Nexperia（安世半導體）宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術

半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術的全新高壓氮化鎵場效應管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實現了更出色的開關和導通性能，并具有更好的穩定性。由于采用了級聯結構并優化了器件相關參數，Nexperia的氮化鎵場效應管無需復雜的驅動和控制，應用設計大為簡化；使用標準的硅MOSFET 驅動器也可以很容易地驅動它們。

新的氮化鎵技術采用了貫穿外延層的過孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247 封裝的新器件，導通電阻R_DS(on)降低到僅 41mΩ（最大值，25℃的典型值為 35mΩ），同時具有高的柵級閥值電壓和低反向導通電壓。CCPAK封裝的新器件，將導通電阻值進一步降低到39mΩ（最大值，25℃的典型值為 33mΩ）。兩種封裝的新器件均符合 AEC-Q101 標準，可滿足汽車應用的要求。

Nexperia氮化鎵戰略營銷總監 Dilder Chowdhury表示：“客戶需要導通電阻R_DS(on)為30~40m?的650V新器件，以便實現經濟高效的高功率轉換。相關的應用包括電動汽車的車載充電器、高壓DC-DC直流轉換器和發動機牽引逆變器; 以及1.5~5kW鈦金級的工業電源，比如:機架裝配的電信設備、5G設備和數據中心相關設備。Nexperia持續投資氮化鎵開發，并采用新技術擴充產品組合。首先為功率模塊制造商提供了傳統的 TO-247封裝器件和裸芯片，并隨后提供我們高性能的CCPAK 貼片封裝的器件。”

Nexperia 的 CCPAK貼片封裝采用了創新的銅夾片封裝技術來代替內部的封裝引線。這樣可以減少寄生損耗，優化電氣和熱性能，并提高可靠性。CCPAK封裝的氮化鎵器件提供頂部或底部散熱兩種配置，使其更通用，并有助于進一步改善散熱。

650V TO-247封裝的GAN041-650WSB 和 CCPAK 封裝的 GAN039-650NBB目前均可提供樣品。