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        mosfet-driver 文章 進入mosfet-driver技術社區

        如何用無橋圖騰柱功率因數校正控制器實現出色的AC-DC功率轉換效率

        • 電網提供的電能是交流電,但我們使用的大多數設備都需要直流電,這意味著進行這種轉換的交流/ 直流電源是能源網上最常見的負載之一。隨著世界關注能效以保護環境并管理運營成本,這些電源的高效運行變得越來越重要。效率作為輸入功率與供給負載的功率之間的比率衡量,很容易理解。但是,輸入功率因數也有很大的影響。功率因數(PF) 描述了任何交流電設備(包括電源)消耗的有用(真實)功率與總(視在)功率(kVA) 之間的比值。PF 衡量消耗的電能轉換為有用功輸出的有效性。如果負載是純阻性負載,PF 將等于1,但任何負載內的無功
        • 關鍵字: 202204  MOSFET  無橋圖騰柱  功率因數校正控制器  

        貿澤電子開售英飛凌XENSIV PAS CO2傳感器

        • 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨英飛凌的XENSIV? PAS CO2二氧化碳傳感器。該產品基于光聲光譜學 (PAS) 原理,采用高靈敏度MEMS麥克風檢測傳感器腔內CO2分子產生的壓力變化。這種檢測方式可以顯著減小CO2傳感器的尺寸,與市面上其他CO2傳感器相比,可以在最終產品中節省超過75%的空間。貿澤電子分銷的英飛凌XENSIV PAS CO2傳感器集成了光聲傳感器(包含檢測器、紅外源和光學濾波器)、用
        • 關鍵字: 貿澤電子  英飛凌  XENSIV PAS  CO2傳感器  MOSFET  

        揚杰科技推出N80V-N85V系列MOSFET產品,采用SGT工藝

        • 4月8日消息,揚杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET產品,采用先進的SGT (Shield  Gate  Trench  MOSFET) 制程工藝,針對電機驅動、BMS等應用設計,優化BVdss、Rdson、Qg等參數性能同時,提升MOSFET抗沖擊電流能力。N80V-N85V系列MOSFET產品具有TO-220、TO-263、TO-252、PDFN5060等多種封裝形式可以選擇。廣泛應用于電池管理系統、儲能系統、逆變電源系統、電機驅動系統、電源管理系統等,是其核
        • 關鍵字: MOSFET  楊杰科技  

        板子上的MOSFET莫名炸機,多半是這個原因!

        • MOSFET、IGBT是開關電源最核心也是最容易燒壞的器件!其原因大多是過壓或過流導致功耗大增,從而使器件損壞,甚至可能會伴隨爆炸。而SOA安全工作區測試,就是保障其安全工作的重要測試項目!
        • 關鍵字: MOSFET  ZLG  

        瑞森 SGT MOSFET 介紹及應用

        • 最近,瑞森研發部對功率MOSFET的技術進行了更新換代,這種技術改變了MOSFET內部電場的形態,將傳統的三角形電場進一步的變更為類似壓縮的梯形電場,可以進一步減小EPI層的厚度,降低導通電阻Rds(on)。
        • 關鍵字: MOSFET  瑞森  

        如何避免功率MOSFET發生寄生導通?

        • 該文描述了引起功率MOSFET發生寄生導通的機制,并進一步指出為了避免寄生導通,在選取MOSFET時應遵循什么準則。
        • 關鍵字: MOSFET  英飛凌  

        你的MOSFET為什么發熱那么嚴重?

        • 在開關電源電路中,MOSFET作為最核心的器件,卻也是最容易發熱燒毀的,那么MOSFET到底承受了什么導致發熱呢?本文來帶你具體分析。MOSFET工作原理什么是MOSFET?MOSFET是全稱為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,即金屬氧化物半導體場效應晶體管的半導體。它可分為NPN型和PNP型。NPN型通常稱為N溝道型,PNP型通常稱P溝道型。如圖1所示,對于N溝道型的場效應管其源極和漏極接在N型半導體上,同樣對于P溝道的場效應管,如圖2所
        • 關鍵字: MOSFET  ZLG  

        最全!20V到1700V全覆蓋的國產MOSFET功率器件,工溫最高175℃

        • 中國半導體功率器件十強企業:揚杰科技(YANGJIE)· 主要產品:中低壓MOSFET(VDSS:20V-150V)和高壓MOSFET(VDSS:500V-900V)· 廠牌優勢:專注于功率半導體芯片及器件制造、集成電路封裝測試等領域的產業發展,,通過了ISO9001,ISO14001,IATF16949等認證,連續數年評為中國半導體功率器件十強企業。國內領先的的分立器件研發企業:長晶科技(JSCJ)· 主要產品:覆蓋了12V~700V的功率型MOSFET· 廠牌優勢:專注于功率器件、分立器件、頻率器件、
        • 關鍵字: MOSFET  楊杰科技  長晶科技  

        聞達精芯之安,泰然創新于世

        • 安世半導體(Nexperia)是全球半導體行業公認的基礎半導體器件生產專家,持續穩定地大批量生產超越業界質量標準的高效產品。
        • 關鍵字: 202204  MOSFET  

        同時實現業界超快反向恢復時間和超低導通電阻的600V耐壓超級結 MOSFET “R60xxVNx系列”

        • 全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)的600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS?”產品陣容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款機型,新產品非常適用于電動汽車充電樁、服務器、基站等需要大功率的工業設備的電源電路、以及空調等因節能趨勢而采用變頻技術的白色家電的電機驅動。近年來,隨著全球電力消耗量的增加,如何有效利用電力已成為亟待解決的課題,在這種背景下,電動汽車充電樁、服務器和基站等工業設備以及空調等白色家電的效率不斷提升,因此也就要求其中所用的功率半導體進一步降低功率損耗。針對這種
        • 關鍵字: MOSFET  

        英飛凌推出采用D2PAK封裝的650 V CoolSiCTM MOSFET,進一步降低應用損耗并提高可靠性

        • 在數字化、城市化和電動汽車等大趨勢的推動下,電力消耗日益增加。與此同時,提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應當下全球發展大勢并滿足相關市場需求,英飛凌科技股份公司近日推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新產品。該產品具有高可靠性、易用性和經濟實用等特點,能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術,廣泛適用于大功率應用,包括服務器、電信設備、工業SMPS、電動汽車快速充電、電機驅動、太陽能系統、儲能系統和電
        • 關鍵字: MOSFET  

        東芝推出采用最新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET,可大幅提高電源效率

        • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝,適用于工業設備開關電源,其中包括數據中心電源和通信基站電源。該產品于今日開始支持批量出貨。與使用當前一代“U-MOSⅧ-H”工藝的150V產品TPH1500CNH相比,TPH9R00CQH的漏源導通電阻下降約42%。對新型MOSFET的結構優化促進實現源漏導通電阻和兩項電荷特性[2]之間的平衡[3],從而實現了優異的低損耗特性。此外,開關
        • 關鍵字: MOSFET  

        恩智浦與日立能源合作開發電源模塊,加快碳化硅在電動交通領域的采用

        • 恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)近日宣布與日立能源合作,加快碳化硅(SiC)電源半導體模塊在電動交通領域的采用。此次合作項目為動力逆變器提供基于SiC MOSFET的解決方案,更高效可靠且功能安全,該解決方案由恩智浦先進的高性能GD3160隔離式高壓柵極驅動器和日立能源RoadPak汽車SiC MOSFET功率模塊組成。產品重要性電動汽車廠商采用SiC MOSFET動力器件,可比采用傳統硅IGBT獲得更高的續航里程,提高系統整體效率。SiC MOSFET功率器件帶有高性能功率
        • 關鍵字: MOSFET  

        如何為開關電源選擇合適的MOSFET?

        • DC/DC開關控制器的MOSFET選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規定范圍以內,必須在低柵極電荷和低導通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統中,這種情況會變得更加復雜。圖1:降壓同步開關穩壓器原理圖。DC/DC開關電源因其高效率而廣泛應用于現代許多電子系統中。例如,同時擁有一個高側FET和低側FET的降壓同步開關穩壓器,如圖1所示。這兩個FET會根據控制器設置的占空比進行開關操作,旨在達到理想的輸出電壓。降壓穩壓器的占空比方
        • 關鍵字: 開關電源  MOSFET  

        Nexperia先進電熱模型可覆蓋整個MOSFET工作溫度范圍

        • 基礎半導體元器件領域的高產能生產專家Nexperia(安世半導體)近日宣布MOSFET器件推出全新增強型電熱模型。半導體制造商通常會為MOSFET提供仿真模型,但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數。Nexperia的全新先進模型可捕獲-55℃至175℃的整個工作溫度范圍的一系列完整器件參數。這些先進模型中加入了反向二極管恢復時間和電磁兼容性(EMC),大大提升了器件整體精度。參數可幫助工程師建立精確的電路和系統級仿真,并在原型設計前對電熱及EMC性能進行評估。模型還有助于節省時間和資源,工程師此
        • 關鍵字: Nexperia  電熱模型  MOSFET  
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