因中國大陸、中國臺灣智能手機廠商紛紛強化產品功能、帶動記憶體需求大增，加上三星電子西安工廠6月因附近變電廠爆炸而一度停工，帶動使用于智能手機、記憶卡的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)交易價格轉趨走揚，指標性產品6月份批發價在1個月期間內飆漲22%。
報道指出，6月份MLC(Multi-Level Cell)類型64Gb NAND價格揚升至每個2.75美元、為2年9個月以來首度走升，其中也有部分交易價格超過3美元，且進入7月以來價格仍持續走揚。據英國調查公司指出，2016年全球NA
關鍵字：
三星 NAND
三星3D V-NAND立體堆疊閃存行業聞名，而且已經堆到了驚人的48層，工藝精良，不過據《日經亞洲評論》報道，東芝正在謀劃多達64層的NAND閃存，比三星多三分之一!
7月15日，東芝舉辦了日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導體二廠的啟用儀式，并透露將在此生產48層堆疊閃存，并計劃2016財年(截止到2017年3月底)內量產。
這種閃存的成本和價格會比較高，但是因為容量可以做的更大，平均價格反而會更便宜，可用于從智能手機、固態硬盤到數據中心等各種領域，初期主要供應持續增長的數據中心。
關鍵字：
東芝 閃存
目前，越來越多的智能手機廠商，開始大幅度提高手機閃存的容量，市場對于閃存的需求和技術要求越來越高。據悉，日本東芝和韓國三星電子在閃存技術上存在激烈競爭，而東芝領先了一局，該公司即將大規模生產3D閃存。
手機內存越配越高
據日本經濟新聞周六報道，本財年內(明年三月底之前)，東芝公司將會投產最新一代的3D閃存，這將領先于閃存老對手三星電子。
眾所周知的是，東芝因為財務丑聞，公司運營陷入了艱難境地，東芝也希望自己占據技術優勢的閃存業務，能夠提振全公司的表現。
關鍵字：
東芝 閃存
據海外媒體報道，東芝(Toshiba)計劃領先三星電子(Samsung Electronics)于2016財年開始量產64層3D NAND Flash存儲器芯片。日經亞洲評論(Nikkei Asian Review)報導，東芝于7月15日舉辦日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導體二廠啟用儀式，未來將在此工廠生產64層NAND Flash。
64層NAND Flash較東芝和三星目前生產的48層NAND Flash容量高30%，雖然價格較高，但每單位容量會比48層版的便宜。若應用于智能型手機
關鍵字：
東芝 NAND
有關中國半導體業發展的討論已經很久了，似乎路徑已經清晰，關鍵在于執行，以及達成何種效果。受現階段產業大環境的影響，仍由政府資金主導，因此非市場化的因素尚在，產業的波浪式前進似乎不可避免，中國半導體業發展需要采用研發、兼并及合資與合作的三駕馬車，這三者都十分重要，需要齊頭并進。
關鍵字：
半導體 NAND
備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃記憶體已經出現在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。
三星(Samsung)早在2015年8月就發布其256Gb的3位元多級單元(MLC) 3D V-NAND快閃記憶體K9AFGY8S0M，并強調將用于各種固態硬碟(SSD)，也預計會在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實現了，我們得以在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發現其蹤影(如圖1)。
圖1：三星T3 2TB S
關鍵字：
三星 V-NAND
東芝(Toshiba)統籌存儲器事業的副社長成毛康雄于6日舉行的投資人說明會上表示，將沖刺NAND Flash產量，目標在2018年度將NAND Flash產量擴增至2015年度的3倍水準(以容量換算)。
關于已在2016年度開始量產的3D結構NAND Flash，成毛康雄指出，將強化3D Flash的生產，目標在2017年度將3D產品占整體生產比重提高至5成、2018年度進一步提高至9成左右水準。
東芝為全球第2大NAND Flash廠商，市占率僅次于三星電子。
日經、韓國先驅報(
關鍵字：
東芝 3D NAND
Cell on Peripheral Circuit(以下簡稱Cell on Peri)構造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營開發，采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察，三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構造的COP(Cell Over Peri)方案，將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
關鍵字：
3D NAND 美光
DIGITIMES Research觀察，2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應3D NAND Flash的主要業者，然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲器業者陸續量產3D NAND Flash，三星獨家供應3D NAND Flash的狀況將改變，不過，三星已及早規劃增產3D NAND Flash及朝64層堆疊架構邁進，短期內仍將掌握產能與技術優勢。
三星已自2013年下半起陸續量產24層、32層
關鍵字：
三星 3D NAND
三星公司已經開始量產其48層(即單NAND內48層單元，屬于第三代升級技術)3D V-NAND芯片，預計其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業級SSD(PM1633a)等SSD產品。在各設備當中，將包含大量48層3D V-NAND存儲芯片且通過引線鍵合技術實現彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲單元，意味著每個NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
關鍵字：
三星 V-NAND
韓媒NEWSIS報導，韓國半導體業者將3D NAND視為克服不景氣的對策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進入量產的技術，在這之前業界采用的是水平結構，3D垂直堆疊技術成為克服制程瓶頸的解決方案。
3D NAND比20納米級產品的容量密度高，讀寫速度快，耗電量節省一半;采用3D NAND Flash存儲器的固態硬碟(SSD)其電路板面積也較小。基于上述優點，對于業界積極發展以人工智能平臺的相關服務，3D NAND成為具有潛力，有利于邁入第四次工業革命的技
關鍵字：
3D NAND 半導體
第三季NAND Flash供貨吃緊的態勢越發明顯，TLC-Wafer與現貨卡片價格自4月初以來已連續三個月份逐步走揚。
TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新報價顯示，第三季NAND Flash供貨吃緊的態勢越發明顯，TLC-Wafer與現貨卡片價格自4月初以來已連續三個月份逐步走揚，而近一個月漲幅開始增加。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示，NAND Flash原廠持續降低對于通路(Channel)的供貨比重來滿足eMMC/eMCP與固態硬碟(SS
關鍵字：
NAND Flash
全球在2016年與2017年將開始興建的晶圓廠至少有19座，其中有半數以上都是在中國。
根據SEMI的統計，全球在2016年與2017年將開始興建的晶圓廠至少有19座，其中有半數以上都是在中國;而2016年全球半導體廠商晶片制造設備支出估計將可達到360億美元，較2015年增加1.5%，2017年則可望再成長13%、達到407億美元。
包括全新、二手與專屬(in-house)晶圓廠設備支出，在2015年衰退了2%;而SEMI預期，3D NAND快閃記憶體、10奈
關鍵字：
晶圓 NAND
據韓國時報報導，三星電子于15日宣稱“2017年底前斥資25兆韓元擴充3D NAND型快閃存儲器產能”的投資內容尚未敲定，但有分析師似乎認為韓媒的報導內容相當可信。
barron`s.com16日報導，JP摩根發表研究報告指出，三星應該會在今年底將3D NAND的月產能拉高至接近16萬片晶圓 (西安廠12萬片、Line 16廠接近4萬片)。三星的西安廠目前已接近產能全開，且該公司還計劃把Line 16廠的部分2D NAND產能轉換為3D。
另外，三星也將善用Line
關鍵字：
三星 NAND
中國砸銀彈扶植半導體進度、成效驚人，國際半導體設備材料產業協會(Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI)上周五發布最新報告指出，今明兩年全球新增的半導體產能，預估有超過一半都將來自中國。
據SEMI表示，全球2016-2017年共將興建17座半導體廠，當中有10座設在中國，其中兩座生產存儲器、晶圓代工四座、剩余四座規模較小，主要生產類比式芯片、微機電系統(Micro Electro Mechanical Systems)與
關鍵字：
半導體 NAND
nand 閃存介紹
您好，目前還沒有人創建詞條nand 閃存!
歡迎您創建該詞條，闡述對nand 閃存的理解，并與今后在此搜索nand 閃存的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473