nand 文章進(jìn)入nand技術(shù)社區(qū)

NAND FLASH在儲(chǔ)存測試系統(tǒng)中的應(yīng)用

0 引言　　計(jì)算機(jī)技術(shù)的高速發(fā)展，存儲(chǔ)系統(tǒng)容量從過去的幾KB存儲(chǔ)空間，到現(xiàn)在的T8；乃至不久的將來要達(dá)到的PB存儲(chǔ)空間，其數(shù)據(jù)存取的能力在飛速擴(kuò)展。隨之而來產(chǎn)生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和數(shù)據(jù)生命周期管
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三星量產(chǎn)新型NAND閃存芯片

　　5月13日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周四稱，它已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)新的NAND閃存芯片。這種閃存芯片傳送速度的速度比目前市場上的任何其它NAND閃存芯片都要快。　　
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NAND Flash大廠積極制程轉(zhuǎn)換

　　2011年全球NAND Flash中，全球三星電子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市場龍頭，市占率高達(dá)36.2%，緊追在后的是東芝(Toshiba)，市占率達(dá)35.1%，兩者合計(jì)掌握70%以上NAND Flash市場;根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce最新統(tǒng)計(jì)，2011年第1季NAND Flash品牌供應(yīng)商的位元出貨量為13%，營收成長9.9%，達(dá)53.63億美元。　　2011年第1季全球NAND Flash市場變化相當(dāng)多，最大影響當(dāng)屬日本311東北強(qiáng)震，對(duì)
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三星與海力士提升NAND Flash芯片產(chǎn)量

　　據(jù)了解，由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。　　
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三星、海力士擴(kuò)大NAND Flash投資

　　由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。　　
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美光：未來NAND Flash不求市占率但求低成本

　　由于智能型手機(jī)等行動(dòng)裝置應(yīng)用驅(qū)動(dòng)NANDFlash需求成長，加上日本強(qiáng)震造成東芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供貨銳減50%，美光(Micron)看好NANDFlash產(chǎn)業(yè)將持續(xù)供不應(yīng)求，除與英特爾(Intel)合資新加坡廠取得多數(shù)股權(quán)和產(chǎn)能，未來不排除再擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)能，可行方案包括釋出代工權(quán)給華亞科生產(chǎn)，或是啟動(dòng)新加坡二廠。美光指出，未來NAND Flash策略不追求市占第1，但要做到成本最低。　　
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4月上旬閃存芯片價(jià)格創(chuàng)7個(gè)月新高

　　據(jù)韓國媒體報(bào)道，內(nèi)存調(diào)研公司集邦科技發(fā)布最新研究數(shù)據(jù)，今年四月上旬NAND閃存芯片價(jià)格創(chuàng)下了7個(gè)月以來的新高水平，一定程度上反映了繼上月日本地震海嘯災(zāi)害中斷相關(guān)供應(yīng)鏈后芯片價(jià)格的總體情況。　
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東芝將量產(chǎn)19nm工藝64Gbit NAND

　　東芝宣布其開發(fā)出了“全球首款”(該公司)采用19nm工藝的64Gbit NAND型閃存。將從2011年4月底開始樣品供貨，2011年第三季度(2011年7～9月)開始量產(chǎn)。此次開發(fā)的64Gbit NAND芯片是2bit/單元產(chǎn)品，還計(jì)劃推出3bit/單元產(chǎn)品和1bit/單元產(chǎn)品。不過，這些產(chǎn)品的上市時(shí)間目前“尚未確定”(東芝)。　
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NAND Flash嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析

NAND Flash嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析,　本文是以Samsung的NAND Flash K9F2808U0C作為存儲(chǔ)芯片，設(shè)計(jì)了一種在NFTL上實(shí)現(xiàn)壞塊管理并且實(shí)現(xiàn)連續(xù)數(shù)據(jù)讀取的方法。
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東芝Sandisk搭檔組推出19nm制程N(yùn)AND閃存芯片

　　上周，Intel和鎂光發(fā)表聯(lián)合聲明，正式推出采用20nm制程技術(shù)制造的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并稱這款產(chǎn)品將于年內(nèi)在IMFT屬下的工廠開始生產(chǎn)。不過兩家的頭名板凳還沒有坐熱，本周Sandisk和東芝組成的搭檔組合便重新奪回了NAND閃存制程技術(shù)的寶座，他們宣稱已經(jīng)制造出了采用19nm制程技術(shù)的NAND閃存芯片，目前這兩家公司在日本設(shè)有一家合資芯片制造公司。　
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NAND閃存芯片價(jià)格創(chuàng)7個(gè)月來新高

　　據(jù)國外媒體報(bào)道，據(jù)臺(tái)灣集邦科技 (dramexchange technology inc)周一發(fā)表的行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，NAND閃存芯片價(jià)格在4月份的上半個(gè)月創(chuàng)7個(gè)月的新高，反應(yīng)了在上個(gè)月日本發(fā)生嚴(yán)重的地震中斷了供應(yīng)鏈之后其它存儲(chǔ)芯片價(jià)格的情況。　　
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IM Flash向客戶送樣最新20納米制程8GB NAND

　　據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)指出，由英特爾(Intel)和美光(Micron)出資各半成立的快閃存儲(chǔ)器合資公司IM Flash，日前領(lǐng)先業(yè)界率先推出最新20納米制程快閃存儲(chǔ)器，這也使得智能型手機(jī)和平板計(jì)算機(jī)里的儲(chǔ)存裝置可以進(jìn)一步縮小。　　
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英特爾和美光IM 廠合約將盡

　　英特爾(Intel)和美光(Micron)在2005年底攜手搶進(jìn)NAND Flash領(lǐng)域且成立合資公司IM Flash Technologies(IMFT)至今，傳出5年合約已屆期滿，將于近日宣布最新的合作方向;由于2010年底美光獨(dú)自啟動(dòng)新加坡廠IM Flash Technologies Singapore(IMFS)的裝機(jī)和投資，英特爾并未表態(tài)加入，引發(fā)外界對(duì)雙方合作關(guān)系，以及英特爾是否持續(xù)投資NAND Flash領(lǐng)域的質(zhì)疑，預(yù)計(jì)雙方將對(duì)外宣布最新的合作動(dòng)態(tài)。　　
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Intel與鎂光將就NAND業(yè)務(wù)合作作重要宣布

　　Intel與鎂光公司本周四將對(duì)NAND業(yè)務(wù)合作事宜作重要宣布，不過兩家公司并沒有透露這次宣布的詳細(xì)內(nèi)容是什么。據(jù)Web-Feet Research市調(diào)公司的CEO Alan Niebel分析：“我認(rèn)為他們這次可能會(huì)宣布終止雙方的合資公司IMFT在新加坡設(shè)立的閃存芯片廠項(xiàng)目上的合作。這間工廠目前正計(jì)劃開始投產(chǎn)25nm制程N(yùn)AND閃存芯片，并隨后轉(zhuǎn)向20nm制程技術(shù)。” 　　
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海力士背負(fù)54.46億美元債務(wù)

　　2001年海力士(Hynix)受景氣波及，遭債權(quán)銀行團(tuán)接手并進(jìn)行債務(wù)重整，時(shí)隔10年，海力士已成為全球第2大計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片供貨商。即使如此，海力士仍背負(fù)5.9兆韓元(約54.46億美元)債務(wù)，該公司現(xiàn)任執(zhí)行長權(quán)五哲(Kwon Oh-chul)在接受Korea Times訪問時(shí)，目前海力士首要目標(biāo)是盡力還款，并同時(shí)確保有足夠資金擴(kuò)產(chǎn)以及研發(fā)新技術(shù)。　
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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲(chǔ)存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]