東芝近日公布聚焦能源、社會基礎設施、半導體存儲業務領域，擴大在存儲業務上的投資。為擴大3D閃存“BiCS FLASH TM”的生產，東芝在毗鄰日本四日市工廠(三重縣四日市市)的區域建造新廠房以及引進生產設備的投資方案已獲得董事會批準。
閃存廣泛應用于智能手機等產品，根據預測，以企業服務器和數據中心為主的需求今后也將不斷擴大。東芝四日市工廠將進行改造以便于在3D閃存“BiCS FLASH TM”的生產中，能夠高效利用與2D閃存通用的現有制造工序。在四
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東芝 閃存
不論是NAND閃存還是DRAM內存領域，韓國兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子，但美國的美光公司這兩年就沒啥舒服日子了，技術、產能都落后友商，偏偏現在又遇到了內存、閃存降價，跌跌不休的價格導致美光營收下滑了30%，當季凈虧損9700萬美元，對未來季度的預測同樣悲觀。
美光公司周三發布了截至今年3月3日的2016財年Q2財報，當季營收29.3億美元，上季度為33.5億美元，去年同期為41.66億美元，同比下滑了30%。
美光當季毛利只有5.79億美元，遠遠低于上季度的8
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DRAM NAND
在國家意志的推動下，中國存儲企業大多是不差錢的主，完全可以在沒有后顧之憂的情況下，砸出工藝，暴出產能，在如此力度的政策、資金扶持下，武漢新芯、紫光等中國企業能重演京東方在面板產業的逆襲么？
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存儲器 NAND
新學期伊始，全國各地的大學生們也全部返校，開始了新學期緊張的學習生活。新學期，新氣象，沒有一款得心應手的閃存盤怎么“漲姿勢”呢?朗科閃存盤春季上新集合完畢，正在熱切期待你的檢閱!還有上班一族、商務人士，也來為自己選購一款新裝備吧!
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朗科 閃存
TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange表示，中國記憶體大廠武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從本月底開始進行建廠工程，目標最快在2018年年初開始生記憶體晶片，初期規劃將以目前最先進的3D-NAND Flash為主要策略產品，代表了近兩年來中國極力發展記憶體產業的態勢下，將開始進入新的里程碑。
DRAMeXchange研究協理楊文得指出，現階段武漢新芯主要以生產NOR Flash為主，月產能約為2萬片左右，在NAND Flash產業也展現強大的企圖心。不同于國際NAND Fla
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NAND 存儲器
國際半導體產業協會(SEMI)最新報告指出，3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術投資，將驅動2016年晶圓廠設備支出攀升，預估2016年包括新設備、二手或專屬(In-house)設備在內的前段晶圓廠設備支出將增長3.7%，達372億美元;而2017年則可望再成長13%，達421億美元。
SEMI指出，2015年晶圓廠設備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%;預測2016年上半年晶圓廠設備支出可望緩慢提升，下半年則將開始加速，為2017年儲備動能。2017年相關支出可望回復兩位數成
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晶圓 3D NAND
中國正打造一個世界級的半導體產業，生產廣泛用于電子設備的存儲芯片。中國正斥資240億美元打造一個世界級的半導體產業，將與一家美國公司合作生產廣泛用于電子設備的存儲芯片。
武漢新芯集成電路制造有限公司(XMC)發言人表示，武漢新芯周一將在湖北省武漢市動工興建中國自己的首家閃存芯片工廠。這家芯片代工企業為中國政府所有。
武漢新芯去年與美國閃存生產商Spansion Inc. (CODE)結成合作伙伴，共同研發下一代芯片技術。Spansion后來在一樁50億美元的全股票合并交易中被柏士半導體(C
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新芯 閃存
國內終于要有了存儲，剩下的問題就是國產閃存應該如何與三星、Intel、東芝們競爭呢？初期的價格戰是不可避免的，但長久來看還得是技術立足。
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3D NAND 存儲
“失去的信任不是一朝一夕可以挽回的。雖然無法預測需要多長時間，但希望能獲得新生，成為一家能永久發展下去的企業”。東芝于2016年3月18日在東京召開了2016年度業務計劃說明會，代表執行董事社長室町正志在會上這樣說道。
東芝的一系列結構改革都已有了目標。在說明會前一天，東芝宣布將把醫療器械子公司——東芝醫療系統出售給佳能，將把白色家電業務出售給美的集團(參閱本站報道1)。關于個人電腦業務與其他公司進行業務合并一事，室町表示“希望在201
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東芝 NAND
東芝公司(Toshiba Corp., 6502.TO, TOSSY)周四稱，將投資3,600億日圓(合32億美元)，用于擴大閃存芯片生產。這是東芝為保持與韓國對手三星電子(Samsung Electronics Co., 005930.SE)的競爭能力而推出的最新舉措。
東芝預計，在截至3月底的當前財政年度內，公司將出現巨額虧損。東芝正在進行全方位的企業重組，包括削減數千個工作崗位和出售較小的部門等，旨在將重心放在半導體及核電廠業務上。
東芝說，這項3,600億日圓的投資計劃將跨越未來三
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東芝 閃存
為了進一步提高NAND Flash生產效益，2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產，但隨著逼近2D NAND工藝可量產的極限，加快向3D技術導入已迫在眉睫，2016年將真正迎來NAND Flash技術拐點。
1、積極導入48層3D技術量產，提高成本競爭力
與2D工藝相比，3D技術的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲容量。3D技術若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達128Gb，與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競爭力。
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3D NAND 2D
除供過于求價格下滑幅度加劇，現階段主流NANDFlash制程轉進已遇到瓶頸，另外開發與生產過程良率不佳的問題，制程轉進所帶來的成本下滑效益逐漸縮減。
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NAND 美光
2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續供過于求，除通路顆粒合約價下滑9~10%外，智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預期，也讓eMMC與SSD價格單季下滑幅度擴大至10~11%。
TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新報告顯示，在價格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營收較第三季衰退2.3%。該機構研究協理楊文得表示，除價格下滑幅度加劇外，現階段主流NAND Flash製程轉進已遇到瓶頸，三星(Sam
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NAND 三星
2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續供過于求，除通路顆粒合約價下滑9~10%外，智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預期，也讓eMMC與SSD價格單季下滑幅度擴大至10~11%。
TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新報告顯示，在價格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營收較第三季衰退2.3%。該機構研究協理楊文得表示，除價格下滑幅度加劇外，現階段主流NAND Flash制程轉進已遇到瓶頸，三星(Sam
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NAND SSD
今年，半導體行業將迎來幾大重要的技術拐點。存儲器制造商正逐步轉向3D NAND技術，從而以更低的單位成本打造性能更出眾、密度更高的存儲設備。我們預計2016年所有主要存儲器制造商都將實現3D NAND器件的批量生產。
由平面結構向3D NAND器件的過渡將帶來一系列生產工藝上的新要求，促進了由材料所推動的芯片尺寸縮微，推升了對新材料、新工藝技術的需求。在這個背景下，對厚度和一致性能夠進行精確的、原子級層到層控制的新型沉積和蝕刻設備，對于制造多層堆疊存儲單元來說至關重要。此外，隨著越來越多支持圖案
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