- 據日經中文網報道，7月11日，韓國三星電子在首爾舉行的說明會上，向客戶等各方介紹了半導體代工業務的技術戰略。新一代7納米半導體將采用最尖端的制造技術，從2018年開始量產。此次說明會上，三星展示了發展藍圖，記載了決定性能好壞的電路線寬的微細化進程。三星表示，采用“極紫外光刻(EUV光刻)”新技術的7納米產品計劃從2018年開始接單，5納米產品和4納米產品分別將從2019年和2020年開始接單。EUV能大幅提高電路形成工序的效率，7納米以下的產品曾被認為難以實現商用化，而EUV是
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三星 EUV
- 臺積電已宣布將在2018年第二代7奈米制程中開始導入EUV微影技術，以做為5奈米全面采用EUV的先期準備。 盡管目前EUV設備曝光速度仍不如期待且價格極為高昂，但與采用雙重或多重曝光技術相比，EUV的投資對解決先進制程不斷攀升的成本問題仍是相對有力的解決方案。
每一季的臺積電法說會上，張忠謀董事長或是共同執行長對于極紫外光(Extreme Ultraviolet, EUV)的發展進度必會對臺下觀眾做一專門的報告，法人代表對于EUV的導入時程亦表示高度興趣。 到底EUV的發展對于臺積電未來發展甚至
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摩爾定律 EUV
- 摩爾定律在過去52年中一直是“更小，更快，更便宜”的代名詞，但越來越多的人認為它只是諸多選擇之一，芯片行業開始針對特定的市場需求進行調整。
這并沒有使得摩爾定律失去意義。眾多行業人士透露，從16/14nm沖擊7nm的公司數量要多于直接沖擊16/14nm finFET的公司。但是，這種遷移也需要考慮到：
· 當代工廠利用16/14nm finFET進行相同度量時，節點命名在20nm之后就變得無意義。因此，對于10nm或7nm并沒有一致的定義。更有價值的數
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摩爾定律 EUV
- 在先進制程方面，玩得起的顯然只剩寥寥可數的那幾個大玩家，7nm是一個重要的節點。
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7nm EUV
- 看好中國半導體行業未來持續的蓬勃發展，工藝控制與成品率管理解決方案提供商KLA-Tencor (科天)透過半導體檢測與量測技術，以最快的速度及最有效的方式 ，幫助客戶解決在生產時面對的良率問題。KLA-Tencor立志于幫助中國客戶一起提升良率，降低生產成本，提高生產效率，并與中國半導體行業一同成長。 KLA-Tencor中國區總裁張智安表示，KLA-Tencor成立至今40年，現于全球17國擁有6000多位員工。2016財年，KLA-Tencor營收表現來到30億美元。從硅片檢
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KLA-Tencor EUV
- 摩爾定律(Moore’s Law)自1970年代左右問世以來，全球半導體產業均能朝此一定律規則前進發展，過去數十年來包括光微影技術(Photolithography)等一系列制程技術持續的突破，才得以讓半導體產業能依照摩爾定律演進，進而帶動全球科技產業研發持續前進。
但為延續產業良性發展，光是依賴于傳統微影技術仍不夠，因此芯片制造商也正在苦思試圖進行一次重大且最具挑戰的變革，即發展所謂的“極紫外光”(EUV)微影技術，該技術也成為臺積電、英特爾(Intel)等
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ASML EUV
- ASML宣稱它的Q2收到4臺EUV訂單，預期明年EUV發貨達10臺以上。
EUV光刻設備一再延遲，而最新消息可能在2020年時能進入量產，而非常可能應用在5nm節點。
業界預測未來在1znm的存儲器生產中可能會有2層或者以上層會采用它，及在最先進制程節點(7 or 5nm)的邏輯器件生產中可能會有6-9層會使用它。
ASML計劃2018年時它的EUV設備的產能再擴大一倍達到年產24臺，每臺售價約1億美元，目前芯片制造商己經安裝了8臺，正在作各種測試。
半導體顧問公司的分析師Ro
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半導體 EUV
- 英特爾在14奈米及10奈米制程推進出現延遲，已影響到處理器推出時程，也讓業界及市場質疑：摩爾定律是否已達極限?不過，英特爾仍積極尋求在7奈米時代重回摩爾定律的方法，其中兩大武器，分別是被視為重大微影技術世代交替的極紫外光(EUV)，以及開始采用包括砷化銦鎵(InGaAs)及磷化銦(InP)等三五族半導體材料。
摩爾定律能否持續走下去，主要關鍵在于微影技術難度愈來愈高。目前包括英特爾、臺積電、三星等大廠，主要采用多重曝光(multi-patterning)的浸潤式微影(immersionlitho
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摩爾定律 EUV
- 又到了超紫外光(EUV)微影技術的關鍵時刻了。縱觀整個半導體發展藍圖，研究人員在日前舉辦的IMEC技術論壇(ITF)上針對EUV微影提出了各種大大小小即將出現的挑戰。
到了下一代的10nm節點，降低每電晶體成本將會變得十分棘手。更具挑戰性的是在7nm節點時導入EUV微影。更進一步來看，當擴展到超越5nm節點時可能就需要一種全新的晶片技術了。
目前最迫在眉睫的是中期挑戰。如果長久以來一直延遲的EUV微影系統未能在2017年早期就緒的話，7nm制程將會成為一個昂貴的半節點。
不過，研究人
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EUV SanDisk
- 按照現在量產產品工藝進展的速度，幾乎可以預見的是，2018年上7納米的愿望很美好，但是實際情況卻困難重重，幾乎是不太可能的事，即便在技術上能實現，在商業上來看也不能算是理性的選擇。
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臺積電 7納米 EUV
- ASML公司第3代極紫外光(EUV)設備已出貨6臺。這預示著預示了全球兩家頂級大廠未來采用EUV光刻技術，在10nm的量產關鍵技術選項中幾乎同步，或者說臺積電在10nm時順利趕上業界龍頭英特爾。
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半導體 EUV
- 核心提示：荷蘭半導體設備大廠 ASML 現在勉為其難地承認了其客戶私底下悄悄流傳了好一陣子的情況：大多數半導體廠商仍將采用傳統浸潤式微影技術來生產10奈米制程晶片，而非延遲許久的超紫外光微影(EUV)技術;不過這恐怕將使得10奈米節點因為無法壓低每電晶體成本，而成為不受歡迎的制程。
荷蘭半導體設備大廠 ASML 現在勉為其難地承認了其客戶私底下悄悄流傳了好一陣子的情況：大多數半導體廠商仍將采用傳統浸潤式微影技術來生產10奈米制程晶片，而非延遲許久的超紫外光微影(EUV)技術;不過這恐怕將使得
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EUV 7納米
- KLA-Tencor 公司(納斯達克股票代碼：KLAC)宣布推出 Teron? SL650，該產品是專為集成電路晶圓廠提供的一種新型光罩質量控制解決方案，支持 20nm 及更小設計節點。Teron SL650 采用 193nm光源及多種 STARlight? 光學技術，提供必要的靈敏度和靈活性，以評估新光罩的質量，監控光罩退化，并檢測影響成品率的光罩缺陷，例如在有圖案區和無圖案區的晶體增長或污染。此外，Teron SL650 擁有業界領先的產能，可支持更快的生產周期，以滿足檢驗
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KLA-Tencor SL650 EUV
- 當半導體工藝發展到10nm水平時，傳統的光刻工藝將面臨前所未有的挑戰，所有經典物理的規律在量子水平下都有可能失效，必須在硅材料之外尋找一種新的、實用的思路來進一步延續集成電路的發展。
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EUV 10nm
- 據美國科技博客Business Insider報道，在近50年的科技發展中，技術變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質疑聲中，英特爾堅定不移地延續著摩爾定律的魔力。
摩爾定律是由英特爾聯合創始人GordonMoore提出，內容為：當價格不變時，集成電路上可容納的晶體管數目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買到的電腦性能，將每隔18個月翻兩倍以上。這一定律揭示了信息技術進步的速度。
在幾十年來，芯片技術得以快速變革和發展，變得更加強大，節省了更
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