qlc nand 文章進(jìn)入qlc nand技術(shù)社區(qū)

西部數(shù)據(jù)推出96層3D NAND UFS 2.1嵌入式閃存盤，定位高端智能手機(jī)

? ? ? ? 西部數(shù)據(jù)公司（NASDAQ：WDC）今天推出96層3D NAND UFS2.1嵌入式閃存盤（EFD）-西部數(shù)據(jù)iNAND? MC EU321，旨在加速實(shí)現(xiàn)人工智能（AI）、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）、支持多個(gè)攝像頭的高分辨率攝影、4K視頻采集以及其他面向高端手機(jī)及計(jì)算設(shè)備的高要求應(yīng)用。 <西部數(shù)據(jù)iNAND? MC EU321嵌入式閃存盤> ? ? ? ?新款西部數(shù)據(jù)iNAND? MC EU321嵌入式閃存盤
關(guān)鍵字： NAND 閃存盤

SK加碼投資NAND新廠，總金額上看178億美元

　　根據(jù)《韓聯(lián)社》報(bào)導(dǎo)，這所新的M15新產(chǎn)線位于清州，SK海力士從2016年12月宣布興建，并且于2017年4月動(dòng)工，并已在今日完工啟用，新廠將加強(qiáng)韓國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)中的競(jìng)爭(zhēng)力。SK計(jì)劃持續(xù)擴(kuò)大這條產(chǎn)線，不過詳細(xì)內(nèi)容將會(huì)視市場(chǎng)狀況來決定。該廠將會(huì)在2019年第1季開始生產(chǎn)96層NANDFlash快閃存儲(chǔ)器，將會(huì)有月產(chǎn)20萬片的程度，類似于位于首爾以南80公里的利川M14生產(chǎn)線。　　SK海力士會(huì)長(zhǎng)崔泰源宣示，身為國家的關(guān)鍵企業(yè)，SK海力士將會(huì)持續(xù)維持在市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。韓國大統(tǒng)領(lǐng)文在寅也出席了啟用儀式，并在致詞表示
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3D NAND時(shí)代已至！Xtacking技術(shù)點(diǎn)燃存儲(chǔ)國產(chǎn)化希望

隨著NAND Flash工藝逐漸從2D向3D過渡，技術(shù)和產(chǎn)能齊升的態(tài)勢(shì)下，長(zhǎng)江存儲(chǔ)以Xtacking技術(shù)切入3D NAND市場(chǎng)，為國產(chǎn)存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展點(diǎn)燃了希望。
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不怕虧錢，未來十年長(zhǎng)江存儲(chǔ)持續(xù)增加研發(fā)投入

　　對(duì)于一個(gè)多月前在美國圣克拉拉召開的全球閃存峰會(huì)上發(fā)布的突破性技術(shù)Xtacking，長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事長(zhǎng)高啟全接受中國證券報(bào)記者專訪表示，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。未來十年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將持續(xù)增加研發(fā)投入。　　制程的兩大難點(diǎn)　　中國證券報(bào)：3D NAND制造工藝的難點(diǎn)在哪些地方?　　高啟全：3D NAND的困難點(diǎn)在于一層層疊上去的時(shí)候需要打洞把每一層連接起來，層數(shù)越多需要打的洞就越多，每一個(gè)單位都要打洞，數(shù)量可達(dá)幾百萬個(gè)。必須保證做到垂直地
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慧榮科技將于2018中國閃存峰會(huì)上展出最新存儲(chǔ)主控芯片解決方案

　　全球NAND閃存主控芯片設(shè)計(jì)與營銷領(lǐng)導(dǎo)品牌慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation, NASDAQ: SIMO)，將于9月19日在深圳舉辦的 “2018中國閃存市場(chǎng)峰會(huì)(China Flash Market Summit)〞展示全系列最新主控芯片解決方案來滿足全方位巿場(chǎng)需求，其包括專為數(shù)據(jù)中心、超高速Client SSD及適用于BGA SSD的PCIe SSD主控芯片為全方位存儲(chǔ)市場(chǎng)帶來最完整的解決方案，此外支持高速移動(dòng)存儲(chǔ)方案，慧榮將展示UFS 2.1主控
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NAND閃存大科普

　　在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念。　　在使用期的性能恒定。　　固態(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多，特別是隨機(jī)數(shù)據(jù)，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實(shí)際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺(tái)管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對(duì)于在內(nèi)部存儲(chǔ)器或硬件加速器方面資源較少的廉價(jià)控制器，可能會(huì)表現(xiàn)差勁，不是導(dǎo)致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降。　　隨著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
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NAND閃存大科普

　　在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念。　　在使用期的性能恒定。　　固態(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多，特別是隨機(jī)數(shù)據(jù)，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實(shí)際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺(tái)管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對(duì)于在內(nèi)部存儲(chǔ)器或硬件加速器方面資源較少的廉價(jià)控制器，可能會(huì)表現(xiàn)差勁，不是導(dǎo)致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降。　　隨著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
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晶圓廠、DRAM和3D NAND投資驅(qū)動(dòng)，中國晶圓代工產(chǎn)能將于2020年達(dá)到全球20%份額

　　近日國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)SEMI公布了最新的中國集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)報(bào)告，報(bào)告顯示，中國前端晶圓廠產(chǎn)能今年將增長(zhǎng)至全球半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能的16%，到2020年，這一份額將增加到20%。受跨國公司和國內(nèi)公司存儲(chǔ)和代工項(xiàng)目的推動(dòng)，中國將在2020年的晶圓廠投資將以超過200億美元的支出，超越世界其他地區(qū)，占據(jù)首位。　　2014年中國成立大基金以來，促進(jìn)了中國集成電路供應(yīng)鏈的迅速增長(zhǎng)，目前已成為全球半導(dǎo)體進(jìn)口最大的國家市場(chǎng)。SEMI指出，目前中國正在進(jìn)行或計(jì)劃開展25個(gè)新的晶圓廠建設(shè)項(xiàng)目，代工廠、DRAM和3D
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中國產(chǎn)能逐漸開出內(nèi)存價(jià)格2019將下滑

　　內(nèi)存價(jià)格從2016年起一路上揚(yáng)，但自2018下半年起，由于各廠商產(chǎn)能陸續(xù)開出，因此資策會(huì)MIC預(yù)測(cè)內(nèi)存價(jià)格將于開始下滑。　　資策會(huì)MIC資深產(chǎn)業(yè)顧問洪春暉表示，2018年的半導(dǎo)體市場(chǎng)概況是近5年來難得的樂觀，盡管2018年內(nèi)存價(jià)格成長(zhǎng)空間有限，但NAND Flash需求仍然持續(xù)增加。因此，預(yù)估2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將成長(zhǎng)10.1%，其中最大的原因是各應(yīng)用終端內(nèi)存需求持續(xù)增加，以及車用電子等新興應(yīng)用帶動(dòng)。　　洪春暉進(jìn)一步指出，內(nèi)存受惠于市場(chǎng)價(jià)格上揚(yáng)，2018年全年臺(tái)灣內(nèi)存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將成長(zhǎng)25%，產(chǎn)
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IHS公布二季度半導(dǎo)體銷售排行榜：三星又當(dāng)?shù)谝?/a>

　　由于持續(xù)受益于存儲(chǔ)器芯片熱潮，韓國三星電子(Samsung Electronics)今年第二季仍穩(wěn)坐半導(dǎo)體銷售龍頭地位，再度超越其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手——英特爾(Intel)。　　根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS Markit的統(tǒng)計(jì)，三星在今年第二季全球芯片市場(chǎng)占15.9%，英特爾約占7.9%。然而，隨著NAND快閃存儲(chǔ)器(flash)市場(chǎng)顯著降溫，英特爾已自本季開始縮小與三星的差距，其季成長(zhǎng)較三星更高3%。　　以半導(dǎo)體銷售額來看，三星在第二季的銷售額為192億美元，較第一季成長(zhǎng)3.4%，并較2017年第二季成長(zhǎng)了33.7

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基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅(qū)動(dòng)方法

　　1. 引言　　NAND FLASH被廣泛應(yīng)用于電子系統(tǒng)中作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。在各種高端電子系統(tǒng)中現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)已被廣泛應(yīng)用。FPGA靈活的硬件邏輯能實(shí)現(xiàn)對(duì)NAND FLASH的讀寫操作。本文中闡述了一種基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅(qū)動(dòng)方法。　　2. VDNF2T16VP193EE4V25簡(jiǎn)介　　歐比特公司的VDNF2T16VP193EE4V25是一款容量為2Tb、位寬為16位的NAND FLASH，其內(nèi)部由8片基片拓?fù)涠桑渫負(fù)浣Y(jié)構(gòu)如下：　　其主要特性如下：　　? 總?cè)萘?/li>
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全球前15大半導(dǎo)體廠商排名：7家年增20%以上，中國大陸無一上榜

　　8月20日，研究機(jī)構(gòu)ICInsights發(fā)布了2018年上半年全球半導(dǎo)體供應(yīng)商Top15榜單，三星位居第一位，英特爾位居第二位。不過遺憾的是，中國大陸暫時(shí)沒有公司進(jìn)入這個(gè)榜單的前15名。　　根據(jù)發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，三星、英特爾、SK海力士、臺(tái)積電、鎂光排名榜單的前五位，相較于去年同期，這幾家公司都有比較明顯的增長(zhǎng)，特別是三星、SK海力士以及鎂光，分列六至十五位的分別是博通、高通、東芝\東芝內(nèi)存、德州儀器、英偉達(dá)、西數(shù)\閃迪、英飛凌、恩智浦、意法半導(dǎo)體和聯(lián)發(fā)科。這里，英偉達(dá)數(shù)據(jù)最為搶眼，相較于去年同期，英偉
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TLC或已成過去三星宣布開始量產(chǎn)消費(fèi)級(jí)QLC

　　距離TLC發(fā)布已過去6年時(shí)間，如今QLC也正式進(jìn)入消費(fèi)級(jí)領(lǐng)域。而我們很多消費(fèi)者卻仍然用著MLC，甚至是機(jī)械硬盤，感覺在我們停留的時(shí)候，世界已經(jīng)進(jìn)入下一個(gè)時(shí)代了，不得不說技術(shù)的更新?lián)Q代越來越快了。　　8月7日，三星宣布開始量產(chǎn)消費(fèi)級(jí)QLC SSD，此產(chǎn)品為行業(yè)內(nèi)首款消費(fèi)級(jí)QLC SSD。　　此次使用4-bit QLC閃存具有更密集的存儲(chǔ)單元，能夠提供更高的存儲(chǔ)效率，這意味著這代產(chǎn)品能夠提供高容量的同時(shí)保持較低的價(jià)格。　　目前三星公布了該產(chǎn)品的相關(guān)信息：規(guī)格為2.5寸 SATA接口;存儲(chǔ)容量分別為1TB/
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IC Insights預(yù)測(cè)：全球IC增長(zhǎng)和全球GDP增長(zhǎng)關(guān)聯(lián)日益密切

　　在最近發(fā)布的《麥克萊恩2018年中期報(bào)告》(McClean Report 2018)中，IC Insights預(yù)測(cè)，2018-2022年全球GDP和IC市場(chǎng)相關(guān)系數(shù)將達(dá)到0.95，高于2010-2017年期間的0.88。 IC Insights描述了從2010年到2017年全球GDP增長(zhǎng)與IC市場(chǎng)增長(zhǎng)之間日益密切的關(guān)聯(lián)，以及到2022年的最新預(yù)測(cè)。　　如圖所示，在2010-2017年的時(shí)間段內(nèi)，全球GDP增長(zhǎng)與IC市場(chǎng)增長(zhǎng)的相關(guān)系數(shù)為0.88，這是一個(gè)強(qiáng)勁的數(shù)字，因?yàn)橥耆嚓P(guān)為1.0。在此期間之前的3
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NAND閃存價(jià)格還要連跌10% 512GB SSD未來兩年將成主流

　　NAND閃存價(jià)格2018年以來一直在降低，大家也應(yīng)該注意到了今年發(fā)布的智能手機(jī)閃存容量也越來越大了，中高端機(jī)中64GB是起步，128GB已經(jīng)是主流了。NAND閃存降價(jià)的趨勢(shì)在下半年還會(huì)繼續(xù)，因?yàn)橹悄苁謾C(jī)出貨量增長(zhǎng)放緩，而3D NAND閃存產(chǎn)能持續(xù)增加，預(yù)計(jì)Q3、Q4兩個(gè)季度中NAND價(jià)格都會(huì)下跌10%，不用過這也加速了大容量SSD硬盤的普及，未來2-3內(nèi)512GB將成為主流之選。　　集邦科技旗下的DRAMeXchange日前發(fā)布了有關(guān)NAND閃存市場(chǎng)下半年趨勢(shì)的報(bào)告，認(rèn)為Q3季度雖然是傳統(tǒng)旺季，但是N
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