國家存儲器基地項目一期開工建設以來，從一片荒蕪之地變成了一座世界領先的存儲器芯片工廠，實現了技術水平從跟跑到并跑的跨越。趙偉國表示，國家存儲器基地項目于2016年12月30日開工，計劃分兩期建設3D NAND
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國產 128層 QLC 閃存
- 據國外媒體報道，三星電子日前表示，計劃投資8萬億韓元（約合人民幣466億元）在韓國平澤工業園區建NAND閃存生產線。三星電子生產線建設上月已經開始，預計2021年下半年開始生產三星最先進的V-NAND產品。三星電子表示，此次投資旨在應對隨著人工智能、物聯網等第四次工業革命，以及5G普及而來的NAND需求。上月，三星電子還透露，已在平澤投資建設生產線，新產線專注于基于極紫外光刻（EUV）技術的5nm、及以下制程。新產線已開始建設，預計明年下半年開始量產5nm芯片。三星電子表示，加上平澤生產線，韓國將擁有7條
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三星 NAND 閃存
- 根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，2020年第一季NAND Flash（閃存）位元出貨量較前一季大致持平，加上平均銷售單價上漲，帶動整體產業營收季成長8.3%，達136億美元。延續去年第四季開始的數據中心強勁采購力道，第一季Enterprise
SSD仍是供不應求。此外，自年初起，各供應商當時的庫存水位多已恢復至正常，也帶動主要產品合約價呈現上漲。隨后在農歷春節期間爆發新冠肺炎疫情，根據集邦咨詢當時的調查，服務器供應鏈的恢復狀況優于筆記本電腦及智能手機，也因此對于數據中心需求
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NAND 三星 intel
- 根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，2020年第一季NAND Flash（閃存）位元出貨量較前一季大致持平，加上平均銷售單價上漲，帶動整體產業營收季成長8.3%，達136億美元。
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集邦咨詢 數據中心 NAND Flash
- 新聞要點●? ?全新的性能型和經濟型 SSD 的靈活選擇滿足了從輕薄筆記本到高性能工作站客戶端PC系統的存儲需求；●? ?M.2 外形規格的美光 2300 SSD 采用美光創新的 96 層 3D NAND 技術，具備行業領先的 2TB 容量[1]；●? ?美光 2210 SSD 兼具SSD 的性能和性價比；與機械硬盤相比，采用了美光 QLC 架構的 2210 SSD的功耗降低了 15 倍之多。內存和存儲解決方案領先供應商 Micron Techn
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QLC SSD
- 處理器龍頭英特爾(Intel)近期在快閃存儲器的發展上也隨著其他各家廠商的腳步，開始有了新的進度。根據外媒報導，英特爾的快閃存儲器部門最近公布了發展藍圖，在目前其他各家NAND快閃存儲器供應商都已經開始向1xx層堆疊的發展當下，作為主要NAND制造商之一的英特爾也預計在2021年全面轉向144層堆疊的產品發展。
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英特爾 144層 NAND
- 電子醫療設備、電競游戲機、NB筆記本電腦、電視機頂盒、云端服務器服務等因為新冠肺炎 (COVID-19) 所產生的醫護或宅經濟需求上升，不僅刺激了閃存儲存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩健的成長動能，更讓NAND Flash產業成為這波疫情的少數成長亮點之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產業新人長江存儲 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設計生產后，也為市場添增了一股活力。
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群聯 控制芯片 長江存儲3D NAND
- 在QLC閃存的商用上，Intel和曾經的親密戰友美光（英睿達）步子最靠前，660p、P1系列都在渠道開賣了很長一段時間。日前，Intel非易失性存儲解決方案負責人Rob Crooke透露，Intel的QLC SSD出貨量超1000萬。她同時公布，基于144層3D QLC閃存（內部命名為Arbordale Plus技術，家族第四代閃存）的SSD（代號Keystone Harbor）會在今年底出貨，Intel準備在2021年內將整個SSD產品線都遷移到144層閃存芯片上。不僅如此，Intel確認，容量密度更高
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Intel SSD QLC
- 電子醫療設備、電競游戲機、NB筆記本電腦、電視機頂盒、云端服務器服務等因為新冠肺炎 (COVID-19) 所產生的醫護或宅經濟需求上升，不僅刺激了閃存儲存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩健的成長動能，更讓NAND Flash產業成為這波疫情的少數成長亮點之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產業新人長江存儲 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設計生產后，也為市場添增了一股活力。
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群聯 3D NAND 長江存儲
- 上周中國的長江存儲公司宣布攻克128層3D閃存技術,QLC類型容量做到了1.33Tb容量,創造了三個世界第一。國產閃存突飛猛進,三星等公司也沒閑著,三星正在開發160堆棧的3D閃存。對3D閃存來說,堆棧層數越多,容量就越大,存儲密度就越高,這是3D閃存的核心競爭力,2020年全球將大規模量產100+層的3D閃存。不過每家的技術方案不同,東芝、西數的BiCS 5代3D閃存是112層的,美光、SK海力士有128層的,Intel的是144層,而且是浮柵極技術的,三星去年推出的第六代V-NAND閃存做到了136層
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128 QLC
- 新聞要點●? ?美光率先在業界推出面向數據中心的四層單元 (QLC) NAND 技術；●? ?基于 QLC 技術的美光5210 SATA SSD 正在引領數據中心從 HDD 過渡到 QLC SSD，憑借其全新容量和創新的工作負載洞察，滿足通用服務器和存儲的需求；●? ??強勁的客戶需求和 OEM 廠商驗證，推動美光 QLC SSD 進入市場。內存和存儲解決方案領先供應商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司
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QLC OEM
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