國產128層QLC閃存問世 武漢基地二期開工

4年前的2016年，國家在武漢建設了國家存儲器基地項目一期，不僅量產了64層閃存，今年初還研發(fā)成功128層QLC閃存。昨天國家存儲器基地項目二期也在武漢東湖高新區(qū)未來科技城正式啟動，整個項目投資高達240億美元，約合1697億元。

在開工儀式上，紫光集團、長江存儲董事長趙偉國介紹了項目有關情況。他表示，國家存儲器基地項目一期開工建設以來，從一片荒蕪之地變成了一座世界領先的存儲器芯片工廠，實現(xiàn)了技術水平從跟跑到并跑的跨越。

趙偉國表示，國家存儲器基地項目于2016年12月30日開工，計劃分兩期建設3D NAND閃存芯片工廠，總投資240億美元。其中一期主要實現(xiàn)技術突破，并建成10萬片/月產能，二期規(guī)劃產能20萬片/月，兩期項目達產后月產能共計30萬片。

今年4月13日，長江存儲重磅宣布，其128層QLC 3D閃存（X2-6070）研制成功，并已在多家主控廠商SSD等終端產品上通過驗證。

按照長存的說法，這款產品的獨特之處在于，它是業(yè)內首款128層QLC規(guī)格3D NAND，且擁有已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。

目前長江存儲正在不斷提升產能，今年底的目標將達到10萬片晶圓/月的產能，這也是整個國家存儲器基地一期工程的目標。