- 基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設計,摘要：介紹了一種最新DDR NAND閃存技術，它突破了傳統NAND Flash 50 MHz的讀寫頻率限制，提供更好的讀寫速度，以適應高清播放和高清監控等高存儲要求的應用。分析該新型閃存軟硬件接口的設計方法。
關鍵詞：DDR NAN
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嵌入式 接口 設計 高性能 閃存 DDR NAND 基于
- 摘要：為了解決目前記錄系統容量小、存儲速度低的問題，采用性能優良的固態NAND型FLASH為存儲介質，大規模集成電路FPGA為控制核心，通過使用并行處理技術和流水線技術實現了多片低速FLASH時高速數據的存儲，提高了整
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FLASH NAND 大容量 存儲
- 存儲器是隨著計算機而發展起來的一種專用電子部件，用于保存數據和程序，傳統上計算機的主存儲器稱Memory，外部設備用存儲器稱Storage(常用磁盤、磁帶)。上世紀50年代中期，主存曾用磁芯存儲器，60年代中期以來，半導體存儲器開始取代磁芯存儲器。隨著時間的前進，存儲器獲得了長足的發展。
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存儲器 NAND 201105
- 數年來固態硬盤正在變得越來越便宜和可靠，但相比大容量的硬盤而言，這種產品在容量和價格比上依然顯得有些奢侈，例如40GB的Intel SSD相當于1TB的西部數據硬盤的價格。盡管如此，Gartner依然對SSD市場的前景十分看好，并認為到2012年下半年，固態硬盤將成為市場的主流，并預期到時候的價格將會下降到每1美元1GB，這意味著主流的SSD價格將下調到100美元以下，例如64GB64美元，從而開始被大眾接受。
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NAND SSD
- 0 引言 計算機技術的高速發展，存儲系統容量從過去的幾KB存儲空間，到現在的T8；乃至不久的將來要達到的PB存儲空間，其數據存取的能力在飛速擴展。隨之而來產生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和數據生命周期管
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FLASH NAND 儲存 測試系統
- 5月13日消息，據國外媒體報道，全球最大的內存芯片廠商三星電子周四稱，它已經開始大批量生產新的NAND閃存芯片。這種閃存芯片傳送速度的速度比目前市場上的任何其它NAND閃存芯片都要快。
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三星 NAND
- 2011年全球NAND Flash中，全球三星電子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市場龍頭，市占率高達36.2%，緊追在后的是東芝(Toshiba)，市占率達35.1%，兩者合計掌握70%以上NAND Flash市場;根據市調機構TrendForce最新統計，2011年第1季NAND Flash品牌供應商的位元出貨量為13%，營收成長9.9%，達53.63億美元。
2011年第1季全球NAND Flash市場變化相當多，最大影響當屬日本311東北強震，對
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三星電子 NAND
- 行業領先的閃存解決方案廠商Spansion公司(NYSE:CODE)今日發布截止至2011年3月27日第一財季的運營成果。由于公司重組后實行的新會計計量產生的影響，Spansion公司同時提供GAAP和非GAAP結果。公司美國GAAP凈銷售額為2.929億美元，經營虧損70萬美元，凈虧損1410萬美元。公司美國非GAAP調整后凈銷售額2.944億美元，調整后運營收入3850萬美元，調整后凈收入為2510萬美元。
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Spansion 閃存
- 帶有雙組閃存的MCU優點,MCU(微控制器)在過去幾十年里在CPU性能、通信接口、模數和數模外設、內存大小及讀寫次數等方面呈指數發展。我們專注于帶有非易失性嵌入式存儲器的MCU(我們在USB閃存驅動器、存儲器等內擁有閃存)，從首批帶有一次性編
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MCU優點 閃存 雙組 帶有
- 據了解，由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產量。
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三星 NAND Flash
- 由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產量。
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三星 NAND 移動設備
- 由于智能型手機等行動裝置應用驅動NANDFlash需求成長，加上日本強震造成東芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供貨銳減50%，美光(Micron)看好NANDFlash產業將持續供不應求，除與英特爾(Intel)合資新加坡廠取得多數股權和產能，未來不排除再擴大NAND Flash產能，可行方案包括釋出代工權給華亞科生產，或是啟動新加坡二廠。美光指出，未來NAND Flash策略不追求市占第1，但要做到成本最低。
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- 據韓國媒體報道，內存調研公司集邦科技發布最新研究數據，今年四月上旬NAND閃存芯片價格創下了7個月以來的新高水平，一定程度上反映了繼上月日本地震海嘯災害中斷相關供應鏈后芯片價格的總體情況。
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- 東芝宣布其開發出了“全球首款”(該公司)采用19nm工藝的64Gbit NAND型閃存。將從2011年4月底開始樣品供貨，2011年第三季度(2011年7～9月)開始量產。此次開發的64Gbit NAND芯片是2bit/單元產品，還計劃推出3bit/單元產品和1bit/單元產品。不過，這些產品的上市時間目前“尚未確定”(東芝)。
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東芝 NAND
- NAND Flash嵌入式存儲系統結構分析, 本文是以Samsung的NAND Flash K9F2808U0C作為存儲芯片，設計了一種在NFTL上實現壞塊管理并且實現連續數據讀取的方法。
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