- 針對2011年半導體資本支出的趨勢，設備大廠應用材料(Applied Materials)指出，2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長，幅度將勝過DRAM產業，晶圓代工也仍然相當強勁，預估整體半導體設備市場將有持平至5%的成長幅度。
- 關鍵字：
應用材料 NAND
- 集邦科技發布近日報告稱，明年全球閃存芯片銷售額將達到215億美元，同比上漲16%，但是其平均價格將同比下降35%。
集邦科技稱，新款智能機、平板機的發布以及春節期間的采購將緩解明年一季度閃存市場受到的季節性銷售因素影響。到二季度時，閃存市場的供需就會更加平衡，價格下降幅度不會太大。
- 關鍵字：
NAND 20nm
- 根據VLSIResearch發布的報告，該公司預測2010年度全球IC市場將成長32%，2011年度將成長8%;2010年度設備市場將成長103%，2011年度將成長10.6%。該公司認為目前的全球IC市場呈現出一些正面與負面的跡象;
- 關鍵字：
IC NAND
- O 引言 Flash是一種非易失存儲器，它在掉電條件下仍然能夠長期保持數據。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優點，近幾年在U盤、SD卡、SSD硬盤等各種移動存儲設備中得到了廣泛的應用。本文給出了
- 關鍵字：
芯片 設計 控制 flash SD NAND 用于
- 據iSuppli公司，由于智能手機以及平板電腦的使用量增加，2010年全球NAND閃存營業收入將達到最高紀錄。
預計2010年NAND閃存營業收入將達到187億美元，比去年的135億美元勁增38%，部分利益于智能手機和蘋果iPad等消費電子產品的使用量增加。由于今年下半年和明年供需雙雙增長，2011年NAND閃存市場將繼續增長，盡管不及今年強勁。iSuppli公司的數據顯示，預計明年NAND閃存市場上升25%至225億美元。
- 關鍵字：
NAND 智能手機
- 2010年對于全球半導體產業而言，可說是值得紀念的一年，拓墣產業研究所研究員陳蘭蘭表示，2010年全球半導體產業年成長率將高達30%，創下10年以來新高紀錄。然而，受到PC產業成長趨緩影響，2011年全球半導體產業僅將成長5%，移動通訊產品反成為支撐整體產業成長的重要動能。預估2011年移動通訊用產品占總體半導體比重將從2010年的26%提升至30%，Mobile DRAM和NAND Flash的重要性，也將隨著智能手機等移動通訊產品興起而與日俱增。
- 關鍵字：
SAMSUNG DRAM NAND
- NAND Flash的壞塊管理設計,摘要：主要介紹了基于嵌入式Linux的NAND Flash壞塊管理設計和實現方案，詳細闡述了壞塊映射表的建立、維護及其相關算法，同時分析了此壞塊算法在Linux內核及Bootloader中的具體應用。測試結果表明該算法能夠處理NAND
- 關鍵字：
設計 管理 Flash NAND
- 給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設計方法，文中集中研究了其中的軟件部分，探討了管理flash物理塊的算法，提出了塊級和頁級兩級地址映射機制以及映射信息在flash的存儲定義，同時還提出了對flash的分區方法。
- 關鍵字：
設計 實現 算法 管理 Flash NAND
- 隨著DRAM和NANDFlash市場價格持續崩跌，不僅上游DRAM廠營收紛呈現大幅衰退情況，下游存儲器模塊廠亦受到牽累，10月營收亦持續下滑，其中，威剛10月營收較9月減少達17.1%。威剛表示，預期11月營收將因為產業景氣進入淡季，而持續呈現衰退景況，公司因應策略是致力降低庫存水位，將庫存維持在約3~4周水平。
- 關鍵字：
DRAM NAND
- 隨著DRAM和NANDFlash市場價格持續崩跌，不僅上游DRAM廠營收紛呈現大幅衰退情況，下游存儲器模塊廠亦受到牽累，10月營收亦持續下滑，其中，威剛10月營收較9月減少達17.1%。威剛表示，預期11月營收將因為產業景氣進入淡季，而持續呈現衰退景況，公司因應策略是致力降低庫存水位，將庫存維持在約3~4周水平。
- 關鍵字：
三星 DRAM NAND
- 集邦科技旗下研究機構 DRAMeXchange 指出，JEDEC Task group 中的一些主要成員如：三星 (Samsung)、諾基亞(Nokia)、美光(Micron)、高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)、晟碟(SanDisk)、德州儀器(TI)、意法半導體(ST)等國際大廠，近期正在積極推動新的 NAND Flash 應用接口標準 UFS (universal Flash storage)的規格制定事宜。
- 關鍵字：
三星 NAND UFS
- 三星電子(SamsungElectronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設的半導體廠，決定將先提供閃存(NANDFlash)量產使用。據南韓電子新聞報導，三星預計于2011年初完工的半導體華城廠16產線，將于2011年下半開始優先量產閃存。
- 關鍵字：
三星半導體 NAND
- DRAMeXchange 最新發表的研究報告指出，固態硬盤(SSD)一直以來為各家 NAND Flash 廠商所寄予厚望的產品，主要是固態硬盤對于 NAND Flash 的使用量來說是一般內建式應用產品、U盤與記憶卡的數倍之多，因此對于固態硬盤對于NAND Flash消耗量來說有很大的幫助。
- 關鍵字：
固態硬盤 NAND
- 固態硬盤一直以來為各家NAND Flash廠商所寄予厚望的產品，主要是固態硬盤對于NAND Flash的使用量來說是一般內建式應用產品、隨身碟與記憶卡的數倍之多，因此對于固態硬盤對于NAND Flash消耗量來說有很大的幫助。而從消費者的論點來看，固態硬盤的傳輸速度為傳統硬盤的兩倍以上，同時也兼具了省電與抗震動的特點，因此，DRAMeXchange認為，在未來高畫質影音與大容量檔案傳輸的需求將大幅提升之下，對于固態硬盤的需求若能在價格有效下降至可接受的范圍將會開始提升。
- 關鍵字：
固態硬盤 NAND
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規格，一是NAND，一是NOR.
簡單的來說，NAND規格快閃記憶體像硬碟，以儲存數據為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規格與NOR規格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [
查看詳細 ]
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
