- 在日前的一場閃存高峰會中,SanDisk公司的技術長Yoram Cedar指出,下一代光刻技術的延遲,將導致NAND閃存的成長趨緩。市場原先對閃存的展望都相當樂觀,但Cedar表示,由于超紫外光(EUV)光刻技術的延遲,閃存的成長可能需要再評估。
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SanDisk NAND
- 來自以色列的閃存廠商Anobit近日宣布推出新款高性能超低功耗嵌入式閃存控制器“MSP2025”,主要面向平板機、智能手機等便攜設備,數據傳輸率可達空前的666MB/s,成為迄今為止性能最高的嵌入式閃存控制器。
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智能手機 閃存
- 全球第二大閃存制造商東芝公司(Toshiba Corp)周三警告說,由于PC市場不景氣,美國和歐洲等經濟體持續動蕩以及日元強勢等原因,該公司芯片業務的利潤可能達不到預期。
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東芝 芯片 NAND
- 全球領先的閃存存儲解決方案供應商SanDisk公司(NASDAQ:SNDK)今日宣布,在其郵票大小的嵌入式固態硬盤系列SanDisk iSSD產品線中采用全新的SATA μSSD標準。 一直致力于維護串行ATA (SATA) 技術的質量和完整性以及推廣工作的國際標準組織SATA-IO也于今日發布了此項標準。
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SanDisk 閃存
- 據韓國電子新聞報導,計算機用DRAM芯片價格快速下跌,NAND Flash合約價也從6月起出現陡峭跌幅,2個月內出現2011年來最低價2美元紀錄。下半年則因智能型手機(Smartphone)與平板計算機 (Tablet PC)新品陸續問世,可望帶動NAND Flash價格回升。
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NAND DRAM芯片
- 隨著存儲器容量越來越大,NANDFlash產業制程在進入20納米制程后,也開始遇到瓶頸,業界在未來制作更大容量存儲器上,面臨是否繼續發展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術上些微領先最大競爭對手公司韓國三星電子(SamsungElectronics),但短期內該技術也將可能面臨瓶頸,因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司,均已決定投入3D存儲器的開發。
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三星 存儲器 NAND
- 隨著存儲器容量越來越大,NAND Flash產業制程在進入20納米制程后,也開始遇到瓶頸,業界在未來制作更大容量存儲器上,面臨是否繼續發展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術上些微領先最大競爭對手公司韓國三星電子(Samsung Electronics),但短期內該技術也將可能面臨瓶頸,因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司,均已決定投入3D存儲器的開發。
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爾必達 NAND
- 內存的成本高昂,今年 NAND 在家庭主機和手持設備上的密集度仍將提高 40% 以上,而這是游戲最主要的游戲環境。
今年家用游戲主機的 NAND 平均密度預計達 923MB,較去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戲設備的 NAND 平均密度則預計自去年的 87MB 增長 41.4%,達 123MB。
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Sony NAND
- LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技術,用于為 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供基于閃存的高速緩存保護功能。MegaRAID CacheVault 采用固態 NAND 閃存,能夠在電源發生故障的時候自動將高速緩存中的數據轉移到閃存中,從而為存儲在 RAID 控制器緩存中的數據提供強大的保護。CacheVault 技術避免了采用鋰離子電池的麻煩,并可節約相關的硬件維護成本,從而實現更環保、總體成本更低的高速緩存保護解決方案。
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LSI NAND
- 據IHS iSuppli公司的NAND閃存研究報告,盡管NAND閃存成本較高妨礙其進入游戲硬件,但2011年家庭游戲機與手持游戲機中的NAND密度將增長40%以上。
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索尼 NAND
- 很多評論家,包括ESG的分析師都已經開始預測,在未來短短幾年內,閃存將在主存儲中完全取代磁盤,使閃存成為一種新型的磁盤。他們的基本論點是,因為固態盤(SSD)是基于集成電路的,所以他們的價格遵循摩爾定律,然而作為一種不可靠的機械裝置的硬盤卻并非如此。
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閃存 磁盤
- 很多評論家,包括ESG的分析師都已經開始預測,在未來短短幾年內,閃存將在主存儲中完全取代磁盤,使閃存成為一種新型的磁盤,磁盤成為新型的磁帶,而磁帶變成老舊的磁帶,甚至是死亡。雖然沒有什么比不再用聽到磁頭劃過盤片的聲音更好的事了,但是我認為這些評論者可能有點樂觀了,就像是時尚人士預測深褐色會成為一種新的黑顏色一樣。
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閃存 磁盤
- 三星電子一家新的存儲半導體制造廠將于9月投入運營。消息人士說,新廠編號為“Line-16”,主要生產NAND芯片。
2010年5月時,三星在韓國京畿道(Gyeonggi Province)華城(Hwaseong)破土動工,建立新的工廠。此前三星曾透露說,Line-16工廠月產20萬片12寸圓晶。
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三星 NAND
- 日前東芝和SanDisk在日本建立了第三家半導體工廠,以應對智能手機和平板電腦的快速發展而帶來的對閃存芯片的大量需求。該工廠主要生產300毫米晶片NAND半導體,工廠名稱為“Fab 5”。
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東芝 NAND
- 東芝株式會社 與Sandisk公司日前共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產基地的第三家300mm晶圓NAND生產工廠Fab 5正式投產。
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