用于高端邏輯半導體量產的EUV(Extreme
Ultra-Violet，極紫外線光刻)曝光技術的未來藍圖逐漸“步入”我們的視野，從7nm階段的技術節點到今年(2019年，也是從今年開始)，每2年~3年一個階段向新的技術節點發展。 高端邏輯半導體的技術節點和對應的EUV曝光技術的藍圖。 也就是說，在EUV曝光技術的開發比較順利的情況下，5nm的量產日程時間會大約在2021年，3nm的量產時間大約在2023年。關于更先進的2nm的技術節點，還處于模糊階段，據預測，其量產時間最快也是在2026
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ASML EUV
日前，有消息稱，比利時研究機構Imec和微影設備制造商ASML計劃成立一座聯合研究實驗室，共同探索在后3nm邏輯節點的奈米級元件制造藍圖。此次雙方這項合作是一項為期五年計劃的一部份，分為兩個階段： 首先是開發并加速極紫外光(EUV)微影技術導入量產，包括最新的EUV設備準備就緒。 其次將共同探索下一代高數值孔徑(NA)的EUV微影技術潛力，以便能夠制造出更小型的奈米級元件，從而推動3nm以后的半導體微縮。 極紫外光(EUV)微影技術 EUV光刻也叫極紫外光刻，它以波長為10-14 nm的極紫外
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ASML EUV
繼聯電在2017年進行高階主管大改組，并宣布未來經營策略將著重在成熟制程之后，格芯也在新執行長Tom Caulfield就任半年多后，于日前宣布無限期暫緩7nm制程研發，并將資源轉而投入在相對成熟的制程服務上。 引入EUV工藝是半導體7nm工藝的關鍵轉折點 眾所周知，目前半導體領域，7nm工藝是一個重要節點。而7nm工藝是半導體制造工藝引入EUV技術的關鍵轉折，這是摩爾定律可以延續到5nm以下的關鍵，引入EUV工藝可以大幅提升性能，縮減曝光步驟、光罩數量等制造過程，節省時間和成本。 不過引入EU
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三星 EUV
全球一號代工廠臺積電宣布了有關極紫外光刻(EUV)技術的兩項重磅突破，一是首次使用7nm EUV工藝完成了客戶芯片的流片工作，二是5nm工藝將在2019年4月開始試產。今年4月開始，臺積電第一代7nm工藝(CLN7FF/N7)投入量產，蘋果A12、華為麒麟980、高通“驍龍855”、AMD下代銳龍/霄龍等處理器都正在或將會使用它制造，但仍在使用傳統的深紫外光刻(DUV)技術。 而接下來的第二代7nm工藝(CLNFF+/N7+)，臺積電將首次應用EUV，不過僅限四個非關鍵層，以降低風險、加速投產，也借
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5nm EUV
半導體業界為EUV已經投入了相當龐大的研發費用，因此也不難理解他們急于收回投資。雖然目前還不清楚EUV是否已經100%準備就緒，但是三星已經邁出了實現大規模量產的第一步。
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三星 EUV 3nm
引領技術開發的少數芯片制造商認定，極紫外光(EUV)微影技術將在明年使得半導體元件的電晶體密度更進一步向物理極限推進，但才剛失去全球半導體產業龍頭寶座的英特爾(Intel)，似乎放棄了繼續努力在采用EUV的腳步上領先;該公司在1990年代末期曾是第一批開始發展EUV的IC廠商。 曾是電子工程師的市場研究機構Bernstein分析師Mark Li表示，英特爾不會在短時間內導入EUV，該公司仍在克服量產10納米制程的困難，因此其7納米制程還得上好幾年，何時會用上EUV更是個大問題。 在此同時，三星(S
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英特爾 EUV
業界領先的特種化學及先進材料解決方案的公司Entegris(納斯達克：ENTG)日前發布了下一代EUV 1010光罩盒，用于以極紫外(EUV)光刻技術進行大批量IC制造。Entegris的EUV 1010是與全球最大的芯片制造設備制造商之一的ASML密切合作而開發的，已在全球率先獲得ASML的認證，用于NXE:3400B等產品。 隨著半導體行業開始更多地使用EUV光刻技術進行先進技術制程的大批量制造(HVM)，對EUV光罩無缺陷的要求比以往任何時候都要嚴格。Entegris的EUV 1010光罩盒已
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Entegris EUV ASML
先前李在镕涉入政治關說丑聞的負面影響尚未完全消除，設法恢復各界對三星的信賴也是李在镕須解決的課題。
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三星 EUV
為進一步提升在中國市場晶圓代工領域的競爭力，6月14日，三星電子在中國上海召開 “2018三星晶圓代工論壇(Samsung Foundry Forum 2018)”(SFF)，這是SFF首次在中國舉行，中國半導體市場的影響力可見一斑。 本次論壇上，三星電子晶圓代工事業部戰略市場部部長、副社長裵永昌帶領主要管理團隊，介紹了晶圓代工事業部升級為獨立業務部門一年來的發展成果，以及未來發展路線圖和服務，首次發布了FinFET、GAA等晶體管構造與EUV曝光技術的使用計劃，以及3納米芯片高端工藝的發展路線圖，
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EUV，晶圓
聯發科高分貝宣布旗下首款5G Modem芯片，代號為曦力(Helio)M70的芯片解決方案將在2019年現身市場的動作，臺面上或是為公司將積極進軍全球5G芯片市場作熱身，但臺面下，已決定采用臺積電7納米EUV制程技術設計量產的M70 5G Modem芯片解決方案，卻是聯發科為卡位臺積電最新主力7納米制程技術產能，同時向蘋果(Apple)iPhone訂單招手的關鍵大絕，在高通(Qualcomm)還在三星電子(SAMSUNG)、臺積電7納米制程技術猶疑之間，聯發科已先一步表達忠誠，而面對高通、蘋果專利訟訴
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臺積電，EUV
據《日經亞洲評論》(Nikkei Asian Review)15日援引消息人士的話稱，中國芯片加工企業中芯國際(SMIC)向全球最大的芯片設備制造商——荷蘭ASML訂購了首臺最先進的EUV(極紫外線)光刻機，價值1.2億美元。目前，業內已達成共識，必須使用EUV光刻機才能使半導體芯片進入7nm，甚至5nm時代。今天，中芯國際方面對觀察者網表示，對此事不做評論。 消息稱，這臺幾乎相當于中芯國際去年全部凈利潤的設備，將于2019年前交付。 ASML發言人對《日經亞洲評論》表示，該企業對包括中國客戶在內
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中芯 EUV
據知情人士透露，中國最大的晶圓代工廠中芯國際已經訂購了一臺EUV設備，在中美兩國貿易緊張的情況下，此舉旨在縮小與市場領先者的技術差距，確保關鍵設備的供應。EUV是當前半導體產業中最先進也最昂貴的芯片制造設備。
中芯國際的首臺EUV設備購自荷蘭半導體設備制造商ASML，價值1.2億美元。盡管中芯目前在制造工藝上仍落后于臺積電等市場領導者兩到三代，此舉仍突顯了該公司幫助提升中國本土半導體制造技術的雄心壯志，也保證了在最先進的光刻設備方面的供應。目前包括英特爾、三星、臺積電等巨頭都在購買該設備，以確保
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中芯 EUV
種種跡象表明，2018年將是移動處理器、半導體等行業迎來轉折的一年，多種技術經歷多年沉淀后會在今年完成應用，然后在2019年爆發。
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臺積電 芯片 EUV
載具對于曝光機發揮保護、運送和存儲光罩等功能十分重要。家登精密多年來致力于研究曝光機載具，并為全球最大的半導體設備制造商ASML提供載具相關技術。
我們主要研究EUV的配套技術，例如EUV的載具以及EUV的配套光罩，是7nm向5nm進階的突破口。隨著5nm技術的升級，EUV的重要性逐漸凸顯出來，而載具的研究也越發緊迫。過去幾年，家登精密一直專心做一件事，那就是載具的配套研究。去年，我們的技術產品已經達到國際先進水平，這是一個值得自豪的成績。未來，7nm工藝逐漸向5nm升級，技術的研究會越來越困難
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ASML EUV
2017年，三星在半導體事業中的投資達到了260億美元，創下歷史新高，這主要得益于其存儲芯片的巨大需求。
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三星 EUV
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