- 佐治亞理工學院和 NEC 合作的一項研究顯示, 盡管大部分專家和普通用戶都認為 CPU 和糟糕的無線網絡是智能手機性能問題的主要原因, 但事實上對于大部分現(xiàn)代智能手機, 存儲設備速度的落后才是手機性能低下的罪魁禍首. 糟糕的閃存而非 CPU 速度或網絡連接導致了瀏覽網頁和閱讀文檔時的手機卡頓.
在對數款銷量最好的 16GB 存儲卡的測試中, 研究人員使用了最常見的幾種安卓手機, 結果發(fā)現(xiàn)在大部分手機上 NAND 閃存會導致移動應用的性能下降兩到三倍. 唯一例外是金士頓的嵌入式存儲卡 - 它導致的
- 關鍵字:
NEC 閃存
- 閃存存儲器將成為云計算和虛擬化的重要組成部分,現(xiàn)在是時候拋棄傳統(tǒng)硬盤了。云計算和虛擬化已經極大地改變了服務器基礎架構,但真正推動存儲行業(yè)復興則是固態(tài)硬盤和閃存的崛起。
閃存將繼續(xù)為企業(yè)領域帶來亟需的推動作用。從Fusion-io去年的IPO(首次公開招股),到Nutanix和Tintri等最近出現(xiàn)的一系列風險投資支持的創(chuàng)業(yè)公司,閃存的作用正在越來越大。
隨著通過虛擬化和云計算部署的應用和數據庫數量的增多,傳統(tǒng)硬盤存儲序列正在成為嚴重的性能瓶頸,逐漸被市場邊緣化。虛擬化和云計算基礎架構可以減
- 關鍵字:
閃存 云計算
- 基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現(xiàn), Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體,因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數 據不丟失等一系列優(yōu)點,已逐步取代其它半導體存儲元件,成為嵌入式系統(tǒng)中數據存儲的主 要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨
- 關鍵字:
存儲 管理 TMS320F28x 實現(xiàn) Flash Nand 磨損 均衡 思想
- MAX16065/MAX16066閃存可配置系統(tǒng)管理器能夠對多個系統(tǒng)電壓進行監(jiān)測、排序。MAX16065/MAX16066還可利用一個 ...
- 關鍵字:
MAX16065 MAX16066 閃存 管理器
- 據媒體報道,根據亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數據,2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達到48.9億美元,環(huán)比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場的龍頭,市場份額達到了34.6%。
集邦科技提供的數據顯示,NAND閃存出貨環(huán)比增長了大約5%,而平均銷售價格則環(huán)比下滑了13%。集邦科技指出,雖然存儲卡和閃存的零售增幅依然緩慢,但是智能手機和平板電腦制造商對閃存的需求依然非常強勁。
集邦科技指出,三星電子
- 關鍵字:
海力士 NAND
- 外電報導,全球第二大內存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并財報:受內存價格下滑、PC需求趨緩的影響,凈損達2,399億韓元(2.131億美元),遜于去年同期的純益300億韓元,已連續(xù)第2季繳出虧損成績單;營收年減7.2%至2.55兆韓元;營損達1,675億韓元,遜于去年同期的營益2,940億韓元。根據彭博社調查,分析師平均預期Hynix Q4凈損將達1,617億韓元。根據Thomson Reuters調查,分析師原先預期Hynix Q4
- 關鍵字:
Hynix NAND
- 上海宏力半導體制造有限公司(宏力半導體),專注于差異化技術的半導體制造業(yè)領先企業(yè)之一,宣布其代工的0.18微米以下嵌入式閃存產品已突破100,000 片8英寸晶圓。
目前,宏力半導體擁有0.25/ 0.18/ 0.13微米一系列嵌入式閃存技術平臺,均已實現(xiàn)產業(yè)化。2005年,0.25微米嵌入式閃存工藝投產,應用于國外知名企業(yè)的汽車引擎控制和安全氣囊芯片,已出貨1400萬顆,至今仍保持現(xiàn)場應用零退貨的記錄。
2007年,宏力半導體0.18微米嵌入式閃存產品進入量產,成功實現(xiàn)了當時業(yè)界最小的單
- 關鍵字:
宏力半導體 閃存
- 據悉,蘋果(APPLEInc.AAPL)已經成功收購以色列半導體公司Anobit。Anobit是Anobit是NAND閃存控制器開發(fā)商,是iphone和ipad閃存控制器的提供商。
Anobit作為NAND閃存控制器開發(fā)商,號稱可提升閃存的耐久度(最大讀寫次數),蘋果是全球該商品最大買家。根據SanfordC.Bernstein&Co.1月6日的數據顯示,2011年第四季度蘋果占了NAND閃存控制器全球總銷量23%的比重。
蘋果發(fā)言人史蒂夫道林(SteveDowling)11日證實
- 關鍵字:
蘋果 閃存
- 根據市場研究機構Bernstein Research 公司分析師Toni Sacconaghi 報告指出,蘋果公司在上一季買了全球NAND 快閃記憶體出貨量的23% ,憑借著這么大的采購量,蘋果拿到的成本價格可說是出乎意料之外的低。
Sacconaghi 報告指出,蘋果產品在2011 年第四季消耗了容量總數高達14.5 億GB 的NAND 快閃記憶體;其中iPhone 占了其中50% , iPad 為30% 。這么大的量,自然讓蘋果購買NAND 快閃記憶體有很大的折扣,大約是每GB 價格為0.6
- 關鍵字:
蘋果 NAND
- 新年的第一個工作日,LSI宣布已完成對 SandForce 公司的收購。SandForce 是一家面向企業(yè)級和客戶端閃存解決方案以及固態(tài)驅動器 (SSD) 的閃存處理器領先供應商。在引入能夠提升應用性能的創(chuàng)新型閃存解決方案后,LSI 將在高速發(fā)展的閃存處理器市場上處于領先地位,可滿足超級本、筆記本電腦以及企業(yè)級 SSD 和閃存解決方案的要求。
LSI執(zhí)行副總裁兼首席運營官 Jeff Richardson 表示:“客戶對本次收購反應非常積極,我們很高興能將 LSI 和 SandForce
- 關鍵字:
LSI 閃存
- 據國外媒體報道,周三,韓國政府宣布,已經批準三星電子在中國建設一座閃存芯片工廠。這家工廠計劃投資40億美元,是三星在海外的第二座芯片工廠。工廠將使用20納米或以下半導體生產工藝,大規(guī)模的量產將會在在2013年啟動,該工廠每月處理的晶圓個數將達到十萬個。據報道,三星電子目前尚未確定工廠的選址。
根據韓國政府規(guī)定,本國企業(yè)要在海外設立高科技生產基地,必須向政府提交申請,以避免高端技術的外泄。韓國知識和經濟部官員周三表示,三星電子將會成立一個委員會,專門防止中國工廠閃存芯片技術被泄露。
三星是全
- 關鍵字:
韓國 閃存
- 日系DRAM廠爾必達(Elpida)身陷財務風暴,近期傳出在日本官方作媒下,正與同為日系NAND Flash大廠東芝(Toshiba)洽談整合事宜。對此東芝和爾必達高層都不予置評。
近期再度傳出爾必達與東芝高層就合并及整合密談協(xié)商,且日本政府扮演關鍵要角。內存業(yè)者透露,東芝在發(fā)展行動裝置上,需要與爾必達Mobile RAM結合,才能打敗美韓陣營,雙方確實有接觸洽談整合事宜,但東芝對于重返DRAM領域意愿不高,另外,日本政府亦認為,DRAM市場雖萎縮,但技術必須傳承,有意促使兩大半導體廠整合。
- 關鍵字:
東芝 NAND
- 串行閃存的一匹黑馬
存儲器業(yè)是巨型玩家的戰(zhàn)場,新企業(yè)躋身于此談何容易!
但是,一家號稱從打游擊戰(zhàn)起家的企業(yè)——兆易創(chuàng)新,2010年出貨1億多顆串行閃存;2011年出貨超過3億顆,營業(yè)額將近5億元人民幣,進入了代工廠——中芯國際(SMIC)的本土客戶中的前五大流片商名單。
而兆易創(chuàng)新2005年才成立,如今只有6歲,早期是做存儲器IP的業(yè)務,2007年底開始轉型做NOR Flash(閃存),定位移動產品用的串行閃存(SPI Flash),已
- 關鍵字:
中國芯 閃存 CSIP2011
- 在工業(yè)和信息化部的指導下,由中國電子工業(yè)科學技術交流中心(工業(yè)和信息化部軟件與集成電路促進中心)(簡稱CSIP)和濟南市經濟和信息化委員會共同主辦的2011中國集成電路產業(yè)促進大會暨第六屆“中國芯”頒獎典禮于12月16日在濟南隆重召開。
以下是記者對于兆易創(chuàng)新何衛(wèi)的采訪實錄:
記者:現(xiàn)在國家的行政單位、政府采購用你們的方案嗎?
何衛(wèi):目前還沒有。
記者:你們的主攻方向還是在移動互聯(lián)網這一塊,是嗎?
何衛(wèi):我們是做閃存的,這一塊其實能夠了解的是每一個
- 關鍵字:
中國芯 閃存 CSIP2011
nand 閃存介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條nand 閃存!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對nand 閃存的理解,并與今后在此搜索nand 閃存的朋友們分享。
創(chuàng)建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司

京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網安備11010802012473