溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內部溫度傳感器 (體二極管),但其他方法也可以用來監控溫度。半導體硅PTC熱敏電阻可以很好進行電流控制,或鉑基或鈮基(RTD)電阻溫度檢測器可以用較低阻值,達到更高的檢測線性度。無論傳感器采用表面貼裝器件、引線鍵合裸片還是燒結裸片,NTC熱敏電阻仍是靈敏度優異,用途廣泛的溫度傳感器。只要設計得當,可確保模塊正確降額,并最終在過熱或外部溫度過高的情況下關斷模塊。本文以鍵合NTC裸片為重點,采用模擬電路仿真的方法說明功率模
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IGBT MOSFET
用于消防控制系統的集中供電電源應具備不間斷供電的特性,能夠進行電池充電及智能顯示。本文通過半橋拓撲設計主電電路,以STM8S003F3P作為電源的控制單片機,使用繼電器控制電路實現主備電無縫切換,使用電池充電電路對蓄電池進行智能充電管理,最后搭建實際電路進行驗證。驗證結果表明:設計的集中供電電源輸出性能指標較高,且能夠實現不間斷供電及電池充電功能,滿足消防控制系統供電要求。
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集中供電電源 半橋拓撲 充電管理 智能 202104 MOSFET IGBT
隨著電子系統變得越來越密集并且互連程度越來越高,降低電磁干擾 (EMI) 的影響日益成為一個關鍵的系統設計考慮因素。鑒于 EMI 可能在后期嚴重阻礙設計進度,浪費大量時間和資金,因此必須在設計之初就考慮 EMI 問題。開關模式電源 (SMPS) 是現代技術中普遍使用的電路之一,在大多數應用中,該電路可提供比線性穩壓器更大的效率。但這種效率提高是有代價的,因為 SMPS 中功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET) 的開關會產生大量 EMI,進而影響電路可靠性。EMI 主要來自不連續的輸入電流、開關節
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MOSFET
基礎半導體器件領域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術和競爭對手器件相比,新款器件具有顯著的性能優勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ(典型值)的RDS(on)性能,適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業開關模式電源(SMPS),特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級效率認證的服務器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內的太陽能逆變器和伺服驅動器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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Nexperia MOSFET GaN
工業自動化簡單說來指從人力制造轉向機器人制造,涉及信息物理系統(CPS)、物聯網(IoT)/工業物聯網(IIoT)、云計算(Cloud Computing)和人工智能(AI)等多種技術,可實現經濟增長和利潤最大化,提高生產效率,并避免人力在執行某些任務時的安全隱患。安森美半導體為工業自動化提供全面的高能效創新的半導體方案。其中,機器人半導體方案構建框圖如圖1所示。圖1?工業自動化-機器人半導體方案構建框圖電機控制設計人員可采用安森美半導體的無刷直流電機(BLDC)控制器實現BLDC電機控制,如高
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MOSFET BLDC IoT IIoT
2021年4月11日,為期三天的第97屆中國電子展在深圳會展中心圓滿落幕,展會與第九屆中國電子信息博覽會(CITE2021)同期舉辦,現場有超1500家參展商參展,共發布近萬件新產品、新技術,全方位、多角度展示我國電子信息產業的最新發展成果。同時,博覽會期間還舉辦了近100場同期活動,吸引了超過10萬名專業觀眾到場參觀,500余萬觀眾線上觀展。據主辦方介紹,展會以“創新驅動 高質量發展”為主題,展覽展示、論壇會議和現場活動三大板塊聯動,三位一體,亮點紛呈。亮點一展覽:展示最新產品?9號館——基礎
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MOSFET
日趨嚴格的CO2排放標準以及不斷變化的公眾和企業意見在加速全球電動汽車(EV)的發展。這為車載充電器(OBC)帶來在未來幾年巨大的增長空間,根據最近的趨勢,到2024年的復合年增長率(CAGR(TAM))估計將達到37.6%或更高。對于全球OBC模塊正在設計中的汽車,提高系統能效或定義一種高度可靠的新拓撲結構已成為迫在眉睫的挑戰。用于單相輸入交流系統的簡單功率因數校正(PFC)拓撲結構(圖1)是個傳統的單通道升壓轉換器。該方案包含一個用于輸入交流整流的二極管全橋和一個PFC控制器,以增加負載的功率因數,從
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MOSFET PFC
日前,Vishay Intertechnology, Inc. 近日推出通過AEC-Q101認證、全球先進的p溝道80 V TrenchFET? MOSFET---SQJA81EP。新型Vishay Siliconix SQJA81EP導通電阻達到80 V p溝道器件優異水平,可提高汽車應用功率密度和能效。SQJA81EP采用歐翼引線結構5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK? SO-8L小型單體封裝,10 V條件下最大導通電阻僅為17.3 mW /典型值為14.3 mW。日前發布的汽車級M
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MOSFET
背景資訊大多數中間總線轉換器 (IBC) 使用一個體積龐大的電源變壓器來提供從輸入至輸出的隔離。另外,它們一般還需要一個用于輸出濾波的電感器。此類轉換器常用于數據通信、電信和醫療分布式電源架構。這些 IBC 可由眾多供應商提供,而且通常可放置于業界標準的 1/16、1/8 和 1/4 磚占板面積之內。典型的 IBC 具有一個 48V 或 54V 的標稱輸入電壓,并產生一個介于 5V 至 12V 之間的較低中間電壓以及從幾百 W 至幾 kW 的輸出功率級別。中間總線電壓用作負載點穩壓器的輸入,將負責給 FP
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MOSFET IBC
STGAP2SiCS能夠產生高達26V的柵極驅動電壓,將欠壓鎖定(UVLO)閾壓提高到15.5V,滿足SiC MOSFET開關管正常導通要求。如果電源電壓低引起驅動電壓太低,UVLO保護機制將確保MOSFET處于關斷狀態,以免產生過多的耗散功率。這款驅動器有雙兩個輸入引腳,讓設計人員可以定義柵極驅動信號的極性。STGAP2SiCS在輸入部分和柵極驅動輸出之間設計6kV電氣隔離,電隔離有助于確保消費電子和工業設備的用電安全。4A吸電流/拉電流驅動能力使其適用于高端家用電器、工業驅動裝置、風扇、電磁爐、電焊機
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MOSFET UVLO
1? ?電機驅動系統的關鍵是可靠性和能效電機在現代生活中無處不在, 從氣候控制、電器和商業制冷到汽車、工廠和基礎設施。根據國際能源署 (International Energy Agency) 的數據,電機占全球總電力消耗的45%,因此電機驅動電子設備的可靠性和能效會對世界各地的舒適、便利和環境及各種應用產生影響。工業自動化和機器人是電機最重要的應用之一,隨著傳統機器人、協作機器人和自主移動機器人的采用,我們看到工廠和其他設施變得更加自動化。一種提高電機驅動系統能效的方法是,以基于三相
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MOSFET IPM 202103
近年來,諧振變換器的熱度越來越高,被廣泛用于計算機服務器、電信設備、燈具和消費電子等各種應用場景。諧振變換器可以很容易地實現高能效,其固有的較寬的軟開關范圍很容易實現高頻開關,這是一個關鍵的吸引人的特性。本文著重介紹一個以半橋LCC諧振變換數字控制和同步整流為特性的300W電源。圖1所示的STEVAL-LLL009V1是一個數控300W電源。原邊組件包括PFC級和DC-DC功率級(半橋LCC諧振變換器),副邊組件包括同步整流電路和STM32F334微控制器,其中STM32F334微控制器對DC-DC功率級
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MOSFET IC
開關模式電源有三種常用電流檢測方法是:使用檢測電阻,使用MOSFET RDS(ON),以及使用電感的直流電阻(DCR)。每種方法都有優點和缺點,選擇檢測方法時應予以考慮。檢測電阻電流作為電流檢測元件的檢測電阻,產生的檢測誤差最低(通常在1%和5%之間),溫度系數也非常低,約為100 ppm/°C (0.01%)。在性能方面,它提供精度最高的電源,有助于實現極為精確的電源限流功能,并且在多個電源并聯時,還有利于實現精密均流。圖1.RSENSE電流檢測另一方面,因為電源設計中增加了電流檢測電阻,所以電阻也會產
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MOSFET DCR
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