- 2010年閃存芯片的制造工藝普遍都是30nm級別，2011年則將成為20nm級別普及的開端，同時10nm級別工藝的投資和研發也即將陸續開始。
SanDisk近日就表示：“2011年我們的首要營業費用投資就是研發，包括Fab 5晶圓廠上線投產，以及(10nm級別)和更先進NAND閃存制造工藝的技術投資。”
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SanDisk 10nm 閃存
- 據iSuppli公司，作為多種消費電子產品的事實性存儲媒介，NAND閃存2011年將再度實現兩位數的增長。
2010年NAND閃存銷售額創下最高紀錄，增長38%。預計今年銷售額將達到220億美元，比2010年的187億美元增長18%。而NAND閃存比特出貨量增長幅度更大，預計2011年增長72%，達到193億GB。
盡管增長勢頭強勁，但2011年底市場形勢可能發生變化。考慮到目前市場中樂觀氣氛彌漫，而且供應商可能過度投資擴大生產，風險可能在2011年底浮現，屆時供應可能超過需求。預計201
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NAND 閃存
- 據iSuppli公司，作為多種消費電子產品的事實性存儲媒介，NAND閃存2011年將再度實現兩位數的增長。
2010年NAND閃存銷售額創下最高紀錄，增長38%。預計今年銷售額將達到220億美元，比2010年的187億美元增長18%。而NAND閃存比特出貨量增長幅度更大，預計2011年增長72%，達到193億GB。
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三星電子 NAND
- 英特爾(Intel)跨足NAND Flash產業邁入第5年，但近期在策略上有諸多調整，引發存儲器業界高度關注，包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡廠將于2011年投產，卻不見英特爾投資身影，近期英特爾在亞太區NAND Flash操盤手、亦是嵌入式產品事業群暨微型移動裝置事業群執行總監陳武宏閃電離職，更引發存儲器業者一陣嘩然，目前該職務由英特爾亞太區技術營銷服務事業群執行總監黃逸松暫代，而相關模塊廠對此表示，雙方合作關系不會受影響。
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英特爾 NAND
- 據國外媒體報道，美國國際貿易委員會(以下簡稱“ITC”)當地時間周四裁定，三星及其客戶沒有侵犯飛索半導體(以下簡稱“飛索”)的兩項芯片專利。
如果三星及其客戶侵犯了飛索的專利，蘋果、RIM等公司的多項產品將被禁止進入美國市場。飛索曾經是NOR閃存領域的領頭羊。
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三星 閃存
- 集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示，在Android可望逐漸成熟，市場接受度提高，預期2011年平板計算機出貨量由今年的1500萬臺大增至5000萬臺的規模，可說是平板計算機起飛年，將帶動內建式NAND Flash應用，預估2011年平板計算機占整體NAND Flash的消耗量比重將從今年的5%提升至10%以上。
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平板計算機 NAND
- 亞洲最大半導體交易市場Dramexchange分析師西恩·楊15號(周三)表示，東芝旗下一家芯片工廠突發短時電力故障，以致NAND芯片出現停產。該分析師還表示，到2011年1月中旬之前，包括iPad在內等多款產品均在使用的這款NAND閃存芯片價格或將上漲15%。
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- JEDEC 固態技術協會, 微電子產業全球領導標準制定機構日前宣布，將于近期發布下一代閃存存儲器標準 - 。在近期所舉辦的JEDEC委員會上，該標準制定取得的重大進展。該標準旨在成為智能手機與平板電腦等移動電子設備所使用的基于閃存的最先進的存儲規范。UFS標準的開發宗旨是為了滿足不斷提高的設備性能需求。其最初所支持的數據吞吐速率是每秒300兆字節，并支持指令排隊功能，以便提高隨機讀寫速度。該標準預計將在未來3個月內完成。
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閃存 JEDEC
- 根據Gartner發布的報告，該公司下調對于明(2011)年度半導體設備市場的預測;原先該公司預期將成長4.9%，現在預期將縮減1%。另外，Gartner原先預估今年成長113%，現在估計可達131%至384億美元。該公司分析家KlausRinnen指出，今年產業創造了有史以來最強勁的成長，不過2011年度的市場將比較疲軟，屆時設備采購主要的重點將在于產能的擴充而不是在技術設備上。他表示由于媒體平板電腦的拉抬，NAND將是記憶體領域中資本投資最多者。
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- 2010年全球半導體市場成長幅度超過30%，這是在歷經過去幾年全球不景氣之后，經濟復蘇所展現出的成果。而據Semico預測，2011年全球半導體銷售額年成長幅度大約小于10%。乍看之下，這比2010年成長率要低得多，它代表壞消息嗎?事實上，這個溫和的成長數據代表著半導體市場正在回歸正常軌道。
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東芝 半導體 NAND
- 基于SPIFI外設的Cortex-M MCU嵌入式閃存選型解決方案,新型恩智浦ARM Cortex-M3微控制器首次采用的SPI閃存接口技術(SPIFI，已申請專利)可以幫助32位嵌入式系統設計人員以小尺寸、低成本的串行閃存替代大尺寸、高成本的并行閃存。利用SPIFI (讀音與spiffy諧音，意為ldquo
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閃存 選型 解決方案 嵌入式 MCU SPIFI 外設 Cortex-M
- 美系存儲器大廠美光(Micron)2010年全球NAND Flash市占率大躍進，已擠下海力士(Hynix)坐穩全球三哥寶座，在擴產速度上，美光在2011年也不會缺席，與英特爾(Intel)合資的新加坡廠也將在2011年第2季開始投產，對于三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)2011年也有擴產計畫，美光表示不擔心供過于求，在產能增加的同時，平板計算機等應用也大幅崛起，預計2011年NAND Flash市場供需可維持健康的狀態。
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美光 NAND
- 臺灣長久缺席的快閃存儲器產業終于出現曙光，由于既有NAND Flash技術在20納米制程以下面臨天險，全球大廠紛競逐下世代技術，近期國家納米元件實驗室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術架構下，研發出全球最小的9納米電阻式存儲器，計劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯盟”，將廣邀存儲器廠及晶圓代工廠加入，首波會先洽談臺系存儲器廠，目標5~10年內將此技術導入量產，讓臺灣正式加入NAND Flash產業戰局。
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- 亞洲最大的半導體交易市場Dramexchange分析師周三表示，由于東芝一家芯片工廠因短時電力故障而停產的影響，到2011年1月中旬之前，NAND閃存芯片的價格可能會上漲15%。
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東芝 NAND
- 華爾街日報(WSJ)報導，東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會影響接下來的產能，普遍使用于智能型手機(Smartphone)、平板計算機(TabletPC)及數碼音樂播放器的NAND價格將因此跟漲。
東芝表示，這次的跳電事件可能影響未來2個月的產能，減少20%的產出。東芝與新帝(SanDisk)合資生產，總產出約占市場產能的3分之1，出貨量僅次于排名全球第1的三星電子(SamsungElectronics)。
接下來幾個月，全球的快閃存儲器市場的供
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