- Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布擴展了其MOSFET驅動器系列產品。在已獲得業界推崇的Microchip下橋臂MCP14E3/4/54.5A MOSFET驅動器上，Microchip推出全新下橋臂MCP14E6/7/82A和MCP14E9/10/113A驅動器。經擴展后，這一低成本系列器件的額定峰值輸出電流為2A至4.5A，工作電壓范圍寬達4.5V至18V。全新器件具備使能輸入引腳，可實現關斷功能以節省能耗，并采用8引腳SOIC和8引腳6mm×5m
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Microchip MOSFET
- 為了滿足高電流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發出用于MOSFET器件的Dual Cool封裝，Dual Cool封裝是采用嶄新封裝技術的頂部冷卻PQFN器件，可以通過封裝的頂部實現額外的功率耗散。
Dual Cool封裝具有外露的散熱塊，能夠顯著減小從結點到外殼頂部的熱阻。與標準PQFN封裝相比，Dual Cool封裝在配合散熱片使用時，可將功率耗散能力提高60%以上。此外，采用Dual Cool封裝的MOSFET通過使用飛兆
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Fairchild MOSFET Dual Cool
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝，具有業內最低的導通電阻，以及最低的導通電阻與柵極電荷乘積，即優值系數。
40 V SiR640DP在10V和4.5V下的導通電阻為1.7m?和2.2m?，在10V和4.5V下的FOM分別為128m?-nC和76m?-nC。器件在4.5V下的導通電阻比最
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Vishay MOSFET
- saber下MOSFET驅動仿真實例,設計中，根據IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手冊中提供的ID-VDS，ID-VGS和Cap-VDS等特性曲線及相關參數，利用saber提供的Model Architect菜單下Power MOSFET Tool建立IXFN50N80Q2仿真模型，圖5-1所示MOSFET DC Characteris
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實例 仿真 驅動 MOSFET saber
- 賓夕法尼亞、MALVERN—2011年3月31日—日前，Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代號：VSH)宣布，發布新款40V和60VN溝道Trench FET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK?SO-8封裝，具有業內最低的導通電阻，以及最低的導通電阻與柵極電荷乘積，即優值系數。
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MOSFET 最低導通電阻
- 進入2011年，澳大利亞已經率先禁止使用白熾燈，這為LED燈具的大規模普及揭開了序幕，另外，隨著歐盟各國、日本、加拿大等國家將在2012年禁止使用白熾燈，LED燈具的照明普及率會進一步提升，這讓掘金綠色照明革命的中國數千家LED燈具廠商歡欣鼓舞――因為一個巨大的市場就要開啟，而這次唱主角的是中國廠商。不過，應當看到，LED燈具要普及，不但需要大幅度降低成本，更需要解決能效和可靠性的難題，如何解決這些難題，Power Integrations市場營銷副總裁Doug Bailey分享了高效高可靠LED燈具
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PI MOSFET LED
- 0 引言 眾所周知，今天的便攜式電源設計者所面臨的最嚴峻挑戰就是為當今的高性能CPU提供電源。近年來，內核CPU所需的電源電流每兩年就翻一番，即便攜式內核CPU電源電流需求會高達40A之大，而電壓在0.9V和1.75
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功耗 計算 MOSFET 變換 便攜式 DC/DC 電流
- 摘要：分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因，以及MOSFET故障時能量耗散與器件溫升的關系。和傳統的雙極性晶體管相比，反向偏置時MOSFET雪崩擊穿過程不存在“熱點”的作用，而電氣量變化卻十分復雜。寄生器件在
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問題 分析 擊穿 雪崩 MOSFET 功率
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK? SC-70封裝，具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器件所能達到的最低導通電阻。
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Vishay MOSFET SiA923EDJ
- 通常，許多資料和教材都認為，MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數，因此可以并聯工作。當其中一個并聯的MOSFET的溫...
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MOSFET RDS
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出兩款新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET?技術，在具有4.5V電壓等級的100V MOSFET中具有業內最低的導通電阻。
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Vishay MOSFET
- 近日（2010年11月2日）凌力爾特公司(LinearTechnologyCorporation)推出窄/寬輸入電壓范圍(2.7V至5...
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MOSFET
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商–國際整流器公司(InternationalRectifier，簡稱IR)推出一系列25V及3...
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MOSFET
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444/-5 的 H 級版本，該器件是一款高速、高輸入電源電壓 (100V)、同步 MOSFET 柵極驅動器，為在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設計。該驅動器與功率 MOSFET 以及凌力爾特公司很多 DC/DC 控制器之一相結合，可構成完整的高效率同步穩壓器。LTC4444H/-5 在 -40°C 至 150°C 的節溫范圍內工作，而 I 級版本的工作溫度范
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Linear MOSFET
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