qlc nand 文章 最新資訊

Intel全球首發144層QLC SSD！最大30.72TB、壽命媲美TLC

• 今天舉辦的2020內存存儲日活動上，Intel一口氣發布了六款全新的內存、存儲新產品，首先來看面向數據中心市場的SSD D7-P5510、SSD D5-P5316，同時全球首發144層堆疊的QLC NAND閃存，都支持PCIe 4.0。Intel雖然已經將NAND閃存業務和工廠賣給SK海力士，但是交易并未完成，Intel既有路線圖也會繼續執行，同時交易也不涉及傲騰技術和產品，Intel會持續推進。2016年，Intel推出了第一代32層堆疊TLC閃存，次年翻番到64層并進化為TLC顆粒，存儲密度提高了13
• 關鍵字： QLC  SSD  Intel  

TDK推出使用3D NAND閃存的高可靠性SSD

•  ·    SSD使用了支持串行ATA的TDK自有控制器 GBDriver GS2·    配置了3D NAND（TLC或pSLC）閃存·    新一代產品包括5個系列共計6個尺寸TDK株式會社（TSE:6762）將于2020年12月推出新一代閃存產品，該產品擁有5個系列，并針對工業、醫療、智能電網、交通和安全等應用進行了優化。5個系列全部采用了支持串行ATA的TDK自有NAND閃存控制IC“GBDrive
• 關鍵字： TDK  3D NAND  閃存  SSD  

美光推出 176 層 3D NAND

IT之家了解到，美光表示其 176 層 3D NAND 已開始批量生產，并已在某些英睿達的消費級 SSD 產品中出貨。

• 11 月 10 日消息 全球頂級半導體峰會之一的 Flash Memory 峰會將于 2020 年 11 月 10 日在美國加州圣克拉拉會議中心舉行。而在 11 月 9 日晚，美光宣告了自己最新的第五代 3D NAND 閃存技術，該技術具有 176 層存儲單元堆疊。新的 176 層閃存是美光與英特爾分手以來所研發的第二代產品，上一代 3D NAND 則是 128 層設計，算是美光的過渡節點。而目前在三星的存儲技術大幅度領先之下，美光 128 層 3D NAND 并沒有特
• 關鍵字： 美光  3D NAND  

SK海力士90億美元接盤英特爾NAND業務，存儲芯片格局或生變

• 半導體并購再起。2020年以來，半導體的重磅收購不斷。英偉達擬收購ARM，AMD洽談收購賽靈思，半導體領域接連出現重大變數，金額屢創新高。今天新的主角又登場了 —— SK海力士與英特爾。SK海力士于20日發布公示官宣將以90億美元收購英特爾NAND閃存業務。本次收購范圍包括英特爾的固態硬盤 (SSD) 業務、NAND閃存和晶元業務，以及位于大連專門制造3D NAND Flash的Fab68廠房。不過，英特爾將保留傲騰 (Optane) 的存儲業務。這是韓國公司有史以來最大規模的海外收購交易，超過三星在20
• 關鍵字： SK海力士  英特爾  NAND  存儲芯片  

QLC SSD不好？只是價格還不夠理想而已！

• 說到QLC SSD，就不得不提三星 860 QVO SSD。作為最早搭載QLC閃存顆粒的消費級SATA SSD，三星 860 QVO SSD剛發布的時候就因為其性能表現欠佳，而引發了不少用戶和媒體人的討論：QLC（4bit MLC）到底有沒有實際意義？它是不是大號U盤？等等。雖然剛開始大家都視QLC SSD為洪水猛獸，紛紛對三星 860 QVO SSD持保留態度，但是隨著其售價不斷的下探，主打的大容量和讀寫性能的強勁，還是有不少玩家無法逃脫“真香定律”選擇入手，相比一開始消費者的遲疑反應而言，無論
• 關鍵字： QLC  SSD  

群聯發布最高容量的QLC閃存硬盤：15.36TB、掀翻HDD

• HDD硬盤的出貨量不斷下滑，現在大容量方面也要遇到SSD的挑戰了——群聯今天宣布推出S12DC主控方案，搭配QLC閃存可以做到15.36TB容量，是QLC中最高記錄。群聯的S12DC方案不追求極致性能，基于此的SRE250硬盤使用的是SATA 6Gbpos接口，2.5寸、7mm厚度常規標準，容量可以做到1.92/3.84/7.68及最高的15.36TB。性能方面，連續讀取為530MB/s，連續寫入為220MB/s，4K隨機讀取90K IOPS，4K隨機寫入10K IOPS，功耗4.5W。這個QLC硬盤的性
• 關鍵字： QLC  閃存硬盤  

長江存儲128層QLC閃存首次公開亮相

• Q3季度閃存價格又要跌10%，今年6大原廠將會把重點轉向128層堆棧的3D閃存生產上來。國產的長江存儲也趕上來了，4月份推出了128層QLC閃存，在中國電子信息博覽會首次亮相。長江存儲這次展示了64層、128層堆棧的閃存，其中64層TLC閃存是國內首個自研量產的64層閃存，基于Xtacking堆疊架構，單位面積的存儲密度是同類產品中最大的。目前長江存儲的量產主力就是64層TLC閃存，已經隨光威、國科微、金泰克、七彩虹等廠商的SSD硬盤上市。長江存儲展示的另一個重點是128層QLC閃存，這是今年4月13日才
• 關鍵字： 長江存儲  128  QLC  閃存  

第八屆中國電子信息博覽前瞻！這些亮點不容錯過！

• 寂半年之后，無論是業內人士還是廣大消費者，都渴望換換環境、出去走走，在深圳會展中心看一場科技盛宴再適合不過。8K智慧屏、5G芯片、機器人、新能源汽車，還有會跳舞的機器人，這些來自世界各地的炫酷黑科技和創新成果都將出現在CITE2020。相比以往，CITE2020不僅更側重世界科技創新合作，也更聚焦于時代風口下的“科技”之爭，注重科技與生活的結合。對于即將到來的CITE2020，面對那些不勝枚舉的震撼現場，你準備好了嗎？搭建電子信息全產業鏈展示、交流平臺！作為中國電子信息產業的窗口和引領產業發展風向標,第八
• 關鍵字： CITE2020  CMO  QLC  

Microchip推出全新8通道Flashtec PCIe 第四代企業級NVMe?固態硬盤控制器

• 隨著數據中心支持的人工智能（AI）和機器學習（ML）工作負載越來越多，市場需要具備更寬存儲帶寬和更高單機架存儲密度的云級別基礎設施。因此，市場的趨勢是按照如M.2和全球網絡存儲工業協會（SINA）新推出的企業和數據中心固態硬盤外形尺寸（EDSFF） E1.S等行業標準，采用體積更小、且支持第四代PCIeò的非易失性存儲器高速（NVMe?）固態硬盤。這些固態硬盤要求控制器具備體積小和低功耗的特點，能驅動NAND閃存發揮最大潛力，同時保持這種企業級NVMe固態硬盤所需的豐富功能集和可靠性。Microchip
• 關鍵字： QLC  TLC  AI  ML  SINA  IOPS  

研究機構預計全球NAND閃存銷售額今年增至560億美元 同比大增27%

• 據國外媒體報道，研究機構預計，銷售額在去年大幅下滑的NAND閃存，在今年將大幅增長，同比增長率將達到27.2%，銷售額將達到560.07億美元。從研究機構的預計來看，在集成電路的33個產品類別中，NAND閃存今年銷售額的同比增長率，將是最高的，是增長最明顯的一類。就預期的銷售金額而言，NAND閃存依舊會是集成電路中的第二大細分市場，僅次于DRAM，后者的銷售額預計為645.55億美元，較NAND閃存高85.48億美元。在研究機構的預計中，在全球集成電路市場，NAND閃存今年的銷售額將占到15.2%，僅次于
• 關鍵字： NAND  閃存  

KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測系統

• 近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統。該系統具有獨特的檢測能力，能夠檢測出常規光學或其他電子束檢測平臺無法捕獲的缺陷，從而加速了高性能邏輯和存儲芯片的上市時間（包括那些依賴于極端紫外線（EUV）光刻技術的芯片）。eSL10的研發是始于最基本的構架，針對研發生產存在多年的問題而開發出了多項突破性技術，可提供高分辨率，高速檢測功能，這是市場上任何其他電子束系統都難以比擬的。KLA電子束部門總經理Amir Azordegan 表示：“利用單一的高能量電子
• 關鍵字： DRAM  NAND  

游戲新機上市填補云端需求空缺 三季度NAND Flash價格波動有限

• 根據TrendForce內存儲存研究(DRAMeXchange)調查，盡管消費性產品及智能型手機受到疫情沖擊導致需求下降，但云端服務、遠距教學的需求也同步催生，加上部份客戶因擔憂供應鏈中斷而提前備貨，促使NAND Flash市場在2020年第一季與第二季呈現缺貨。整體而言，目前需求以SSD占最大宗，與手機、消費性較相關的eMMC、UFS及wafer市場較為冷卻。根據TrendForce分析師葉茂盛指出，當前為NAND Flash第三季議價的關鍵時刻，初步觀察因新款游戲機的年底上市計劃不變，首次轉進SSD的
• 關鍵字： NAND Flash  

國產128層QLC閃存問世 武漢基地二期開工

• 4年前的2016年，國家在武漢建設了國家存儲器基地項目一期，不僅量產了64層閃存，今年初還研發成功128層QLC閃存。昨天國家存儲器基地項目二期也在武漢東湖高新區未來科技城正式啟動，整個項目投資高達240億美元，約合1697億元。在開工儀式上，紫光集團、長江存儲董事長趙偉國介紹了項目有關情況。他表示，國家存儲器基地項目一期開工建設以來，從一片荒蕪之地變成了一座世界領先的存儲器芯片工廠，實現了技術水平從跟跑到并跑的跨越。趙偉國表示，國家存儲器基地項目于2016年12月30日開工，計劃分兩期建設3D NAND
• 關鍵字： 國產  128層  QLC  閃存  

三星電子擬投資8萬億韓元在平澤建NAND閃存生產線

• 據國外媒體報道，三星電子日前表示，計劃投資8萬億韓元（約合人民幣466億元）在韓國平澤工業園區建NAND閃存生產線。三星電子生產線建設上月已經開始，預計2021年下半年開始生產三星最先進的V-NAND產品。三星電子表示，此次投資旨在應對隨著人工智能、物聯網等第四次工業革命，以及5G普及而來的NAND需求。上月，三星電子還透露，已在平澤投資建設生產線，新產線專注于基于極紫外光刻（EUV）技術的5nm、及以下制程。新產線已開始建設，預計明年下半年開始量產5nm芯片。三星電子表示，加上平澤生產線，韓國將擁有7條
• 關鍵字： 三星  NAND  閃存  

集邦咨詢：數據中心需求大增，NAND Flash營收成長8.3%

• 根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，2020年第一季NAND Flash（閃存）位元出貨量較前一季大致持平，加上平均銷售單價上漲，帶動整體產業營收季成長8.3%，達136億美元。延續去年第四季開始的數據中心強勁采購力道，第一季Enterprise SSD仍是供不應求。此外，自年初起，各供應商當時的庫存水位多已恢復至正常，也帶動主要產品合約價呈現上漲。隨后在農歷春節期間爆發新冠肺炎疫情，根據集邦咨詢當時的調查，服務器供應鏈的恢復狀況優于筆記本電腦及智能手機，也因此對于數據中心需求
• 關鍵字： NAND  三星  intel