鎧俠為實現超高容量SSD，正試驗7bit/cell超高密度的3D NAND Flash

NAND Flash制造商一直試圖通過增加每個單元存儲的位數來提高其存儲設備的存儲密度，據外媒報導，近日鎧俠表示，公司一直在試驗在一個單元中存儲更多比特數的NAND Flash閃存。

據報道，近日鎧俠表示，已設法在每個單元中存儲7 Bits (7 bpc)，盡管是在實驗室和低溫的條件下。 為了使存儲密度更高，存儲電壓狀態的數量將隨著每個單元存儲Bits的增加呈指數增長。例如，要存儲4位，單元必須保持16個電壓電平 (2^4)，但使用6位，該數字會增長到64(2^6)。而鎧俠實現的每個單元存儲7位則需要保持128個電壓狀態(2^7)。

鎧俠在2022年國際記憶研討會 (IMW 2022) 上展示了描述其成就的論文，鎧俠使用通過外延生長構建的單晶硅通道來達成7 bpc的存儲，單晶硅的電阻比多晶硅低，因此更容易記錄此類單元。報告稱，與傳統晶體管相比，具有單晶硅單元晶體管的亞閾值斜率更陡，而泄漏電流和讀取噪聲更低。這種NAND Flash單元現在還無法在商業實現，為了記錄和讀取，鎧俠的科學家們不得不在實驗室中完成試驗，將芯片浸入液氮(-196°C)以穩定材料，降低電壓要求。

在實驗室中構建定制晶體管只是超高密度NAND Flash挑戰的一半。首先，研究人員必須開發和使用具有適合處理128種電壓狀態的自定義編碼方案的專用SSD控制器，能夠準確處理128個電壓電平的控制器可能與微處理器一樣復雜且價格昂貴。

因此，主要問題是使用昂貴且復雜的SSD控制器將3D NAND記錄密度從5 bpc增加到7 bpc是否有意義。雖然 最好的SSD往往成本很高，但過于先進的控制器可能變得過于昂貴，并消除它們的所有優勢。 西部數據認為， 即使在2025年之后，哪怕是5 bpc的3D NAND也幾乎沒有意義。但是，鎧俠現在展示了7 bpc的物理可能性，甚至談到了最終可以提升至8 bpc。