5 月 29 日消息，半導體行業花了十多年的時間來準備極紫外線 (EUV) 光刻技術，而新的高數值孔徑 EUV 光刻（High-NA EUV）技術將會比這更快。目前，最先進的芯片是 4/5 納米級工藝，下半年三星和臺積電還能量產 3nm 技術，而對于使用 ASML EUV 光刻技術的 Twinscan NXE:3400C 及類似系統來說，它們大都具有 0.33 NA（數值孔徑）的光學器件，可提供 13 nm 分辨率。目前來看，這種分辨率尺寸對于 7 nm / 6 nm 節點 (36 nm ~ 38 nm)
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EUV 光刻機 ASML
Intel的12代酷睿處理器去年就已經發布，首次上了性能+能效的異構設計，今年的13代酷睿代號Raptor Lake，下半年發布，屬于12代的改進版，明年的14代酷睿Meteor Lake則會大改，升級Intel 4工藝，也是Intel首個EUV工藝。 14代酷睿的架構也會大改，第一次采用非單一芯片設計，彈性集成多個小芯片模塊，包括下一代混合架構CPU、tGPU核顯引擎、AI加速單元，而且功耗非常低。 14代酷睿Meteor Lake也會是Intel酷睿系列中首個大量使用3D Foveros混合封
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英特爾 EUV 4nm
半導體設備大廠應用材料推出多項創新技術，協助客戶運用極紫外光（EUV）持續進行2D微縮，并展示業界最完整的次世代3D環繞閘極（Gate-All-Around，GAA）晶體管制造技術組合。芯片制造商正試圖透過兩個可相互搭配的途徑來增加未來幾年的晶體管密度。一種是依循傳統摩爾定律的2D微縮技術，使用EUV微影系統與材料工程以縮小線寬。另一種是使用設計技術優化（DTCO）與3D技術，巧妙地藉由優化邏輯單元布局來增加密度，而不需要改變微影間距。第二種方法需要使用晶背電源分配網絡與環繞閘極晶體管，隨著傳統2D微縮技
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應用材料 EUV 2D微縮 3D環繞閘極 晶體管
ASML公司雖然是荷蘭企業，但不少網友都把ASML公司“美”化了，這里的“美”指的是美國。在華為遭遇到芯片封鎖之前，中國半導體企業就曾向ASML公司支付了定金，采購了一臺EUV光刻機。然而，ASML公司卻遲遲沒有發貨，這也引起了網友的各種猜疑。眾所周知，全世界只有ASML公司能夠生產EUV光刻機，而一部EUV光刻機上就有超過10w的精密零件，各方面的技術也是來自全世界各國的頂尖技術。所以ASML公司的光刻機一直是供不應求。但明明已經收了定金，10億一部的EUV光刻機，ASML公司為何有生意不做呢？大部分的
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EUV ASML 光刻機
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EUV 光刻機 俄羅斯 疊加芯片
通用汽車(GM)已經恢復了2022款雪佛蘭Bolt EV和EUV的生產，現在它們可以獲得新電池組的供應，而這些電池組應該不會有火災隱患。此前，雪佛蘭Bolt因潛在的電池火災而被召回，該次召回影響到了所有的車型，導致Bolt EV和EUV汽車的生產自去年8月起完全凍結。“我們的目標是恢復并坦率地說超過業務指標，”雪佛蘭營銷副總裁Steve Majoros在昨日的新聞電話會議上說道。Bolt的復出計劃包括趕上新的2022款Bolt EV和EUV訂單（2023年的訂單將于7月開始）、將在MLB開幕日投放的新電視
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EUV 雪佛蘭
（原標題：光刻機巨頭阿斯麥CEO：不賣EUV給中國大陸“是政府們的選擇”）【文/觀察者網 呂棟】“這不是我們的選擇，而是政府們（《瓦森納協定》成員國）的選擇。”日前，荷蘭光刻機巨頭阿斯麥CEO溫彼得再次就向中國大陸出口EUV光刻機一事解釋道。他今年1月曾表示，中國不太可能獨立復制出（replicate）頂尖的光刻技術，但也別那么絕對，“他們肯定會嘗試”。觀察者網注意到，由于最先進的EUV設備無法向中國大陸出口，溫彼得自2021年以來曾多次發聲。2021年4月，他曾喊話美國政府，對華出口管制不僅不能阻礙中國
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阿斯麥CEO EUV 光刻機
前不久的Intel投資者會議上，英特爾發布了先進工藝的路線圖，從去年的Intel 7工藝開始一路推進到Intel 18A工藝，酷睿處理器從12代一直持續到16代酷睿，甚至17代酷睿都在準備中了，2025年上市。? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?不僅工藝規劃的很好，而且這一次Intel更有信心，因為多代工藝實際上提前量產了，具體如下：Intel
4工藝是Intel第一個
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EUV Intel 先進工藝
芯片行業一直是困擾全球的“卡脖子”領域，而其中核心的光刻機技術被幾家公司牢牢的攥在手里。想要在芯片領域有長足的進步，光刻機這種核心設備就要有所突破。而之前美國通過自身在全球市場的控制能力，通過修改法案等手段一直將光刻機設備和技術限制對中國進行輸出。但近期光刻機頭部企業ASML則明確表態將會盡其所能向中國市場提供一切他們能夠提供的技術，其中DUV光刻機將會不需要認可許可即可向中方企業提供。ASML光刻機除此之外，ASML表示在當前法律框架之下，他們除了EUV光刻機無法向中方企業提供，其他產品都可以正常發售。
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ASML EUV 光刻機
據《連線》雜志報道，在美國康涅狄格州郊區的一間潔凈室中，ASML的工程師們正在為一臺單臺造價1.5億美元的新機器制造關鍵部件，該部件是新一代EUV系統的組成部分，會采用一些新技術來最大限度地減少其使用的光波長，包括縮小芯片的特征尺寸并提升性能。ASML的工程師正在裝配系統組件（圖片來自ASML）
要知道，當前的EUV機器已經像一輛公共汽車那么大，包含10萬個零部件和兩公里長的電纜，運輸這些組件需要40個貨運集裝箱、三架貨機和20輛卡車，能夠買得起這種設備的公
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ASML EUV 光刻機
9月2日消息，荷蘭阿斯麥的新一代極紫外（EUV）光刻機每臺有公共汽車大小，造價1.5億美元。其前所未有的精度可以讓芯片上的元件尺寸在未來幾年繼續縮小。 在位于美國康涅狄格州郊區的一間大型潔凈室里，工程師們已經開始為一臺機器制造關鍵部件，這臺機器有望讓芯片制造行業沿著摩爾定律至少再走上10年時間。 這臺極紫外光刻機是由荷蘭阿斯麥公司制造的。阿斯麥于2017年推出世界上第一臺量產的極紫外光刻機，在芯片制造領域發揮著至關重要的作用，已經被用于制造iPhone手機芯片以及人工智能處理器等最先進的芯片。阿斯
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阿斯麥 EUV 光刻機
三星、SK海力士及美光確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內存在2024年量產。芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內存停留在10nm工藝級別。三星、SK海力士及美光也確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內存在2024年量產。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認，美光已將EUV技術納入DRAM技術藍圖，將由10nm世代中的1γ（gamma）工藝節點開始導入。美光EUV工藝DRAM將會先在臺中A3廠生產，預
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美光 EUV DRAM
SK海力士公司在7月12日表示，本月已經開始生產10納米8Gb LPDDR4移動DRAM —— 他們將在該內存芯片生產中應用極紫外（EUV）工藝，這是SK海力士首次在其DRAM生產中應用EUV。根據SK海力士的說法，比起前一代規格的產品，第四代在一片晶圓上產出的DRAM數量增加了約25%，成本競爭力很高。新的芯片將在今年下半年開始供應給智能手機制造商，并且還將在2022年初開始生產的DDR5芯片中應用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發布聲明，正式啟用EUV光刻機閃存內存芯片，批量生產采用
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EUV DRAM
芯片雖小，制造難度卻很大，而且芯片制造的關鍵設備光刻機的缺乏，更是成為限制我國高端芯片的一大難題。尤其是近兩年華為事件的不斷發酵，讓我國半導體芯片領域的問題越加明顯，那就是在芯片制造的設備上，我國依然受制于人的問題相當嚴重。為什么ASML加速來華？北大教授的發聲很現實，國產光刻機突破在即雖然華為研發出基于5nm工藝的麒麟9000芯片，令一眾對手刮目相看，但是沒有臺積電為其代工生產，沒有屬于中國自己的高端光刻機，就等同于一張“紙老虎”。作為中國大陸最先進的芯片制造企業中芯國際，因為沒有高端光刻機，至今仍然沒
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EUV 光刻機 ASML
據韓媒援引業內人士消息，三星電子已決定在美國得克薩斯州奧斯丁設立EUV半導體工廠，以滿足日益增長的小型芯片需求和美國重振半導體計劃。該工廠將采用5nm制程，計劃于今年Q3開工，2024年投產，預計耗資180億美元，同時也是三星電子首次在韓國之外設立EUV產線。去年，臺積電去宣布將在美國建設芯片工廠，建成之后將采用5nm工藝為相關的客戶代工芯片，目標是2024年投產。最新消息稱，臺積電管理層目前正在討論，他們在美國的下一座芯片工廠，是否采用更先進的3nm制程工藝，為相關的客戶代工芯片。
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三星 5nm EUV 芯片廠
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