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        2017年中國興建晶圓廠支出金額將超40億美元

        作者: 時間:2017-01-19 來源:Technews 收藏

          根據 SEMI (國際半導體產業協會) 的最新研究數據表示,當前中國正掀起興建廠的熱潮,預估 2017 年時,中國興建廠的支出金額將超過 40 億美元,占全球廠支出總金額的 70%。而來到2018年,中國建造晶圓廠相關支出更將成長至 100 億美元,而其中又將以晶圓代工占其總支出的一半以上。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/201701/343088.htm

          SEMI 中國臺灣地區產業研究資深經理曾瑞榆指出,2017 年全球半導體產產值可望達到 7.2% 的年成長率。其中,存儲為其中成長的關鍵。而未來 5 年之內,全球半導體產業仍將持續成長,到了 2020 年將逼近 4,000 億美元市場規模,每年的復合成長率都將維持一定的水準。

          而以 2017 年來說,晶圓廠的相關支出將會以晶圓代工與 3D 閃存為大宗。其中,存儲支出達 227 億美元,晶圓代工的支出則是來到的 145 億美元。至于,在 DRAM 方面,因為近期廠商多轉入 2X 納米制程上,并無明顯新增產能。預計必須來到 2018 年之后,技術轉進 1X 納米制程,屆時才會有比較多的產能開出。

          另外,近期大家所關心的中國半導體產業的發展,曾瑞榆也指出,中國大陸地區目前是僅次于中國臺灣地區與日本的前 3 大半導體設備市場。2016 年中國大陸的晶圓廠建廠支出金額約 20 億美元,2017 年則將持續興建新晶圓廠的動作,統計將有 20 座晶圓廠先后啟動建廠,使得 2017 年中國大陸晶圓廠的建廠支出將一舉超過 40 億美元的紀錄,占全球 70% 的比例。

          

         

          曾瑞榆進一步指出,就個別廠商來觀察,2018 年之前,中國大陸企業的投資金額都將少于來自中國臺灣地區及韓國等半導體企業的支出。但是自 2019 年之后,中國本土廠商投資金額將呈現跳躍式成長,首度超越外商的支出金額。時至 2019 年,中國大陸半導體產能在全球占有率將由 2016 年的 12% 提升提高至 17% 的規模,逐漸提升其在全球半導體產業的地位。



        關鍵詞: 晶圓 NAND

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