- 亞洲最大半導體交易市場Dramexchange分析師西恩·楊15號(周三)表示，東芝旗下一家芯片工廠突發短時電力故障，以致NAND芯片出現停產。該分析師還表示，到2011年1月中旬之前，包括iPad在內等多款產品均在使用的這款NAND閃存芯片價格或將上漲15%。
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NAND iPad
- 根據Gartner發布的報告，該公司下調對于明(2011)年度半導體設備市場的預測;原先該公司預期將成長4.9%，現在預期將縮減1%。另外，Gartner原先預估今年成長113%，現在估計可達131%至384億美元。該公司分析家KlausRinnen指出，今年產業創造了有史以來最強勁的成長，不過2011年度的市場將比較疲軟，屆時設備采購主要的重點將在于產能的擴充而不是在技術設備上。他表示由于媒體平板電腦的拉抬，NAND將是記憶體領域中資本投資最多者。
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半導體設備 NAND
- 2010年全球半導體市場成長幅度超過30%，這是在歷經過去幾年全球不景氣之后，經濟復蘇所展現出的成果。而據Semico預測，2011年全球半導體銷售額年成長幅度大約小于10%。乍看之下，這比2010年成長率要低得多，它代表壞消息嗎?事實上，這個溫和的成長數據代表著半導體市場正在回歸正常軌道。
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東芝 半導體 NAND
- 美系存儲器大廠美光(Micron)2010年全球NAND Flash市占率大躍進，已擠下海力士(Hynix)坐穩全球三哥寶座，在擴產速度上，美光在2011年也不會缺席，與英特爾(Intel)合資的新加坡廠也將在2011年第2季開始投產，對于三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)2011年也有擴產計畫，美光表示不擔心供過于求，在產能增加的同時，平板計算機等應用也大幅崛起，預計2011年NAND Flash市場供需可維持健康的狀態。
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美光 NAND
- 臺灣長久缺席的快閃存儲器產業終于出現曙光，由于既有NAND Flash技術在20納米制程以下面臨天險，全球大廠紛競逐下世代技術，近期國家納米元件實驗室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術架構下，研發出全球最小的9納米電阻式存儲器，計劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯盟”，將廣邀存儲器廠及晶圓代工廠加入，首波會先洽談臺系存儲器廠，目標5~10年內將此技術導入量產，讓臺灣正式加入NAND Flash產業戰局。
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NAND 9納米
- 亞洲最大的半導體交易市場Dramexchange分析師周三表示，由于東芝一家芯片工廠因短時電力故障而停產的影響，到2011年1月中旬之前，NAND閃存芯片的價格可能會上漲15%。
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東芝 NAND
- 華爾街日報(WSJ)報導，東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會影響接下來的產能，普遍使用于智能型手機(Smartphone)、平板計算機(TabletPC)及數碼音樂播放器的NAND價格將因此跟漲。
東芝表示，這次的跳電事件可能影響未來2個月的產能，減少20%的產出。東芝與新帝(SanDisk)合資生產，總產出約占市場產能的3分之1，出貨量僅次于排名全球第1的三星電子(SamsungElectronics)。
接下來幾個月，全球的快閃存儲器市場的供
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東芝 NAND
- 2010年在半導體存儲器業界，各廠商紛紛恢復了在2008年秋季的雷曼事件后處于凍結狀態的大型設備投資。由此，市場上的份額競爭再次變得激烈起來。 2008～2009年導致各廠商收益惡化的價格下跌在2010年上半年僅出現了小幅下跌。然而，進入2010年下半年后，以DRAM為中心、價格呈現出大幅下降的趨勢。2011年很有可能再次進入殘酷的實力消耗戰。技術方面，微細化競爭愈演愈烈，以突破現有存儲器極限為目標的新存儲器的開發也越來越活躍。
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存儲器 NAND
- 針對2011年半導體資本支出的趨勢，設備大廠應用材料(Applied Materials)指出，2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長，幅度將勝過DRAM產業，晶圓代工也仍然相當強勁，預估整體半導體設備市場將有持平至5%的成長幅度。
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應用材料 NAND
- 集邦科技發布近日報告稱，明年全球閃存芯片銷售額將達到215億美元，同比上漲16%，但是其平均價格將同比下降35%。
集邦科技稱，新款智能機、平板機的發布以及春節期間的采購將緩解明年一季度閃存市場受到的季節性銷售因素影響。到二季度時，閃存市場的供需就會更加平衡，價格下降幅度不會太大。
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NAND 20nm
- 根據VLSIResearch發布的報告，該公司預測2010年度全球IC市場將成長32%，2011年度將成長8%;2010年度設備市場將成長103%，2011年度將成長10.6%。該公司認為目前的全球IC市場呈現出一些正面與負面的跡象;
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IC NAND
- O 引言 Flash是一種非易失存儲器，它在掉電條件下仍然能夠長期保持數據。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優點，近幾年在U盤、SD卡、SSD硬盤等各種移動存儲設備中得到了廣泛的應用。本文給出了
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芯片 設計 控制 flash SD NAND 用于
- 據iSuppli公司，由于智能手機以及平板電腦的使用量增加，2010年全球NAND閃存營業收入將達到最高紀錄。
預計2010年NAND閃存營業收入將達到187億美元，比去年的135億美元勁增38%，部分利益于智能手機和蘋果iPad等消費電子產品的使用量增加。由于今年下半年和明年供需雙雙增長，2011年NAND閃存市場將繼續增長，盡管不及今年強勁。iSuppli公司的數據顯示，預計明年NAND閃存市場上升25%至225億美元。
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NAND 智能手機
- 2010年對于全球半導體產業而言，可說是值得紀念的一年，拓墣產業研究所研究員陳蘭蘭表示，2010年全球半導體產業年成長率將高達30%，創下10年以來新高紀錄。然而，受到PC產業成長趨緩影響，2011年全球半導體產業僅將成長5%，移動通訊產品反成為支撐整體產業成長的重要動能。預估2011年移動通訊用產品占總體半導體比重將從2010年的26%提升至30%，Mobile DRAM和NAND Flash的重要性，也將隨著智能手機等移動通訊產品興起而與日俱增。
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SAMSUNG DRAM NAND
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規格，一是NAND，一是NOR.
簡單的來說，NAND規格快閃記憶體像硬碟，以儲存數據為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規格與NOR規格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [
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