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        瑞薩電子推出具有大電流和低功率的半導體器件
        
                                                            
          
                    	
        • 高級半導體解決方案領導廠商瑞薩電子公司（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）宣布開發面向消費類產品（如無線電動工具和電動自行車）中電機驅動的100A大電流功率MOSFET，以便加強公司的整個功率半導體器件生產線。新款功率MOSFET提供了較寬的電壓范圍，其中3款新產品（包括N0413N）具有40V的電壓容差，而另外3款新產品（包括N0601N）具有60V的電壓容差。新款功率MOSFET具有業內最低的功率損耗水平，是延長電池壽命的理性之選。
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        • 關鍵字：
                        瑞薩  MOSFET  N0413N                          
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        高能效功率電子技術領域的新進展
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 從1957年第一只晶閘管的誕生開始，功率電子技術以相當迅猛的速度發展。近年來又取得了長足的進展，產生極佳的經濟及社會效益。從美國高能效經濟委員會(ACEE)出版的一份報告可以看到，到2030年，受益于采用半導體技術而獲得的更高能效，可以使美國的經濟規模擴大70%以上，與此同時，使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術領域的領先廠商，安森美半導體一直專注于超低損耗MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方面的研發和創新，而且取得了長足的進展
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        • 關鍵字：
                        安森美半導體  MOSFET                          
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        IR推出微電子繼電器設計師手冊以簡化選型和電路設計
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出光盤版微電子繼電器 (MER) 設計師手冊，內容包括 IR 公司MER 產品系列的選型指南、應用手冊、數據資料和設計技巧等。

　　IR 的 MER 產品系列包括以 MOSFET 和 IGBT 為基礎的光伏繼電器和光電隔離器。其中以 MOSFET 為基礎的器件是理想的固態繼電器，能把AC 和 DC 負載和感測信號從幾毫安轉換成幾百瓦，廣泛應用于工業控制、測試設備、外圍電信設備、電腦外設
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        • 關鍵字：
                        IR  微電子繼電器  MOSFET                          
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        完全自保護MOSFET功率器件分析
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 為了提高系統可靠性并降低保修成本，設計人員在功率器件中加入故障保護電路，以免器件發生故障，避免對電子系統造成高代價的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實現，但是在更多情況下，設計人員使用完全
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        • 關鍵字：
                        器件  分析  功率  MOSFET  保護  完全                          
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        IR推出雙PQFN2x2和雙PQFN3.3x3.3功率MOSFETs
        
                                                            
          
                    	
        • 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其PQFN封裝系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封裝。新型封裝集成了兩個采用IR最新硅技術的HEXFET? MOSFET，為低功率應用提供高密度、低成本的解決方案，這些應用包括智能手機、平板電腦、攝像機、數碼相機、直流電動機、無線感應充電器、筆記本電腦、服務器、網通設備等
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        • 關鍵字：
                        IR  MOSFET                          
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        IR日推出新車用MOSFET系列
        
                                                            
          
                    	
        • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導通電阻的一系列應用，包括傳統內燃機 (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應用。
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        • 關鍵字：
                        IR  MOSFET                          
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        IR推出堅固的新系列40V至75V車用MOSFET
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導通電阻的一系列應用，包括傳統內燃機 (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應用。
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        • 關鍵字：
                        IR  柵級驅動  MOSFET                          
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        Diodes 全新MOSFET組合可減少直流電機損耗
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • Diodes 公司推出一對互補性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流（BLDC）電機控制應用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導通電阻（Rdson）性能，以確保平衡分配電機負載的直流損耗并將其減少到最小。
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        • 關鍵字：
                        Diodes  MOSFET  DMC4040SSD                          
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        Diodes 全新MOSFET 組合可減少直流電機損耗
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　Diodes 公司推出一對互補性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流(BLDC)電機控制應用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導通電阻(Rdson)性能，以確保平衡分配電機負載的直流損耗并將其減少到最小?！　?/li>
                    	                        
        • 關鍵字：
                        Diodes  DMC4040SSD  MOSFET                           
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        說出你的故事：中國IC設計及應用創新案例
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　現代創新理論的提出者約瑟夫·熊彼特認為，企業家的職能就是實現“創新”，引進生產要素或生產條件的“新組合”，目的是最大限度地獲取超額利潤。創新催生利潤，因此“創新”一詞得到狂熱追捧，幾乎所有企業都在打出各式各樣的創新口號。
　　不僅業內企業在摸索和實踐著創新，作為“深圳(國際)集成電路技術創新與應用展覽會”的組織機構——深圳市半導體行業協會也在積極行動。他們在深入調研了
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        • 關鍵字：
                        IC設計  MOSFET  音頻解碼器                          
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        飛兆半導體功率級非對稱雙MOSFET器件
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 電源工程師一直面對減小應用空間和提高功率密度的兩個主要挑戰，而在筆記本電腦、負載點、服務器、游戲和電信應用中，上述兩點尤為重要。為了幫助設計人員應對這些挑戰，全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊。
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        • 關鍵字：
                        飛兆  MOSFET  FDMS36xxS                          
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        IR推出新款PQFN 2mm x 2mm封裝
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術，為一系列的低功耗應用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數碼相機、筆記本電腦、服務器和網絡通訊設備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。　
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        • 關鍵字：
                        IR  PQFN  MOSFET                          
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        IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET登場
        
                                                            
          
                    	
        • 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術，為一系列的低功耗應用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數碼相機、筆記本電腦、服務器和網絡通訊設備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
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        • 關鍵字：
                        IR  HEXFET MOSFET                          
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        2011年中國功率MOSFET市場放緩的兩個因素
        
                                                            
          
                    	
        • 　　據IHS iSuppli公司的研究，2010年中國功率MOSFET市場快速增長，銷售額達到23億美元，比2009年的16億美元增長43%。
　　直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多數時間都處于供應不足局面，難以滿足中國各行業的需求，包括本地數據處理、消費與通信領域。功率MOSFET是為處理較高的功率級而設計的功率半導體器件，主要用于電源與DC-DC轉換器中的低電壓開關?！?/li>
                    	                        
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                        MOSFET  DC-DC轉換器                          
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        同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇
        
                                                            
          
                    	
        • 在這篇《電源設計小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導功耗進行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關。進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常，作為設計過程的一個組
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                        MOSFET  同步降壓  電阻比                            
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