德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實現超過 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋，其占位面積僅為同類競爭功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過高級封裝將 2 個非對稱 NexFET 功率 MOSFET 進行完美整合，可為服務器、臺式機與筆記本電腦、基站、交換機、路由器以及高電流負載點 (POL) 轉換器等低電壓同步降壓半橋應用實現高性能。
NexFET 功率模塊除提高效率與功率密度外，還能夠以高達 1.5 MHz 的開關頻率生
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TI MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，對其ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具進行了改進，為設計者提供更好的仿真精度、效率和用戶友好度。
Vishay的ThermaSim是一個免費工具，可讓設計者在制造原型前，對器件進行細致的熱仿真，從而加快產品上市。ThermaSim是首款使用結構復雜的功率MOSFET模型的在線MOSFET仿真工具，使用有限元分析(FEA)技術生成的MOSFET模型提高了仿真精度。
設計者還可以定義其他散熱器件，并仿真這些元器件對M
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Vishay 熱仿真工具 MOSFET ThermaSim
功率半導體下游需求旺盛，發展前景看好。隨著全球經濟復蘇勢頭增強，iSuppli公司預測2010年半導體市場營業收入為2833億美元，增長率達到23.2%.
MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷售額占全部功率半導體的比重大約為20%,MOSFET主要應用于消費電子、計算機、工業控制、網絡通信、汽車電子和電力設備六大領域。
IGBT:節能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元，IGBT的銷售額占全部功率半
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MOSFET IGBT 功率半導體
功率半導體下游需求旺盛，發展前景看好。隨著全球經濟復蘇勢頭增強，iSuppli公司預測2010年半導體市場營業收入為 2833億美元，增長率達到23.2%。
MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷售額占全部功率半導體的比重大約為20%，MOSFET主要應用于消費電子、計算機、工業控制、網絡通信、汽車電子和電力設備六大領域。
IGBT:節能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元，IGBT的銷售額占全部功率
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MOSFET IGBT
Maxim推出單端口、供電設備(PSE)控制器MAX5971A，適用于IEEE® 802.3af/at兼容的大功率以太網供電(PoE+)應用。器件集成導通電阻為0.5Ω的功率MOSFET和檢測電阻，有效節省了空間和成本，能夠為IP電話、IP照相機、無線LAN接入點以及視頻監控照相機等用電設備(PD)提供每端口高達40W的功率。
MAX5971A完全兼容IEEE 802.3af和IEEE 802.3at標準。器件工作在32V至60V電壓范圍，為IEEE 802.3af/at兼容
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Maxim 控制器 MOSFET
The long strings of LEDs commonly found in TV and display backlighting, street lights, and parking garage lights require a current driver capable of producing high voltages. This reference design prov
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strings driver Boost long
電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對稱電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級均為推挽對稱電路，可以獲得上升邊和下降邊時間常數基本相等的脈沖響應以及
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MOSFET VP-P 120 電壓
電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉換速度的激勵器，而且還在輸出級采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負載。
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MOSFET 高頻特性 放大器
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米(D2PAK的占板空間為150平方毫米)，高度僅為1毫米(D2PAK的高度為4.4毫米)。大幅縮小的封裝尺寸結合低寄生電感，使設計者能以全新方式有效降低高功率密度應用所需的系統解決方案尺寸。
全新封裝采用表面貼裝方式，在8x8毫米的無管腳封裝內，貼裝業界標準TO-220晶粒，并具備金屬裸焊盤，便于內部高效散熱。其低矮外形便于設計者設計出更薄的電源外殼，滿足當今市場對時
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英飛凌 MOSFET SMD ThinPAK
在功率MOSFET的數據表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復脈沖雪崩能量EAR等參數，而許多電子工程師在設計電源系統的過程中，很少考慮到這些參數與電源系統的應用有什么樣的聯系，如何在實際的應用中評
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解析 能量 雪崩 UIS MOSFET
用作功率開關的MOSFET
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考量 設計 MOSFET 功率 基于
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAK? 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si7625DN。在這種電壓等級和3.3mmx3.3mm占位面積的P溝道MOSFET中，該器件的導通電阻是最低的。
新款Si7625DN可用于筆記本電腦、上網本和工業/通用系統中的適配器、負載和電池開關。適配器開關(在適配器、墻上電源和電池電源之間切換)通常是開啟并且吸收電流。Si7625DN更低的
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Vishay MOSFET PowerPAK TrenchFET
引言
通信電路板常常采用負載點(PoL)DC-DC轉換器來為數字IC (FPGA、DSP 及 ASIC) 供電。一般而言，一個48V的背板采用中間總線架構(IBA)作為電路板的輸入電源，為不同負載點(PoL)供電，而中間電壓通常選為12V(見圖1)。這種傳統方案包含一個分立式PoL，該PoL是以分立的方式使用控制器、驅動器和MOSFET。由于該方案需要額外的設計和制造時間，故半導體供應商目前開始轉而采用完全集成的調節器解決方案，以期縮短上市時間，減小PCB空間，并使終端應用達到更高的效率水平。本
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Fairchild 電源設計 MOSFET
據國外媒體報道，歐洲第二大芯片制造商英飛凌(Infineon Technologies AG)近日公布的財報顯示，結束于3月份的本財年第二財季凈利潤為7900萬歐元(約合1.042億美元)，去年同期虧損2.39億歐元;第二財季營收為 10億歐元，同比增長55%。
第二財季凈利潤好于分析師預期，營收與分析師預期相當。據彭博社調查的分析師此前曾預計，該公司第二季度經調整凈利潤7130萬歐元。第二財季為英飛凌連續第三季度實現盈利，而在那之前10個季度該公司累計虧損額高達39億歐元。
英飛凌上調了
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英飛凌 MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面積內，這款20V器件提供業內P溝道MOSFET最低的導通電阻。
新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P溝道技術的首款芯片級產品。這種最先進的技術能夠實現超精細、亞微米的節距工藝，將業內P溝道MOSFET所能實現的最低導通電阻減小了一半：在4.5V、2
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Vishay MOSFET TrenchFET
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