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功率器件和被動元件點亮第97屆中國電子展，CEF下半年成都上海再相見
- 2021年4月11日，為期三天的第97屆中國電子展在深圳會展中心圓滿落幕，展會與第九屆中國電子信息博覽會（CITE2021）同期舉辦，現場有超1500家參展商參展，共發布近萬件新產品、新技術，全方位、多角度展示我國電子信息產業的最新發展成果。同時，博覽會期間還舉辦了近100場同期活動，吸引了超過10萬名專業觀眾到場參觀，500余萬觀眾線上觀展。據主辦方介紹，展會以“創新驅動 高質量發展”為主題，展覽展示、論壇會議和現場活動三大板塊聯動，三位一體，亮點紛呈。亮點一展覽：展示最新產品?9號館——基礎
- 關鍵字： MOSFET
Vishay推出全球領先的汽車級80 V P溝道MOSFET，以提高系統能效和功率密度
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日推出通過AEC-Q101認證、全球先進的p溝道80 V TrenchFET? MOSFET---SQJA81EP。新型Vishay Siliconix SQJA81EP導通電阻達到80 V p溝道器件優異水平，可提高汽車應用功率密度和能效。SQJA81EP采用歐翼引線結構5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK? SO-8L小型單體封裝，10 V條件下最大導通電阻僅為17.3 mW /典型值為14.3 mW。日前發布的汽車級M
- 關鍵字： MOSFET
東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊，有助于提升工業設備效率和小型化
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，面向工業應用推出一款集成最新開發的雙通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模塊---“MG800FXF2YMS3”，該產品將于2021年5月投入量產。為達到175℃的通道溫度，該產品采用具有銀燒結內部鍵合技術和高貼裝兼容性的iXPLV（智能柔性封裝低電壓）封裝。這款模塊可充分滿足軌道車輛和可再生能源發電系統等工業應用對高效緊湊設備的需求。◆? ?應用●? ?用于軌道車輛的逆變器和轉換
- 關鍵字： MOSFET
開關模式電源電流檢測——第二部分
- 電流檢測電阻的位置連同開關穩壓器架構決定了要檢測的電流。檢測的電流包括峰值電感電流、谷值電感電流（連續導通模式下電感電流的最小值）和平均輸出電流。檢測電阻的位置會影響功率損耗、噪聲計算以及檢測電阻監控電路看到的共模電壓。放置在降壓調節器高端對于降壓調節器，電流檢測電阻有多個位置可以放置。當放置在頂部MOSFET的高端時（如圖1所示），它會在頂部MOSFET導通時檢測峰值電感電流，從而可用于峰值電流模式控制電源。但是，當頂部MOSFET關斷且底部MOSFET導通時，它不測量電感電流。圖1 帶高端RSENSE
- 關鍵字： MOSFET
采用 23mm x 16.5mm 封裝的 170W 倍壓器
- 設計要點 DN571 - 引言對于高電壓輸入/輸出應用，無電感型開關電容器轉換器 (充電泵) 相比基于電感器的傳統降壓或升壓拓撲可顯著地改善效率和縮減解決方案尺寸。通過采用充電泵取代電感器，一個 “跨接電容器” 可用于存儲能量和把能量從輸入傳遞至輸出。電容器的能量密度遠高于電感器，因而采用充電泵可使功率密度提高 10 倍。但是，由于在啟動、保護、柵極驅動和穩壓方面面臨挑戰，所以充電泵傳統上一直局限于低功率應用。ADI公司的LTC7820 克服了這些問題，可實現高功率密度、高效率 (達 99%) 的解決方案
- 關鍵字： MOSFET
采用具有驅動器源極引腳的低電感表貼封裝的SiC MOSFET
- 引言人們普遍認為，SiC MOSFET可以實現非常快的開關速度，有助于顯著降低電力電子領域功率轉換過程中的能量損耗。然而，由于傳統功率半導體封裝的限制，在實際應用中并不總是能發揮SiC元器件的全部潛力。在本文中，我們首先討論傳統封裝的一些局限性，然后介紹采用更好的封裝形式所帶來的好處。最后，展示對使用了圖騰柱（Totem-Pole）拓撲的3.7kW單相PFC進行封裝改進后獲得的改善效果。功率元器件傳統封裝形式帶來的開關性能限制TO-247N（圖1）是應用最廣泛的功率晶體管傳統封裝形式之一。如圖1左側所示，
- 關鍵字： MOSFET
Vishay贊助的同濟大學電動方程式車隊勇奪冠軍，支持培養下一代汽車設計師
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，其贊助的同濟大學大學生電動方程式車隊---DIAN Racing首次榮獲中國大學生電動方程式汽車大賽（FSEC）總冠軍。DIAN Racing車隊由100多名成員組成，致力于提高汽車速度和能效，同時為國際清潔能源的發展做出貢獻。每年，車隊設計制造一款先進的電動賽車，參加包括FSEC在內的國際大學生方程式汽車賽。在2020年襄陽站的角逐中，DIAN Racing車隊以設計報告和直線加速賽第一，8字繞環第二，耐久性第三的優異成績獲得本屆比
- 關鍵字： MOSFET
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