- 推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor)，近日推出業界首款專用臨界導通模式 (CrM) 圖騰柱PFC控制器，是該公司超高密度離線電源方案集的新成員。在傳統的PFC電路中，整流橋二極管在240 W電源中的損耗約4 W，占總損耗的20%左右。相比之下，PFC級的能效通常為97%，LLC電路實現類似的性能。然而，用 "圖騰柱 "配置的開關取代有損耗的二極管，并拉入升壓PFC功能，可減少電橋損耗，顯著提高整體能效。此外，NCP1680可適用于任何開關類型，無論是超級結
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MOSFET
- 隨著世界中產階級的增加以及汽車、暖通空調（HVAC）和工業驅動更加電氣化，電力需求只會增加。在每個功率級（發電、配電、轉換和消耗）所能達到的能效將決定整個電力基礎設施的負擔增加程度。在每個功率級，能效低會導致產生熱量，這是主要的副產物。通常，消除熱量或以其他方式處理熱量需要消耗更多的能量。因此，減少每一功率級產生的廢熱具有相當大的影響。在轉換級，電力電子器件產生的熱量主要歸咎于導通損耗和開關損耗。更高能效的半導體意味著更少的熱量，因此也減少了能源浪費。低能效的半導體產生的熱量是不可利用的，且大多是不需要的
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202105 MOSFET
- 針對智能手機和平板電腦等移動設備的快速充電是消費電子行業中增長最快和規模最大的市場之一，相應電源適配器每年全球使用量達數億件以上。其中涉及一系列新興技術和挑戰，包括USB PowerDelivery（PD）。本文將探討一些目前與快充相關的AC/DC功率轉換關鍵技術，重點討論對USB PD的支持、技術的發展，以及Dialog在這方面提供的最新產品和解決方案。
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MOSFET 202105
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向大功率通用逆變器、AC伺服、商用空調、路燈等工業設備，開發出內置1700V耐壓SiC MOSFET*1的AC/DC轉換器*2IC“BM2SC12xFP2-LBZ”。近年來，隨著節能意識的提高，在交流400V級工業設備領域，可支持更高電壓、更節能、更小型的SiC功率半導體的應用越來越廣。而另一方面，在工業設備中，除了主電源電路之外，還內置有為各種控制系統提供電源電壓的輔助電源，但出于設計周期的考量，它們中仍然廣泛采用了耐壓較低的Si-MOSFET和損耗較
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MOSFET IGBT
- 隨著汽車電氣和電子系統設計日趨復雜化，汽車電子系統的安全性逐漸成為消費者與廠商衡量新一代汽車產品優劣的重要指標。如何量化評估汽車功能是否安全，如何減少、規避駕駛過程中遇到的各類風險，如何做到汽車功能安全等問題變得十分突出，為了解決上述難題，ISO26262 汽車功能安全國際標準應運而生。ISO26262 定義的功能安全是為了避免因電氣／電子系統故障而導致的不合理風險。由于電子控制器失效的可預見性非常低，為了保證即使出現部分電子器件故障，汽車系統也能在短期（故障容錯時間內）內安全運行，需要進行功能安全防護。
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202106 MOSFET
- 0? ?引言近年來，電力電子領域最重要的發展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG 材料的特性有望實現更小、更快、更高效的電力電子產品。WBG 功率器件已經對從普通電源和充電器到太陽能發電和能量存儲的廣泛應用和拓撲結構產生了影響。SiC 功率器件進入市場的時間比氮化鎵長，通常用于更高電壓、更高功率的應用。電機在工業應用的總功率中占了相當大的比例。它們被用于暖通空調（HVAC）、重型機器人、物料搬運和許多其他功能。提高電機驅動的能效和可靠性是降低
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202106 MOSFET WBG 202106
- 摘要隨著汽車電動化推進，智能充電基礎設施正在迅速普及，智能電網內部的V2G車輛給電網充電應用也是方興未艾，越來越多的應用領域要求有源前端電力變換器具有雙向電流變換功能。本文在典型的三相電力應用中分析了SiC功率MOSFET在高頻PFC變換器中的應用表現，證明碳化硅電力解決方案的優勢，例如，將三相兩電平全橋(B6)變換器和NPC2三電平(3L-TType)變換器作為研究案例，并與硅功率半導體進行了輸出功率和開關頻率比較。前言隨著汽車電動化推進，智能充電基礎設施正在迅速普及，智能電網內部的V2G車輛給電網充電
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MOSFET IGBT
- 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics)近日 宣布與PANJIT簽訂全球分銷協議。PANJIT是一家成立于1986年的分立式半導體制造商。簽訂本協議后，貿澤開始備貨PANJIT 豐富多樣的產品，包括二極管、整流器和晶體管。貿澤備貨的PANJIT產品線包括高度可靠的汽車級E-Type瞬態電壓抑制器 (TVS)。150W至400W的E-type TVS產品采用外延 (EPI) 平面晶圓工藝，與傳統晶圓工藝相比，該工藝具有高浪涌、低反向電流和更好的箝位電壓
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MOSFET
- 近日，英飛凌科技股份公司近日推出全新EasyPACK? 2B模塊。作為英飛凌1200 V系列的產品，該模塊采用有源鉗位三電平（ANPC）拓撲結構，并集成了CoolSiC? MOSFET、TRENCHSTOP? IGBT7器件、NTC溫度傳感器以及PressFIT壓接引腳。此功率模塊適用于儲能系統（ESS）這樣的快速開關應用，還有助于提高太陽能系統的額定功率和能效，并可滿足對1500 V DC-link太陽能系統與日俱增的需求。Easy模塊F3L11MR12W2M1_B74專為在整個功率因數（cos φ）范
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MOSFET
- 空間應用電源需要在抗輻射技術環境中運行，防止極端粒子相互作用及太陽和電磁事件的影響，因為這類事件會降低空間系統的性能并干擾運行。為滿足這一要求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）近日宣布其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds（on）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）獲得了商業航天和國防空間應用認證。Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉換電路提供了主要的開關元件，包括負載點轉換器、DC-DC轉換器、電
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MOSFET LET IC MCU
- 推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor)，近日發布一對1200 V完整的碳化硅 (SiC) MOSFET 2-PACK模塊，進一步增強其用于充滿挑戰的電動車 (EV) 市場的產品系列。隨著電動車銷售不斷增長，必須推出滿足駕駛員需求的基礎設施，以提供一個快速充電站網絡，使他們能夠快速完成行程，而沒有“續航里程焦慮癥”。這一領域的要求正在迅速發展，需要超過350 kW的功率水平和95%的能效成為“常規”。鑒于這些充電樁部署在不同的環境和地點，緊湊性、魯棒性和增強的可靠性都是設計人員面
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MOSFET
- 英飛凌科技向三星電子供應具有最高能源效率及最低噪音的功率產品。這些功率裝置已整合在三星最新款的單門式(RR23A2J3XWX、RR23A2G3WDX)與FDR(對開式：RF18A5101SR)變頻式冰箱。變頻是當代變頻器設計中，采用直流轉交流的新興轉換趨勢。與傳統的開/關控制相比，能讓產品應用更安靜平穩地運轉，同時也減少平均耗電量。 三星首款在壓縮機中使用分立式裝置設計的冰箱，采用英飛凌多款電源解決方案：EiceDRIVER、CoolSET Gen 5，以及壓縮機馬達用的 600V CoolMO
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三星 MOSFET 英飛凌
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用薄型S06L封裝的新款光伏輸出光耦（“光伏耦合器”）---“TLP3910”，適用于驅動高壓功率MOSFET的柵極，這類MOSFET用于實現隔離式固態繼電器（SSR）[1]功能。今日開始批量出貨。SSR是以光電可控硅、光電晶體管或光電晶閘管為輸出器件的半導體繼電器，它適用于對大電流執行開／關控制的應用。光伏耦合器是一種內置光學器件但不具有用于執行開關功能的MOSFET的光繼電器。在配置隔離式SSR設計時，通過將光伏耦合器與MOSFET結合使用，便
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MOSFET SSR
- 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m? RDS(on) 40 V功率MOSFET，該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝，適用于汽車(BUK7S0R5-40H)和工業(PSMNR55-40SSH)應用。這些器件是Nexperia所生產的RDS(on) 值最低的40 V器件，更重要的是，它們提供的功率密度相比傳統D2PAK器件提高了50倍以上。此外，這些新型器件還可在雪崩和線性模式下提供更高的性能，從而提高了耐用性和可靠性。Nexperia產品市場經理Neil M
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Nexperia 低RDS(on) MOSFET
- 隨著半導體技術和工藝的飛速發展，電子設備得到了廣泛應用，而作為一名電力工程師，模擬電路是一門很基礎的課，對于學生來說，獲得電子線路基本知識、基本理論和基本技能,能為深入學習電子技術打下基礎。1. 電接口設計中，反射衰減通常在高頻情況下變差，這是因為帶損耗的傳輸線反射同頻率相關，這種情況下，盡量縮短PCB走線就顯得異常重要。2. 穩壓二極管就是一種穩定電路工作電壓的二極管，由于特殊的內部結構特點，適用反向擊穿的工作狀態，只要限制電流的大小，這種擊穿是非破壞性的。3. PN結具有
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模電 三極管 MOSFET
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