- 2015年中國半導體廠商在NANDFlash產業鏈相關的布局與投資逐漸加溫。除了在晶圓制造端的布局外，主控芯片得益于在整體NANDFlash產業極大的戰略地位，也將成為下一波中國半導體業值得關注的焦點。
TrendForce旗下存儲事業處DRAMeXchange研究協理楊文得表示，在營運上中國國產主控芯片廠商除直接銷售芯片外，多半推出完整的固態硬盤解決方案以便直接切入市場應用。主要目標客戶群多以企業級存儲、政府機關與國防軍工等原先合作關系密切，或是有投資關系的戰略伙伴為主。產品開發則傾力下個世代
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NAND SSD
- 在設計和推廣固態存儲設備專用NAND閃存控制器方面處于全球領導地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation,)于2月23至25日在德國紐倫堡舉行的2016嵌入式世界展會，在1號廳160號展臺向業界展示其針對汽車、工業和物聯網應用的各種嵌入式存儲及圖形解決方案?！ 』蹣s科技展臺將展出如下產品： Ferri-eMMC?解決方案 Ferri-eMMC解決方案是一款集成了NAND閃存、嵌入式微控制器和固件的高成本效益、小尺寸產
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慧榮科技 NAND
- 未來中國國產主控晶片產業與行業內公司的發展將呈現百花爭鳴的態勢，產品應用也有機會從企業級儲存產品，向下延伸至消費性產品，這也是下一波國內半導體的焦點。
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NAND 半導體
- 在“ISSCC 2016”(2016年1月31日～2月4日于美國舊金山舉行)會議上，NAND的大容量化和微細化、SRAM的微細化，以及DRAM的高帶寬化等存儲器 技術取得穩步進展，接連刷新了歷史最高紀錄。除了這些存儲器的“正常推進”之外，此次的發表還涉及車載高可靠混載閃存等的應用、新型緩存及TCAM，內容 豐富?！ 〈鎯ζ鲿h共有3個。分別以非易失存儲器、SRAM、DRAM為主題。3場會議共有14項發表。其中有12項來自亞洲，日本有2項(內容均為非易失存儲器)。下面來介紹
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存儲器 NAND
- 全球DRAM市場先抑后揚。2015年DRAM收入預計下降2.4%，2016年將下降10.6%，有望在2017年與2018年迎來復蘇。但是，預測隨著中國公司攜本地產品進入DRAM市場，DRAM價格將在2019年再次下降;占2014年內存用量需求20.9%的傳統產品(桌面PC與傳統筆記本電腦)產量預計在2015年下降11.6%，并在2016年進一步下降6.7%。
DRAM市場2016年供過于求
近期，我們對于DRAM市場的預測不會發生顯著變化;2015年與2016年將遭遇市場總體營收下滑，而在
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3D NAND
- 根據日本當地的財經媒體《日經新聞(Nikkei)》近日報導，大廠東芝(Toshiba)已經決定出售半導體業務，僅留下快閃記憶體產品線;此舉被視為是經歷過假帳丑聞、付出高昂組織重整代價的該公司轉虧為盈之必要步驟。
未來東芝將專注并強化在快閃記憶體與核能業務的投資與經營，該公司并將上述兩大業務做為成長支柱。東芝目前是僅次于三星電子(Samsung Electronics)的全球第二大NAND快閃記憶體供應商，這也是該公司保留記憶體業務、將出售其他半導體業務的原因。
將出售的東芝半導體業務包括類
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Toshiba NAND
- 會計丑聞給日本東芝公司的業績帶來嚴重影響，為了提高盈利，東芝正在對旗下的半導體、個人電腦、白色家電等業務進行一次重大重組。1月23日，東芝已經正式制定了芯片業務重組的詳細計劃，除了占據優勢的閃存芯片之外，其他的業務將對外轉讓，東芝有望通過轉讓資產獲得十幾億美元的收入。
12月底，日本媒體即報道，東芝將會對半導體業務進行分拆等重組計劃。詳細計劃近日終于出臺。
據報道，目前東芝的閃存芯片在全世界排名第二位，僅次于韓國三星電子，閃存芯片也是東芝重要利潤來源，因此未來東芝仍將保留這一業務。
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東芝 閃存
- 摘要：現在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質，就是各類移動終端及手機的主要存儲介質。兩者有何區別，存儲芯片的實際大小與標稱值又有什么關系呢?
我們總是在說手機內存，那到底是用什么介質存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質。eMMC是近幾年智能手機興起后，為滿足不斷增大的系統文件而誕生的，是NAND Flash的升級版,他的結構如下：
我們接觸到的16G、32G等手機，為何實際存儲容量卻總是小于這些值呢?難道
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NAND FLASH eMMC
- 慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)宣布推出全球首款支持多家供應商主流3D NAND產品的交鑰匙式企業版SATA SSD控制器解決方案。這款性能增強的控制器解決方案將有助加快推進最具競爭力的高性能SSD產品在市場上的應用。此次2016年拉斯維加斯消費電子展期間(2016 Consumer Electronics Show)，慧榮科技也將展出其使用了升級版SM2246EN
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慧榮科技 3D NAND
- 韓國兩大存儲器廠前進14納米平面NAND Flash時代。三星電子(Samsung Electronics)傳出將于2016年量產，而SK海力士(SK Hynix)則預定在新的一年結束研發作業，并導入量產體制。
韓媒ET News報導，三星14納米平面NAND Flash研發已完成，將于2016年上半投產。三星預定于新年1月31日在美國舊金山所舉辦的ISSCC上，公開14納米NAND研發成果。至于目前正在量產16納米的SK海力士，也進入了14納米NAND Flash的研發。據悉，SK海力士計劃將
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三星 NAND
- 中國政府近來積極透過中資集團陸續收購或入資海外半導體公司，期建立自有半導體供應鏈?，F階段，邏輯晶片從設計、制造到封裝測試皆已具雛型，反觀記憶體領域則為主要發展缺口。資策會MIC認為，中資集團下一波購并目標將鎖定NAND Flash控制晶片業者，并設法取得大規模制造產能，以補強記憶體產業發展。
資策會MIC產業顧問兼主任洪春暉表示，中國近期積極透過購并，來改善半導體自制比例過低的情形，現今中國在本土邏輯IC設計、晶圓代工、邏輯IC封測等產業鏈上，已有一定程度的發展，上述領域皆具有本土廠商或已與外商
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NAND Flash 芯片
- 個人電腦(PC)需求放緩嚴重打擊了美光科技公司(Micron Technology Inc., MU)。美光科技超過60%的收入來自DRAM芯片。DRAM芯片是重要的PC組件。在過去一年里，美光科技股價跌去了60%。利潤和收入大幅下滑。利潤率受到擠壓。該公司定于周二公布的第一財季業績料將凸顯出艱難的經營環境。
不過從歷史角度看，美光科技股價一直波動較大，周期性驅動的電腦芯片業務推動其股價起起落落。摩根士丹利(Morgan Stanley)稱，過去一年里，美光科技的客戶一直在消化內存庫存，預計這一
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美光 NAND
- 昨(18)日消息，被東芝(Toshiba)視為營運重建支柱的半導體部門新整編方案內容曝光，據悉東芝擬把在三重縣四日市工廠進行生產的“NAND型快閃存儲器(Flash Memory)”事業分拆出來，并考慮讓其上市、籌措研發所需的巨額資金;另外，大分、巖手兩縣的工廠將藉由替其他廠商代工、來強化收益能力。
報導指出，東芝將在12 月21日公布以電視、PC 以及家電等事業為中心的合理化措施，可能將裁撤數千名員工，而半導體事業和核能、醫療用機器部門皆被東芝定位為核心事業，故東芝正急
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東芝 NAND
- 全球經濟依舊前景不明，各項NAND Flash終端需求廠商態度相對保守，TrendForce旗下存儲事業處DRAMeXchange調查顯示，由于終端設備平均搭載量與固態硬盤(SSD)需求增長，2016年整體NAND Flash需求位量將較2015年增長44%，然而生產端為了快速降低成本以刺激更多的需求，NAND Flash廠商將會加速3D-NAND Flash的開發，整體NAND Flash年度位元產出增長率將大幅增長50%。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示，2016年NAND Fl
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NAND Flash TLC
- NAND Flash記憶體在出廠時是允許部分晶片含有壞區塊，或者好的區塊中含有一些錯誤位元，因此在實際應用時，須搭配使用控制器，透過硬體與軟體進行壞區塊管理，以及利用錯誤更正編碼(ECC)演算法修正錯誤位元，方能提升嵌入式系統儲存效能。
NAND型快閃記憶體(NAND Flash) IC的技術演進快速，平均每1∼2年就前進一個制程世代來降低成本，在售價大幅下降情況下，愈來愈多嵌入式系統，例如：藍光播放器、電視、數位相機、印表機等應用均采用NAND低成本的優勢，取代原本使用的NOR型快閃記
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