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非互補有源鉗位可實現超高功率密度反激式電源設計
- 離線反激式電源在變壓器初級側需要有鉗位電路（有時稱為緩沖器），以在正常工作期間功率MOSFET開關關斷時限制其兩端的漏源極電壓應力。設計鉗位電路時可以采用不同的方法。低成本的無源網絡可以有效地實現電壓鉗位，但在每個開關周期必須耗散鉗位能量，這會降低效率。一種改進的方法就是對鉗位和功率開關采用互補驅動的有源鉗位技術，使得能效得以提高，但它們會對電源的工作模式帶來限制（例如，無法工作于CCM工作模式）。為了克服互補有源鉗位電路所帶來的設計限制，可以采用另外一種更先進的控制技術，即非互補有源鉗位。該技術可確保以
- 關鍵字： MOSFET
英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET
- 高功率密度、出色的性能和易用性是當前電源系統設計的關鍵要求。為此，英飛凌科技股份公司近日推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應用中的設計挑戰提供切實可行的解決方案。該功率MOSFET采用PQFN 封裝，尺寸為3.3 x 3.3 mm2，支持從25 V到100 V的寬電壓范圍。此種封裝可實現更高的效率、更高的功率密度以及業內領先的熱性能指標，并降低BOM成本，在功率MOSFET的性能方面樹立了新的行業標桿。該器件的應用領域十分廣泛，涵蓋電機驅
- 關鍵字： MOSFET
Power Integrations推出業界首款內部集成1700V SiC MOSFET的汽車級高壓開關IC
- InnoSwitch3產品系列陣容再度擴大，新器件不僅能顯著減少元件數量，還可大幅提高電動汽車和工業應用的效率
- 關鍵字： InnoSwitch?3-AQ 碳化硅 MOSFET 電動汽車 牽引逆變器
大功率電池供電設備逆變器板如何助力熱優化
- 電池供電電機控制方案為設計人員帶來多項挑戰，例如，優化印刷電路板熱性能目前仍是一項棘手且耗時的工作；現在，應用設計人員可以用現代電熱模擬器輕松縮短上市時間。
- 關鍵字： MOSFET
ROHM開發出45W輸出、內置FET的小型表貼封裝AC/DC轉換器IC“BM2P06xMF-Z”
- 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）面向空調、白色家電、FA設備等配備交流電源的家電和工業設備領域，開發出內置730V耐壓MOSFET*1的AC/DC轉換器*2IC“BM2P06xMF-Z系列（BM2P060MF-Z、BM2P061MF-Z、BM2P063MF-Z）”。近年來，家電和工業設備領域的AC/DC轉換器，不僅要支持交流輸入85V～264V以處理世界各地的交流電壓，作為電源整體還要符合能效標準“Energy Star*3”和安全標準“IEC 62368”等，需要從國際視角構建電源系統。其
- 關鍵字： MOSFET
ADI浪涌抑制器——為產品的可靠運行保駕護航
- 一、復雜的電子環境汽車、工業和航空電子設備所處的供電環境非常復雜，在這種惡劣的供電環境中運行，需要具備對抗各種浪涌傷害的能力。以汽車電子系統供電應用為例，該系統不但需要滿足高可靠性要求，還需要應對相對不太穩定的電池電壓，具有一定挑戰性；與車輛電池連接的電子和機械系統的差異性，也可能導致標稱12 V電源出現大幅電壓偏移。事實上，在一定時間段內，12 V電源的變化范圍為–14 V至+35 V，且可能出現+150 V至–220 V的電壓峰值。這種很高的瞬態電壓在汽車和工業系統是常見的，可以持久從微秒到幾百毫秒，
- 關鍵字： MOSFET
使用氮化鎵(GaN)提高電源效率
- 如今，越來越多的設計者在各種應用中使用基于氮化鎵的反激式ac/dc電源。氮化鎵之所以很重要，是由于其有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源尺寸，降低工作溫度。晶體管無論是由硅還是由氮化鎵制成，都不是理想的器件，使其效率下降的兩個主要因素（在一個簡化模型中）：一個是串聯阻抗，稱為rds(on)，另一個是并聯電容，稱為coss。這兩個晶體管參數限制了電源的性能。氮化鎵是一種新技術，設計者可以用它來降低由于晶體管特性的不同而對電源性能產生的影響。在所有晶體管中，隨著rds(on)的減小，管芯尺寸會增加，這會導
- 關鍵字： MOSFET
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