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3G MOSFET RF功率放大器 RF
- 恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V.今天發布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET，擁有業界最低RDSon，4.5V時僅為1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，專門針對4.5V開關應用優化，采用LFPAK封裝技術，是目前業界最牢固的Power-SO8封裝。NextPower技術已專門針對高性能DC-DC轉換應用進行了優化，例如隔離電源和電源OR-ing中的同步降壓調節器、同步整流器。
技術要點：
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恩智浦 MOSFET
- Diodes公司推出兩款新型雙通道器件DMS3017SSD及DMS3019SSD，擴展了旗下DIOFET產品系列。DMS3017SSD及DMS3019SSD將一個經過優化的控制MOSFET及一個專有DIOFET集成在一個SO8封裝中，為消費類及工業應用的負載點轉換器提供高效的解決方案。
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Diodes mosfet
- 雖然工程師都熟諳MOSFET數據手冊上的品質因數，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專業知識對各個具體應用的不同規格進行全面仔細的考慮。例如，對于服務器電源中的負載開關這類應用，由于MOSFET基本上
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MOSFET
- 本文不準備寫成一篇介紹功率MOSFET的技術大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數據表中的常用主要參數,以幫助設計者更好的使用功率MOSFET進行設計。 數據表中的參數分為兩類:即最大額定值和電氣特性值。
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MOSFET 數據表
- 本文主要介紹瑞薩電子(又稱：Renesas)高壓MOS在客戶電源等產品開發時的選型以及特性的說明，為客戶的產品開發提供參考性的設計意見。
MOSFET以其電壓控制、開關頻率高、開關速度快等優點，廣泛應用于電源等產品中。Renesas高壓MOS涵蓋漏源電壓(VDSS)等級600V、800V、900V、1400V，具有極低的RDS(ON)和豐富的封裝系列，應用十分廣泛。
MOSFET最重要的兩個參數是漏源電壓(VDSS)和導通電阻RDS(ON)。電流值和最大耗散功率值必須仔細觀察，因為它們只有
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Renesas MOSFET
- 用于高能效電源轉換的高壓集成電路業界的領導者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產品，一款集成高壓MOSFET并可實現功率因數校正(PFC)的控制器芯片。HiperPFS器件采用創新的控制方案，可提高輕載條件下的效率。此外，與使用分立式MOSFET和控制器的設計相比，HiperPFS器件能大幅減少元件數和縮小電路板占用面積，同時簡化系統設計并增強可靠性。HiperPFS器件采用極為緊湊的薄型eSIPä封裝，適合75 W至1 kW的PFC應用。
歐洲
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PI HiperPFS MOSFET 控制器芯片
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的超低最大導通電阻，柵極電荷減小到216nC，采用TO-247封裝。
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Vishay Siliconix MOSFET
- Diodes 公司推出專為IP電話(VoIP)通信開發的新型60V N溝道器件，擴展了其MOSFET產品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列專為處理產生正極線和負極線換行線路饋電 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脈沖電流，以及抵擋電源開關時引起的雪崩能量而設計。該器件能夠滿足基于變壓器的用戶線路接口電路 (SLIC) 直流/直流轉換器對基本切換功能的嚴格要求。
Diodes 這次推出的四款產品提供四種不同的行業標準封裝選擇，包括：SOT223封裝的DMN606
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Diodes MOSFET
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布拓展了車用DirectFET®2功率MOSFET系列。該系列具有非常出色的功率密度、雙面冷卻功能以及最小寄生電感和電阻，適用于重負載應用，包括電動助力轉向系統、電源、混合動力汽車的電池開關、微型混合動力汽車的集成起動發電機系統等。
與傳統的標準塑料封裝器件相比，IR 的車用 DirectFET®2 器件可以實現整個系統級尺寸和更低的成本，以及超高的性
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IR MOSFET
- 當維持相同的結點溫度時，可以獲得更高的輸出功率和改善功率密度。另外，散熱能力的提高使得電路在提供額定電流的同時，還可以額外提供不超過額定電流50%的更高電流，并使器件工作在更低的溫度、減少發熱對其他器件的影響，也提高了系統的可靠性。
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技術 MOSFET 封裝 新型 供電 需求 滿足
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新型500V、16A的N溝道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V柵極驅動下具有0.38Ω的超低最大導通電阻，柵極電荷降至68nC，采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封裝。
SiHP16N50C (TO-220AB)、SiHF16N50C (TO-220 FULLPA
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Vishay MOSFET
- 金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一個金氧半(MOS)二機體和兩個與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后，MOSFET快速的發展
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MOSFET 雙峰效 方法
- Diodes 公司推出專為IP電話(VoIP)通信開發的新型60V N溝道器件，擴展了其MOSFET產品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列專為處理產生正極線和負極線換行線路饋電 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脈沖電流，以及抵擋電源開關時引起的雪崩能量而設計。該器件能夠滿足基于變壓器的用戶線路接口電路 (SLIC) 直流/直流轉換器對基本切換功能的嚴格要求。
Diodes 這次推出的四款產品提供四種不同的行業標準封裝選擇，包括：SOT223封裝的DMN606
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Diodes MOSFET
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