- Nexperia宣布為其持續擴展的功率器件產品組合新增兩款理想二極管IC。其中，NID5100適用于標準工業和消費應用，而NID5100-Q100已獲得認證，可用于汽車應用。這兩款理想二極管均以MOSFET為基礎，擁有比傳統二極管更低的正向壓降，非常適合用來替換系統中的標準二極管，進而滿足相關的超高能效要求。NID5100和NID5100-Q100理想二極管采用小型TSSP6/SOT363-2有引腳塑料封裝，尺寸僅為2.1 mm×1.25 mm×0.95 mm。NID5100理想二極管的電氣性能出色，能為
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Nexperia 理想二極管
- Nexperia近日宣布其廣受歡迎的功率雙極結型晶體管(BJT)產品組合再次擴展，推出采用DFN2020D-3封裝的十款標準產品和十款汽車級產品。這些新器件的額定電壓為50 V和80 V，支持NPN和PNP極性的1 A至3 A電流范圍，進一步鞏固了Nexperia作為市場領先供應商的地位。通過此次發布，Nexperia通過DFN封裝提供了其大部分的功率BJT，可滿足設計人員對節省空間和能源的封裝的需求，以此取代舊的SOT223和SOT89封裝。與有引腳的器件相比，DFN2020D-3封裝器件可顯著節省電路
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Nexperia DFN2020D-3 功率BJT
- Nexperia近日宣布，公司正在持續擴充其NextPower 80 V和100 V MOSFET產品組合，并推出了幾款采用行業標準5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對低RDS(on)和低Qrr進行了優化，可在服務器、電源、快速充電器和USB-PD等各種應用以及各種電信、電機控制和其他工業設備中提供高效率和低尖峰。設計人員可以從80 V和100 V器件中進行選擇，RDS(on)選型從1.8 mΩ到15 mΩ不等。許多MOSFET
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Nexperia NextPower MOSFET
- Nexperia今天推出了采用D2?PAK真雙引腳?(R2P)?封裝的650V兩種超快速恢復整流二極管，可用于各種工業和消費應用，包括充電適配器、光伏?(PV)、逆變器、服務器和開關模式電源?(SMPS)。這些整流二極管結合了平面芯片技術和最先進的結高壓終端?(JTE)?設計，具有高功率密度、快速開關時間、軟恢復能力和出色的可靠性。它們采用D2PAK真雙引腳封裝?(SOT8018)，封裝尺寸與標準D2PAK封裝相同，但只有兩個
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Nexperia 整流二極管 D2PAK 真雙引腳封裝
- 致力于亞太地區市場的國際領先半導體元器件分銷商—大聯大控股近日宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NCP10672BD060R2G PWM控制器和安世（Nexperia）PNU65010EP快速恢復二極管的4.5W非隔離輔助電源方案。圖示1-大聯大世平基于onsemi和Nexperia產品的4.5W非隔離輔助電源方案的展示板圖隨著電子技術的不斷進步，小型家電在日常生活中的應用場景愈發多樣化。在這些家電應用中，輔助電源的設計尤為重要。其既要滿足低功耗、高效率的運行需求，以降低能源消耗，又要確保設備
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大聯大 世平集團 onsemi Nexperia 非隔離輔助電源
- 半導體制造商Nexperia近日宣布，計劃投資2億美元（約合1.84億歐元）研發下一代寬禁帶半導體產品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，并在漢堡工廠建立生產基礎設施。同時，晶圓廠的硅(Si)二極管和晶體管產能將會增加。此項投資是在該工廠成立100周年之際，與漢堡經濟部長Melanie Leonhard博士共同宣布的。為了滿足對高效功率半導體日益增長的長期需求，Nexperia將從2024年6月開始在德國研發和生產SiC、GaN和Si三種技術。這一舉措充分展現了Nexperia對電氣化和數
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Nexperia
- Nexperia近日宣布，其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二極管現已符合汽車標準(PSC1065H-Q)，并采用真雙引腳(R2P) DPAK (TO-252-2)封裝，適用于電動汽車和其他汽車中的多種應用。此外，為了進一步擴展其SiC二極管產品組合，Nexperia現還提供采用TO-220-2、TO-247-2和D2PAK-2封裝的額定電流為6 A、16 A和20 A的工業級器件，以提高設計靈活性。這些二極管解決了要求高電壓和高電流的應用的挑戰，包括開關電源、AC-DC和DC-DC轉換器
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Nexperia SiC二極管
- Nexperia近日宣布，公司現推出業界領先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產品，它將使其SiC MOSFET產品組合迅速擴展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著NSF0xx120D7A0的發布，Nexperia正在滿足市場對采用D2
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Nexperia SiC MOSFET D2PAK-7
- Nexperia近日宣布了2023年的財務業績，包括其關鍵汽車細分市場的強勁增長以及研發投資的增加。Nexperia的總收入為21.5億美元（2022年為23.6億美元），其財務業績也反映出這一年半導體行業充滿了挑戰。盡管收入略有下降，市場需求疲軟，但強勁的傳統汽車細分市場的產品收入大幅增長。2023年，Nexperia從多方面高度關注綠色能源轉型。首先，公司發布了首份ESG報告，鞏固了其對環境、社會和治理（ESG）原則的專注。另一個里程碑是Nexperia獲得了其首筆8億美元的高級可持續性關聯貸款（SL
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Nexperia
- 專注于引入新品的全球電子元器件和工業自動化產品授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售Nexperia的NEX1000xUB電源IC。這些新型、省空間、可編程、高效率的雙輸出LCD偏壓電源專為空間受限的應用而設計，可延長智能手機、平板電腦、虛擬現實 (VR) 頭顯設備和LCD模塊的電池續航時間與視頻顯示壽命。貿澤供應的Nexperia NEX1000xUB電源IC結合了LDO穩壓器、集成式升壓轉換器和集成了有源輸出放電功能的負電荷泵，采用小于標準晶圓級封裝，尺寸為1.16m
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貿澤 Nexperia 電源IC
- Nexperia今天宣布推出能量平衡計算器。這是一款功能強大的網絡工具，旨在幫助電池管理工程師最大限度地延長其應用的電池壽命或實現無電池應用。該計算器為工程師提供精確的數據，幫助他們做出明智的決策，以便將Nexperia的能量采集PMIC集成到其系統中。Nexperia能量采集PMIC的核心是最大功率點跟蹤(MPPT)算法，可幫助各種消費電子產品和物聯網設備從環境中高效采集能量。為了充分利用這些PMIC的潛力，計算器使用實際技術參數。它計算傳遞給負載的能量和能量補償。因此，可以深入了解潛在的電池壽命延長或
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Nexperia 能量平衡計算器 能量采集
- 奈梅亨，2024年3月5日：全球基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出全新的專用于監測和保護1.8 V電子系統的4通道和8通道模擬開關系列產品。該系列多路復用器包含適用于汽車應用的AEC-Q100認證型號，以及適用于更廣泛的消費類和工業應用的標準版本，例如用于傳感器監測與診斷、企業計算以及家用電器等場景。在使用模擬開關時，由于控制電路的電壓與模擬開關的電源電壓不匹配，設計人員通常需要額外采用電平轉換器。相比之下，NMUX1308和NMUX1309開關中的控制引腳可以不受其供電電壓范
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Nexperia 低壓模擬開關 模擬開關
- 奈梅亨，2024年2月29日：Nexperia再次在APEC上展示產品創新，今天宣布發布幾款新型MOSFET，以進一步拓寬其分立開關解決方案的范圍，可用于多個終端市場的各種應用。此次發布的產品包括用于PoE、eFuse和繼電器替代產品的100 V 應用專用MOSFET (ASFET)，采用DFN2020封裝，體積縮小60%，以及改進了電磁兼容性(EMC)的40 ?V NextPowerS3 MOSFETPoE交換機通常有多達48個端口，每個端口需要2個MOSFET提供保護。單個PCB上有多達96
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Nexperia APEC 2024 拓寬分立式FET MOSFET
- 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia近日宣布，現可提供采用CFP3-HP封裝的22種新型平面肖特基二極管產品組合。該產品組合包括11種工業產品以及11種符合AEC-Q101標準的產品。本次產品發布是為了支持制造商以更小尺寸的CFP封裝器件取代SMx型封裝器件的發展趨勢，特別是在汽車應用中。這些二極管適用于DC-DC轉換、續流、反極性保護和OR-ing(打嗝)應用等。為盡可能實現設計靈活性，該產品組合中的器件選項提供30 V至100 V的反向電壓VR(max)和1 A至3 A的正向電流IF(a
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Nexperia CFP3-HP 平面肖特基二極管
- 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。經過二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規模、高質量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專業知識，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應用于級聯氮化鎵場效應管（GaN FET），Nexperia對此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應管，采用CCP
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Nexperia SMD CCPAK GaN FET
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