mosfet 文章最新資訊

Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驅動器，提高逆變器級工作效率

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驅動器---VOD3120A，擴展其光電產品組合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝，低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA，可用于提高逆變器級工作效率。　　日前發布的光耦采用CMOS技術，含有集成電路與軌到軌輸出級光學耦合的AIGaAs LED，為門控設備提供所需驅動電壓。VOD3120電壓和電流使
關鍵字： Vishay MOSFET

Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能達到業內最佳水平

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，為通信、工業和企業級電源應用提供高效解決方案，同時，柵極電荷下降60 %。從而使其柵極電荷與導通電阻乘積在同類器件中達到業內最低水平，該參數是600 V MOSFET在功率轉換應用中的關鍵指標 (FOM)。　　Vishay
關鍵字： Vishay MOSFET

穩健的汽車40V 功率MOSFET提高汽車安全性

　　Filippo, Scrimizzi, 意法半導體, 意大利, filippo.scrimizzi@st.com　　Giuseppe, Longo, 意法半導體, 意大利, giuseppe-mos.longo@st.com　　Giusy, Gambino, 意法半導體s, 意大利, giusy.gambino@st.com　　摘要　　意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉向系統)和EPB (電子駐車制動系統) 等汽車安全系統的機械、環境和電氣要求。這些機電系統
關鍵字：意法半導體 MOSFET

Vishay業界領先車規產品將在2019 Automotive World日本展上悉數亮相

　　2019年1月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將在1月16日-18日于東京有明國際展覽中心舉行的2019 Automotive World日本國際汽車展上，展示其全面豐富的車規產品。Vishay展位設在東5號館E47-40，以“Think Automotive, Think Vishay”為主題展示各種車規產品，包括符合并優于AECQ認證標準的電容器、電阻器、電感器、二極管、MOSFET和光電產品。　　Vishay亞
關鍵字： Vishay 轉換器 MOSFET

意法半導體高效超結MOSFET瞄準節能型功率轉換拓撲

　　意法半導體推出MDmesh?系列600V超結晶體管，該產品針對提高中等功率諧振軟開關和硬開關轉換器拓撲能效而設計。　　針對軟開關技術優化的閾值電壓使新型晶體管非常適用于節能應用中的LLC諧振轉換器和升壓PFC轉換器。電容電壓曲線有助于提高輕載能效，最低16 nC的柵極電荷量(Qg)可實現高開關頻率，這兩個優點讓MDmesh M6器件在硬開關拓撲結構中也有良好的能效表現。　　此外，意法半導體最先進的M6超結技術將RDS(ON)電阻降至0.036?，有助于電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅
關鍵字：意法半導體 MOSFET

高功率單片式 Silent Switcher 2 穩壓器滿足 CISPR 25 Class 5 EMI 限制要求并適合狹小的安放空間

　　隨著汽車中電子系統數量的成倍增加，車內產生電磁干擾的風險也大幅升高了。因此，新式車輛中的電子產品常常必須符合 CISPR 25 Class 5 EMI 測試標準，該標準對傳導型和輻射型 EMI 發射做了嚴格的限制。由于其本身的性質，開關電源充斥著 EMI，并在整個汽車中“彌漫擴散”。如今，低 EMI 與小的解決方案尺寸、高效率、散熱能力、堅固性和易用性一起，成為了對汽車電源的一項關鍵要求。Silent Switcher 2 穩壓器系列可滿足汽車制造商嚴格的 EMI 要求，同時擁有緊湊的尺寸以及集成化
關鍵字： MOSFET，LT8650S

Power Integrations發布集成了900V MOSFET的高效率反激式開關電源IC

　　深耕于高壓集成電路高能效電源轉換領域的知名公司Power Integrations公司今日發集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線式開關電源IC。新IC的功率更大，適合設計8W以內的高效率隔離及非隔離反激式電源應用，適用于高達480VAC輸入三相工業電源以及專供電網不穩定地區、時常遭受雷擊的熱帶地區或者經常發生高能振蕩波和浪涌的地區的高質量消費電子產品的電源設計。　　900V版LinkSwitch-XT2 IC產品系列可提供高效率，使電源設計輕松滿足能源相關產品(ErP
關鍵字： Power Integrations MOSFET

Power Integrations發布集成了900V MOSFET的高效率反激式開關電源IC

　　深耕于高壓集成電路高能效電源轉換領域的知名公司Power Integrations公司今日發集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線式開關電源IC。新IC的功率更大，適合設計8W以內的高效率隔離及非隔離反激式電源應用，適用于高達480VAC輸入三相工業電源以及專供電網不穩定地區、時常遭受雷擊的熱帶地區或者經常發生高能振蕩波和浪涌的地區的高質量消費電子產品的電源設計。　　900V版LinkSwitch-XT2 IC產品系列可提供高效率，使電源設計輕松滿足能源相關產品(ErP
關鍵字： Power Integrations MOSFET

Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

　　Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產品的重要補充，也是Littelfuse公司已發布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二極管的強有力補充。最終用戶將受益于更加緊湊節能的系統以及潛在更低的總體擁有成本。　　碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000　　碳化硅MOSFET技術帶來的高效性可為諸多要求嚴格的應用提供多
關鍵字： Littelfuse MOSFET

宜特FSM化學鍍服務本月上線，無縫接軌BGBM晶圓減薄工藝

　　隨電源管理零組件MOSFET在汽車智能化崛起后供不應求，為填補供應鏈中此一環節的不足，在半導體驗證分析領域深耕多年的宜特科技，近期正式跨攻「MOSFET晶圓后端工藝整合服務」，其中晶圓減薄-背面研磨/背面金屬化(簡稱BGBM，Backside Grinding/ Backside Metallization)工藝，在本月已有數家客戶穩定投片進行量產，在線生產良率連續兩月高于99.5%。　　同時為了協助客戶一站式接軌BGBM工藝，在前端的正面金屬化工藝(簡稱FSM)上，除了提供濺射沉積(Sputteri
關鍵字：宜特 MOSFET

MOSFET管并聯應用時電流分配不均問題探究

1 引言
MOSFET管的導通電阻具有正的溫度特性，可自動調節電流，因而易于并聯應用。但由于器件自身參數(柵極電路參數及漏源極電路參數不一致)原因，并聯應用功率MOSFET管會產生電流分配不均的問題，關于此問題，
關鍵字： MOSFET 并聯電流分配

應用角：汽車 - 電動汽車電池斷開系統

　　在電動和混合動力汽車中，需要一種方法將高壓電池與車輛的其他部分斷開連接。專門設計的大電流繼電器(接觸器)歷來一直是執行此功能的首選方案。此繼電器的設計必須支持在負載下斷開連接，而不受損壞。這是通過使用帶有真空封裝觸點的繼電器來實現的。這些接觸器通常充滿惰性氣體，包圍觸點以消除空氣。通常，在高壓電池系統中，需要三個接觸器：一個用于兩個主要電池導體，另一個更小的版本用于預充電功能。傳統的電池斷開電路圖如圖1所示。　　電動汽車制造商長期以來一直希望有一種更小、更輕、更便宜的方案，以解決電池斷開問題。功率半導
關鍵字： MOSFET，混合動力

開關電源設計：何時使用BJT而非MOSFET？

MOSFET已經是是開關電源領域的絕對主力器件。但在一些實例中，與MOSFET相比，雙極性結式晶體管 (BJT.HTM style=margin: 0px; padding: 0px; font-si
關鍵字：開關電源 BJT MOSFET

教你看懂MOSFET數據表

在看到MOSFET數據表時，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數會十分的含糊不清、模棱
關鍵字： MOSFET 數據電感器連續電流

大功率電源MOSMOSFET問題的分析

本文主要介紹三極管原理最通俗的表達理解，希望對您的學習有所幫助。對三極管放大作用的理解，切記一點：能量不會無緣無故的產生，所以，三極管一定不
關鍵字： MOSFET 電源

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]