半導體基礎元器件領域的高產能生產專家Nexperia今天首次宣布推出80 V RET（配電阻晶體管）系列。這些新的RET或“數字晶體管”提供了足夠的余量，可用于48 V汽車板網（如輕度混合動力和EV汽車）和其他更高電壓的電路，這些電路經常受到較大的尖峰和脈沖影響，以前的50 V器件無法處理。 通過在與晶體管相同的SOT23 (250 mW Ptot)或SOT323 (235 mW Ptot)封裝中組合偏置電阻和偏置發射極電阻，RET可以節省空間并降低制造成本。SOT363封裝還提供雙RET（兩個晶體管和兩
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Nexperia RET
半導體基礎元器件領域的高產能生產專家Nexperia今天發布獲得AEC-Q101認證的新重復雪崩專用FET (ASFET)產品組合，重點關注動力系統應用。該技術已通過十億個雪崩周期測試，可用于汽車感性負載控制，例如電磁閥和執行器。除了提供更快的關斷時間（高達4倍）外，該技術還能通過減少BOM數量簡化設計。 在汽車動力總成中的電磁閥和執行器控制領域，基于MOSFET的電源方案通常圍繞著升壓、續流二極管或主動鉗位拓撲結構進行構建。第四個選擇是重復雪崩設計，利用MOSFET的重復雪崩能力來泄放在其關
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Nexperia AEC-Q101 MOSFET
半導體基礎元器件領域的高產能生產專家Nexperia宣布推出適用于CAN-FD應用的新款無引腳ESD保護器件。器件采用無引腳封裝，帶有可濕錫焊接側焊盤，支持使用AOI工具。PESD2CANFDx系列部件完全符合AEC-Q101標準，同時提供行業領先的ESD和RF性能，節省了PCB空間。 Nexperia通過有引腳和無引腳封裝為CAN-FD總線提供硅基ESD保護。帶有可濕錫焊接側焊盤的全新DFN1412D-3和DFN1110D-3無引腳DFN封裝占用的PCB空間比傳統SOT23和SOT323封裝少
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Nexperia CAN-FD 保護二極管
奈梅亨，2020年10月29日：半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia將首次亮相于2020年11月5日至10日在上海舉辦的第三屆中國國際進口博覽會并將全方位介紹Nexperia如何運用邏輯IC、分立器件、MOSFET和GAN FET等創新器件推動全球各類電子設計的發展。 Nexperia憑借多元化、高產能的產品組合和行業領先的小封裝技術引領全球市場。Nexperia生產約15,000種產品，每年新增800余種新產品。作為未來創新技術的推動者，Nexperia展臺位于本屆中國國際進口博覽會
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Nexperia
半導體基礎元器件領域的高產能生產專家Nexperia響應行業需求，通過定義一組全新的MOSFET產品，最大限度提高性能。特定型應用FET（簡稱ASFET）所采用的MOSFET能為特定應用提供優化的參數。通過專注于特定的應用，可實現顯著的改進。 Nexperia為電池隔離、電機控制、熱插拔和以太網供電(PoE)應用提供ASFET系列。 定制ASFET可實現的改進因應用而異，例如對于熱插拔應用，安全工作區域(SOA)能提高3至5倍；對于電機應用，最大額定電流可超過300 A。 Nexpe
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Nexperia
2020年10月12日消息，半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia宣布新推出一系列LED驅動器，采用DFN2020D-6 (SOT1118D)封裝，能有效節省空間。LED驅動器帶可焊性側面(SWF)，可促進實現AOI（自動光學檢測）并提高可靠性。這是LED驅動器首次采用這種有益封裝。新量產的無引腳的產品加入已經量產的帶引腳的產品提供更廣的產品組合，新產品與SOT223相比，在具備同等性能的情況下，將PCB空間減少了90%。新推出的DFN2020D-6 LED驅動器采用NPN和PNP技術，
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Nexperia LED驅動器
半導體基礎元器件領域的高產能生產專家Nexperia宣布推出全新產品PCMFxHDMI2BA-C，這款集成了ESD保護功能的共模濾波器具有超過10 GHz差分帶寬。它適用于高達12Gbps 的最新HDMI 2.1標準，能夠輕松通過眼圖測試。 Nexperia高速保護和濾波產品經理Stefan Seider說：“HDMI 2.1使顯示器具有更高的分辨率和更出色的色彩。但是，這需要更優秀的抗干擾保護，尤其是在緊湊的無線應用中，這些2合1的ESD和濾波組合器件的性能和小尺寸非常適合對性能和空間有要求
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Nexperia ESD
半導體基礎元器件領域的高產能生產專家Nexperia推出四款全新的TrEOS ESD保護器件，這些器件通過了AEC-Q101認證，適用于車規級應用，并且可承受高達175°C的高溫。同時，與所有TrEOS器件一樣，這些新的車用器件具有很低的電容，可確保高信號完整性，并具有很低的鉗位電壓和高穩健性，適用于新的車載接口。具體的車載應用包括采用USB 3.2、HDMI、LVDS、SerDes和SD卡接口的信息娛樂、多媒體與ADAS系統。 Nexperia的TrEOS ESD保護技術利用有源可控硅整流來克服傳統保護
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Nexperia 車用TrEOS ESD
半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術的全新高壓氮化鎵場效應管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實現了更出色的開關和導通性能，并具有更好的穩定性。由于采用了級聯結構并優化了器件相關參數，Nexperia的氮化鎵場效應管無需復雜的驅動和控制，應用設計大為簡化；使用標準的硅MOSFET 驅動器也可以很容易地驅動它們。 新的氮化鎵技術采用了貫穿外延層的過孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247
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Nexperia 650V 氮化鎵 GaN
?奈梅亨，2020年5月27日：半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia推出了一系列反向電壓為120 V、150 V和200 V的新鍺化硅(SiGe)整流器，兼具肖特基整流器的高效率與快速恢復二極管的熱穩定性。?新款1-3 A SiGe整流器以汽車、通信基礎設施和服務器市場為目標市場，尤其適合高溫應用，例如，LED照明、發動機控制單元或燃油噴射。這些新推出的極低泄漏器件提供擴展的安全工作區域，在不超過175 °C的條件下不會發生熱失控。同時，工程師也可以使用適用于高溫設
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肖特基.快速恢復二極管 Nexperia 鍺化硅整流器
半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產品。新器件符合AEC-Q101標準，適合汽車應用，可作為DPAK MOSFET的理想替代產品，在保證性能的基礎上，將封裝占位面積減少了50%以上。 新系列產品在30 V至60 V工作電壓范圍內可供選擇，導通電阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V)。 LFPAK封裝采用銅夾片結構，由Nexperia率先應用，已在汽車等要求
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Nexperia P溝道 MOSFET LFPAK56封裝
Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%，且具備低導通電阻RDS(on)半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia發布了一系列MOSFET產品，采用超小型DFN0606封裝，適用于移動和便攜式產品應用，包括可穿戴設備。這些器件還提供低導通電阻RDS(on)，采用常用的0.35 mm間距，從而簡化了PCB組裝過程。?PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝，占位面積僅為0.62 x 0.62 mm，與前一代DFN1006器件相比，節省了超過36%的空間。由于采
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?Nexperia MOSFET
奈梅亨，三月 10, 2020：Nexperia，分立器件、MOSFET器件及模擬和邏輯器件領域的生產專家，今日宣布推出PESD2V8R1BSF，這是業內首款專門針對USB4TM標準開發的ESD保護器件，具有行業領先的RF性能。新款器件采用Nexperia的TrEOS ESD技術與有源可控硅（SCR）技術，USB4TM和Thunderbolt接口設計工程師將會特別感興趣。該器件可實現極低電容（低至0.1 pF）；極低鉗位電壓 動態電阻低至0.1 ?）以及非常穩健的防浪涌與ESD性能（，最高可達20A 8/
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Nexperia USB4 ESD 保護器件
奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領域的生產專家Nexperia宣布與知名汽車工程咨詢公司Ricardo合作，以研制基于氮化鎵(GaN)技術的EV逆變器技術演示器。 GaN是這些應用的首選功率器件，因為GaN FETs使系統以更低的成本達到更高的效率、更好的熱性能和更簡單的開關拓撲。在汽車領域，這意味著車輛行駛里程更長，而這正是所有電動汽車消費者最關心的問題。現在，GaN即將取代基于硅的IGBT和SiC，成為插電式混合動力汽車
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Nexperia GaN EV逆變器
奈梅亨，2020年 2 月 11 日：分立元件、MOSFET 元件及模擬和邏輯 IC 的專業制造商 Nexperia，今天宣布針對 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 汽車以太網系統推出業界領先且符合 OPEN Alliance 標準的硅基 ESD 防護器件 。 OPEN (One-Pair Ether-Net) Alliance Special Interest Group (SIG) 是由汽車工業和技術供應商組成的非營利聯盟，他們相互協作，鼓勵廣泛采用基于以太網的網
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Nexperia 汽車以太網 OPEN Alliance ESD
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