奈梅亨，2023年11月30日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產品組合中首批發布的產品，隨后Nexperia將持續擴大產品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動
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Nexperia SiC MOSFET 工業電源開關
Nexperia近日宣布與三菱電機公司建立戰略合作伙伴關系，共同開發碳化硅(SiC) MOSFET分立產品。Nexperia和三菱電機都是各自行業領域的領軍企業，雙方聯手開發，將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。三菱電機的功率半導體產品有助于客戶在汽車、家用電器、工業設備和牽引電機等眾多領域實現大幅節能。該公司提供的高性能SiC模塊產品性能可靠，在業界享有盛譽。日本備受贊譽的高速新干線列車采用了這些模塊，并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
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Nexperia 三菱電機 SiC MOSFET
奈梅亨，2023年11月6日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布與國際著名的先進電子器件供應商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關系，共同生產新的650 V、20 A碳化硅（SiC）整流器模塊，適用于3 kW至11 kW功率堆棧設計的高頻電源應用，以滿足工業電源、EV充電站和板載充電器等應用的需要。此次發布將進一步加深雙方長期以來保持的緊密合作關系。 制造商對下一代功率應用的關鍵需求是節省空間和減輕
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Nexperia KYOCERA 功率應用 650 V 碳化硅 整流二極管
隨著全球對可再生能源的日益關注以及對效率的需求，高效率，高可靠性成為功率電子產業不斷前行的關鍵。Nexperia（安世半導體）的 IGBT 產品系列優化了開關損耗和導通損耗, 兼顧馬達驅動需求的高溫短路耐受能力，實現更高的電流密度和系統可靠性。自推出以來，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）由于其高電壓、大電流、低損耗等優勢特點，被廣泛應用于馬達驅動，光伏，UPS，儲能，汽車 等領域。變頻器變頻器由于“節能降耗”等優勢，廣泛的使用在電機驅動的各個領域。讓我們先來走進變頻器，看看變頻器的典型電路。“交—直—交”電路
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Nexperia IGBT
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia近日宣布擴展其超低電容ESD保護二極管產品組合。該系列器件旨在保護汽車信息娛樂應用的USB、HDMI、高速視頻鏈路和以太網等接口的高速數據線路。此次新增器件包括PESD18VF1BLS-Q、PESD24VF1BLS-Q、PESD30VF1BLS-Q和PESD32VF1BLS-Q，均采用DFN1006BD-2封裝，可在汽車生產線中通過側邊爬錫進行光學檢測。此外，PESD18VF1BBL-Q、PESD24VF1BBL-Q和PESD30VF1BBL-Q還提供緊湊
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Nexperia 超低結電容 ESD保護二極管 汽車數據接口
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布新推出全新的500 mA雙通道內置電阻晶體管(RET)系列產品，均采用超緊湊型DFN2020(D)-6封裝。新系列器件適用于可穿戴設備和智能手機中的負載開關，也可用于功率要求更高的數字電路。例如空間受限的計算、通信、工業和汽車應用。值得注意的是，DFN封裝的RET采用雙重空間節省方案，可加倍提高空間利用率。首先，通過將雙極性晶體管(BJT)和電阻巧妙地集成到單一封裝中，可節省大量電路板空間。此外，無引腳DFN封裝本身的空間效益較高。這種集成和封裝有
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Nexperia 500mA RET 高功率 負載開關
Nexperia總部位于荷蘭，是一家擁有60多年歷史且發展迅速的全球性半導體企業。公司年產量超過1000億件，Nexperia深知自身對保護環境應承擔的社會責任。今年五月，Nexperia發布了其首份可持續發展報告，其中針對公司的環境影響、社會責任、增長目標以及其作為國際行業領導者的重要角色進行了評估。今天，Nexperia自豪地宣布其實現碳中和的預期目標，同時秉持公開透明的原則，并采取問責制度。Nexperia致力于到2035年在其直接運營排放（范圍1）和為運營采購能源而產生的間接排放（范圍2）方面實現
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Nexperia 碳中和
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia于2023年7月在Morningstar Sustainalytics的ESG風險評級中取得了18.7分的優異成績，達到了新的重要里程碑。這是Nexperia首次參與ESG風險評級，在全球半導體設計和制造子行業的221家評估實體中排名前11%，這一優異表現也使其順利躋身于知名企業前列。 Morningstar Sustainalytics對Nexperia在環境、社會和治理(ESG)方面的表現進行綜合評估，認為Nexperia遭
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Nexperia ESG 風險評級
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出負載開關產品系列，進一步擴充其模擬和邏輯產品組合。NPS4053是本次產品發布的主角，這是一款高密度集成電路(IC)，憑借小巧的尺寸提供優異的系統保護性能，可幫助提高系統可靠性，保障系統安全。該器件經過優化升級，適合應用于便攜式設備（如筆記本電腦）、臺式電腦、擴展塢和車載信息娛樂系統。 負載開關是各種現代電子系統正常工作必不可少的器件。這些開關在以受控方式管理從電源到負載的電流/電壓方面發揮著關鍵作用。在典型的電源鏈中，NPS405
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Nexperia 負載開關
絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）面市已有些時日，事實上，通用電氣（GE）早在1983年6月就發布了其首款IGBT產品。從那時起，IGBT成為了中壓和高壓（>200 V ）應用的主要器件，包括供暖通風與空氣調節（HVAC）系統以及電焊和感應加熱等高電流應用。隨著太陽能面板、電動汽車充電器和工業伺服電機的日益普及，市場對高壓解決方案的需求也在不斷攀升。為了滿足各個行業的需求，并進一步完善持續擴大的高壓技術產品組合（GaN和SiC），Nexperia （安世半導體）正在推出多個 IGBT系列，首先便是600
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Nexperia IGBTs
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia宣布推出NBM7100和NBM5100。這兩款IC采用了具有突破意義的創新技術，是專為延長不可充電的典型紐扣鋰電池壽命而設計的新型電池壽命增強器，相比于同類解決方案，可將該類電池壽命延長10倍，與未使用電池增強器的典型紐扣電池相比，使用該增強器還可將電池的峰值輸出電流能力提高至25倍。大幅延長工作壽命意味著低功率物聯網(IoT)和其他便攜式應用中的廢舊電池數量將顯著減少，同時，過去只能由AA-或AAA-電池提供動力的應用也有望改用紐扣電池。 &
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Nexperia 紐扣電池 功率增強器
奈梅亨，2023年6月21日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布擴充NextPower 80/100 V MOSFET產品組合的封裝系列。此前該產品組合僅提供LFPAK56E封裝，而現在新增了LFPAK56和LFPAK88封裝設計。這些器件具備高效率和低尖峰特性，適用于通信、服務器、工業、開關電源、快充、USB-PD和電機控制應用。 長期以來，品質因數Qg*RDSon一直是半導體制造商提高MOSFET開關效率的重點。然而，一味地降低該品質因數導致產生了意外后果
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Nexperia MOSFET
奈梅亨，2023年5月11日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出與功率MOSFET配套使用的新一代交互式數據手冊，大幅提升了對半導體工程師的設計支持標準。通過操作數據手冊中的交互式滑塊，用戶可以手動調整其電路應用的電壓、電流、溫度和其他條件，并觀察器件的工作點如何動態響應這些變化。 這些交互式數據手冊使用Nexperia的高級電熱模型計算器件的工作點，可有效地為電路仿真器提供一種圖形用戶界面。此外，工程師借助這些交互式數據手冊可以即時查看柵極電壓、漏極電流、RDS(o
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Nexperia 交互式數據手冊 MOSFET
奈梅亨，2023年5月10日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯型氮化鎵產品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產品組合能為設計人員提供最佳的選擇。 Nexperia的新產品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
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Nexperia E-mode GAN FET
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