- 如今各種設備對于NAND閃存的容量要求越來越高，迫使廠商們不得不持續改進技術，尤其是強化3D堆疊設計。SK海力士就計劃在今年量產72層堆疊閃存。
2015年，SK海力士量產了第二代36層堆疊3D MLC NAND(3D-V2)，單晶粒容量128Gb(16GB)。
2016年，SK海力士推出了第三代48層堆疊的3D-V3，閃存類型改成TLC，重點單晶粒容量256Gb(32GB)，而封裝芯片的容量最高可以達到4096Gb(512GB)。
2017年，我們將看到SK海力士的第四代3D-V4
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海力士 閃存
- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查顯示，東芝公司為提升半導體業務競爭力，已正式宣布將在今年三月三十一日前將完成分拆內存業務。預期分拆出來的新公司將有更多經營彈性及更佳的籌資能力，長期而言對東芝/西數(Western Digital)電子陣營在NAND Flash產能提升、產品開發均有所幫助。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示，東芝公司這一做法，一方面為的是應付日漸沉重的產業競爭環境，另一方面是為緩解經營壓力，并滿足籌措營運資金的需求。從產業結構來看，DRAMeX
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東芝 NAND
- 據報道，東芝(Toshiba)慘虧，將分拆旗下賺錢的半導體部門，成立新公司，賣股籌錢。由于東芝是全球NAND Flash二哥，各方都興趣濃厚。據傳韓國存儲器大廠SK海力士(SK Hynix)有意投資，借此強化NAND Flash布局。
韓媒BusinessKorea 24日報導，業界專家表示，SK海力士可能會投資東芝獨立出來的存儲器公司，取得決定NAND Flash表現的控制器技術。東芝在NAND市場表現出色，去年第三季市占率為19.8%，僅次于龍頭三星電子(36.6%)。SK海力士落后，市占排
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SK海力士 NAND
- 從2016年下半年開始，包括CPU、內存、屏幕、CMOS Sensor在內的眾多電子元器件都進入了缺貨周期，這樣就給終端制造商帶來了成本壓力，最終這個壓力就轉移到了消費者身上，引起蝴蝶效應。
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DRAM NAND
- 隨著全球對于手機、電腦、汽車等消費性產品需求持續增強，NAND FLASH始終處于供不應求的情況，特別是印度、印尼及越南等新興智慧手機市場，當地消費者智慧手機持有率大增，進而使得NAND FLASH需求大幅攀升。因此，預計2017年NAND FLASH全年供貨仍將持續吃緊，特別是在第2、3季最為嚴重。
群聯董事長潘建成表示，預計NAND FLASH今年將持續缺貨，特別是在第2、第3季最為明顯，原因在于手機、電腦、汽車等終端消費性產品需求仍舊強勁。因應此一情況，有些記憶體業者將部分產能轉去做3D
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SSD NAND
- 根據 SEMI (國際半導體產業協會) 的最新研究數據表示，當前中國正掀起興建晶圓廠的熱潮，預估 2017 年時，中國興建晶圓廠的支出金額將超過 40 億美元，占全球晶圓廠支出總金額的 70%。而來到2018年，中國建造晶圓廠相關支出更將成長至 100 億美元，而其中又將以晶圓代工占其總支出的一半以上。
SEMI 中國臺灣地區產業研究資深經理曾瑞榆指出，2017 年全球半導體產產值可望達到 7.2% 的年成長率。其中，存儲為其中成長的關鍵。而未來 5 年之內，全球半導體產業仍將持續成長，到了 2
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晶圓 NAND
- 賽普拉斯半導體公司旗下子公司，高速、高容量和免電池非易失性存儲器解決方案領先提供商AgigA Tech公司今日宣布，正式發布其符合JEDEC標準的AGIGARAM? DDR4 NVDIMM-N系列解決方案。該解決方案與AgigA業界領先的在JEDEC 標準發布之前就已量產的傳統DDR4 NVDIMM產品一起，為最新公布的NVDIMM-N解決方案JEDEC標準(JESD248和JESD245A)提供了一系列完整的交鑰匙式模塊產品和控制器解決方案。 Ag
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賽普拉斯 NAND
- 從2016年下半年開始，內存、閃存的缺貨漲價勢頭開始上揚，2017年這一局面將繼續擴散蔓延，而且一整年都未必會有改觀。
據臺灣經濟日報報道，內存大廠金士頓近日表態，今年因為主要的DRAM內存大廠都沒有增產計劃，全年DRAM內存都面臨缺貨窘境。此外，群聯公司董事長潘建成也強調，NAND閃存因為進入3D世代，制程良率無法提升，預計將缺貨一整年。
日前，金士頓董事長陳建華出席群聯竹南三廠上梁典禮時，針對DRAM內存市場進行了分析，他表示，目前主要DRAM內存大廠都沒有增產計劃
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DRAM 閃存
- 在上海一場以“匠心獨運，卓越創芯”為主題的IC技術峰會上，長江存儲CEO楊士寧先生參會并發表了題為《發展存儲產業的戰略思考》的演講。在演講中，他對為什么選擇發展存儲、為什么選擇3D NAND Flash作為突破口、還有3D NAND Flash將面臨什么樣的挑戰等問題，作了深刻的分析。
為什么中國要發展存儲產業
在詳細介紹為什么中國要發展存儲產業之前，楊士寧首先對存儲產業的整體狀況作了一個分析。根據他的說法，在全球的半導體存儲產品中，NAND 和
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存儲器 NAND
- 在2015、2016連續兩年下跌后，DRAM和NAND Flash存儲器平均銷售價格(ASP)正穩健走揚，研究機構IC Insights認為，此將有助推升2017年存儲器市場銷售規模，預估整體產值可達853億美元新高紀錄，較2016年成長10%;2020年更可望首度攀至千億美元大關。
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DRAM NAND
- 或許是巧合!12月30日，長江存儲的國家存儲器基地與華力二期12英寸生產線這兩個持續受到業界關注的重大項目，同日舉行了開工啟動儀式。
長江存儲是國內最大的存儲器項目之一，瞄準3D NAND技術，建成后將扭轉我國存儲器有市場無產品的窘境;華力微電子12英寸生產線建設項目則是“909工程”的二次升級改造，將建設邏輯芯片的代工生產線，建成后將使我國擁有從0.5微米到14納米各工藝節點的生產平臺，追趕國際先進水平。
隨著《國家集成電路產業發展推進綱要》的推進，中國IC業
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集成電路 NAND
- 中國紫光集團宣布，投入快閃記憶體戰場，在武漢興建全球規模最大廠房，總投資金額超過240億美元，引發產業界震撼。
紫光集團董事長趙偉國：“我們在武漢投資兩百四十億美金的芯片工廠，已經正式動工，昨天我剛剛在成都，和四川省簽下了兩千億的協議。我們會在那里投資一個，也是一個超過兩百億美金芯片的工廠”
2016年12月，紫光集團趙偉國，布局半導體戰略，先是與成都市、新華集團共同簽署戰略合作協議，要在四川打造百億云計算中心。
12月30日，紫光宣布動工，興建三座全球最大3
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紫光 NAND
- 現在行業內的存儲玩家都不想看到三星持續一家獨大的現狀，中國這波掀起對存儲格局的改變，或許會吸引其他相對弱勢的廠商給中國提供支持。
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存儲路 NAND
- 2017年NAND Flash整體投片產能僅年增6%，隨著業者加速轉進3D-NAND，2017年2D-NAND缺貨情況將持續一整年。
TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新研究報告顯示，2017年NAND Flash整體投片產能僅年增6%，隨著業者加速轉進3D-NAND，2017年2D-NAND缺貨情況將持續一整年，而3D-NAND在64層堆疊順利導入OEM系統產品前，也將持續缺貨，價格有望穩健走揚，使NAND Flash原廠營運表現持續往上。
DRAMeXch
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- SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠，滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設計外部的建設，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達2.2兆韓元(18.4億美金)。
SK海力士表示，公司決定額外的新建一座Fab工廠，主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場需求的增長，以及引導向3D NAND發展。加之，考慮到通常建立一個半導體工廠需要超過2年，所以提前做好準備。
SK海力士曾在20
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