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        2017年中國興建晶圓廠支出金額將超40億美元

        作者: 時(shí)間:2017-01-19 來源:Technews 收藏

          根據(jù) SEMI (國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會) 的最新研究數(shù)據(jù)表示,當(dāng)前中國正掀起興建廠的熱潮,預(yù)估 2017 年時(shí),中國興建廠的支出金額將超過 40 億美元,占全球廠支出總金額的 70%。而來到2018年,中國建造晶圓廠相關(guān)支出更將成長至 100 億美元,而其中又將以晶圓代工占其總支出的一半以上。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/201701/343088.htm

          SEMI 中國臺灣地區(qū)產(chǎn)業(yè)研究資深經(jīng)理曾瑞榆指出,2017 年全球半導(dǎo)體產(chǎn)產(chǎn)值可望達(dá)到 7.2% 的年成長率。其中,存儲為其中成長的關(guān)鍵。而未來 5 年之內(nèi),全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍將持續(xù)成長,到了 2020 年將逼近 4,000 億美元市場規(guī)模,每年的復(fù)合成長率都將維持一定的水準(zhǔn)。

          而以 2017 年來說,晶圓廠的相關(guān)支出將會以晶圓代工與 3D 閃存為大宗。其中,存儲支出達(dá) 227 億美元,晶圓代工的支出則是來到的 145 億美元。至于,在 DRAM 方面,因?yàn)榻趶S商多轉(zhuǎn)入 2X 納米制程上,并無明顯新增產(chǎn)能。預(yù)計(jì)必須來到 2018 年之后,技術(shù)轉(zhuǎn)進(jìn) 1X 納米制程,屆時(shí)才會有比較多的產(chǎn)能開出。

          另外,近期大家所關(guān)心的中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,曾瑞榆也指出,中國大陸地區(qū)目前是僅次于中國臺灣地區(qū)與日本的前 3 大半導(dǎo)體設(shè)備市場。2016 年中國大陸的晶圓廠建廠支出金額約 20 億美元,2017 年則將持續(xù)興建新晶圓廠的動(dòng)作,統(tǒng)計(jì)將有 20 座晶圓廠先后啟動(dòng)建廠,使得 2017 年中國大陸晶圓廠的建廠支出將一舉超過 40 億美元的紀(jì)錄,占全球 70% 的比例。

          

         

          曾瑞榆進(jìn)一步指出,就個(gè)別廠商來觀察,2018 年之前,中國大陸企業(yè)的投資金額都將少于來自中國臺灣地區(qū)及韓國等半導(dǎo)體企業(yè)的支出。但是自 2019 年之后,中國本土廠商投資金額將呈現(xiàn)跳躍式成長,首度超越外商的支出金額。時(shí)至 2019 年,中國大陸半導(dǎo)體產(chǎn)能在全球占有率將由 2016 年的 12% 提升提高至 17% 的規(guī)模,逐漸提升其在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的地位。



        關(guān)鍵詞: 晶圓 NAND

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