- 2012年,株洲建設起國內第一條8英寸IGBT專業芯片線。10月,自主IGBT模塊成功通過功率考核試驗,并于當月底裝載至昆明地鐵1號線城軌車。據稱,載有首批8英寸IGBT芯片的模塊的列車,在昆明地鐵車輛段完成段內調試,并穩定運行一萬公里,各項參數指標均達國際先進水平。
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IGBT 晶閘管 整流管
- 英飛凌科技股份有限公司針對大功率應用擴大分立式 IGBT 產品組合,推出新型 TO-247PLUS 封裝,可滿足額定電流高達 120A 的 IGBT封裝,并在相同的體積和引腳內裝有滿額二極管作為 JEDEC 標準TO-247-3。TO-247PLUS 可用于 UPS、焊接、太陽能、工業驅動等工業應用以及傳動系統逆變器等汽車應用,可更新高功率輸出的現有設計或者改進這些應用的熱環境,從而提高系統可靠性和延長系統使用壽命。TO-247PLUS 具備更高的電流承受能力,能夠在并聯時減少設備數量,實現更緊湊的產
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英飛凌 IGBT TO-247-3
- 中國南車株洲所25日對外公布,裝有中國首批自主研發8英寸IGBT芯片的模塊在昆明地鐵車輛段完成段內調試,并穩定運行一萬公里,各項參數指標均達國際先進水平。
這意味著,由中國南車株洲所下屬公司南車時代電氣自主研制生產的8英寸IGBT芯片已徹底打破國外高端IGBT技術壟斷,實現從研發、制造到應用的完全國產化。
IGBT是一種新型功率半導體器件,中文全名“絕緣柵雙極型晶體管”。作為電力電子裝置的“心臟”,IGBT在國家戰略領域中不可或缺。
由
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IGBT 功率半導體
- Littelfuse公司是全球電路保護領域的領先企業,已擴充其專為電機控制和逆變器應用設計的IGBT模塊功率半導體產品。 IGBT功率模塊提供廣泛的包裝設計,現包括半橋、六只裝以及S、D、H、W和WB封裝的PIM模塊,額定值高達1700V和450A。 這些模塊依托現代IGBT技術能夠可靠、靈活地提供高效快速的開關速度。 除了標準設計外,Littelfuse還可提供定制解決方案以滿足客戶的具體規范。 這些模塊將被用于工業電子產品的眾多功率應用中,包括工業驅動與運動控制硬件、太陽能逆變器、不間斷電源/開關
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Littelfuse IGBT
- DC-DC是一種新研制的小型化電源開關模塊,它是采用微電子技術,把小型表面安裝集成電路與微型電子元器件組裝成一體而構成。dc-dc電源模塊的使用有利于簡化電源電路設計縮短研制周期,實現最佳指標等,可廣泛應用于各類數字儀表和智能儀器中。本文為大家介紹相關DC-DC電源設計方案及優化方案。
隔離型全橋DC-DC電源的設計方案
本文介紹了一種基于全橋DC-DC的隔離電源設計。文中提及的半橋IGBT板為兩組隔離的正負電壓輸出,這樣做是為了能夠成為IGBT的驅動及保護。并且在實踐設計時,需要根據選擇
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元器件 IGBT 智能儀器
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商, 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出完善的IGBT模塊系列,適合電機驅動逆變器、開關模式電源、不間斷電源、太陽能逆變器及焊接應用等高功率工業應用。
全新模塊系列采用IR極為堅固可靠的IGBT技術(包括非擊穿平面柵極和場截止溝道柵極技術)及成熟的二極管技術,提供一系列穩健的高效模塊。這些產品采用了行業標準封裝,加上寬泛的配置及電流額定值范圍,有助于設計師靈活、輕易地部署高功率系統。這72款模塊提供600V或1200V
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國際整流器 IGBT
- 上海先進半導體制造股份公司(ASMC)與中國北車股份有限公司(CNR)10月22日在上海就雙方“建設戰略產業聯盟合作協議”簽約,上海先進總裁王慶宇、中國北車總工王勇智分別代表雙方在協議書上簽字,上海先進董事長陳建明、中國北車副總裁孫永才均表示,通過雙方戰略聯盟的合作,在充分利用各自競爭優勢基礎上聯手打造出具有核心競爭力的國產化IGBT大規模商用產業生態鏈。
據悉,戰略產業聯盟合作主要包括4個方面:一是通過成立聯盟形成從設計、制造到封裝、測試的完整IGBT產業鏈;二是簽訂合
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北車 IGBT
- 在大規模的分布式可再生能源發電中,變頻器在電力電子技術與信息通訊技術雙方面都扮演著重要的角色。據發布的數據顯示,全球再生能源用變頻器市場在2011年為72億美元的規模。預測今后5年該規模將會倍增,到2017年將超越190億美元。變頻器可使電機系統節電率達30%左右,甚至40%~60%。未來幾年中低壓變頻器需求將保持20%以上的增速,高壓變頻器行業保持40%以上的增速。絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是變頻器的核心部件,目前國內IGBT市場仍主要由外資企業所把控,擁有技術優勢的企業有望率先實現進口替代。
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變頻器工業 IGBT
- 近日,三菱電機功率半導體制作所參加了上海2014年PCIM亞洲展,總工程師佐藤克己介紹了IGBT等功率器件的發展趨勢。
IGBT芯片發展進程
IGBT芯片始于19世紀80年代中期。30年以來,就FOM(優點指數)來說,今日的IGBT芯片比第一代性能提升了20倍左右,其中改良技術包括:精細化加工工藝、柵式IGBT的開發(如三菱電機的CSTBT),以及薄晶圓的開發等等。如今,三菱電機的IGBT芯片已經踏入第7代,正朝第8代邁進。
隨著產品的更新換代,功耗越來越低,尺寸越來越小。從80
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三菱電機 IGBT 晶圓 201408
- IGBT產品集合了高頻、高壓、大電流三大技術優勢,是電力電子技術第三次革命最具代表性的產品,中國市場的諸多因素將推進IGBT應用的發展,在電力領域、消費電子、汽車電子、新能源等傳統和新興領域,市場前景廣闊。
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半導體 IGBT
- IGBT
是功率器件技術演變的最新產品,是未來功率器件的主流發展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復合器件。既有功率MOSFET易于驅動、控制簡單、開關頻率高的優點。又有功率晶體管的導通電壓低、通態電流大、損耗小的優點。基于技術和功能上的優勢,IGBT產品可以實現對以往功率器件產品的逐步替代。IGBT產品集合了高頻、高壓、大電流三大技術優勢。IGBT能夠實現節能減排,具有很好的環境保護效益。IGBT被公認為是電力電子技術第三次革命最具代表性的產品,是未來應
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半導體 IGBT
- IGBT是功率器件技術演變的最新產品,是未來功率器件的主流發展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復合器件。既有功率MOSFET易于驅動、控制簡單、開關頻率高的優點。又有功率晶體管的導通電壓低、通態電流大、損耗小的優點。基于技術和功能上的優勢,IGBT產品可以實現對以往功率器件產品的逐步替代。IGBT產品集合了高頻、高壓、大電流三大技術優勢。IGBT能夠實現節能減排,具有很好的環境保護效益。IGBT被公認為是電力電子技術第三次革命最具代表性的產品,是未來應用發展的必然
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功率器件 IGBT
- 意法半導體最新的1200V絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代溝柵式場截止型高速技術提升太陽能逆變器、電焊機、不間斷電源和功率因數校正(PFC, Power-Factor Correction)轉換器等應用的能效和耐用性。
意法半導體的新H系列1200V IGBT將關斷損耗和導通損耗降低多達15%。飽和電壓(Vce(sat))減低至2.1V (在標準集極電流和100°C下的典型值),這能確保總體損耗降至最低,在20k
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意法半導體 IGBT H系列
- IGBT作為一種大功率的復合器件,存在著過流時可能發生鎖定現象而造成損壞的問題。在過流時如采用一般的速度封鎖柵極電壓,過高的電流變化率會引起過電壓,為此需要采用軟關斷技術,因而掌握好IGBT的驅動和保護特性是十分必要的。
IGBT是電壓控制型器件,在它的柵極-發射極間施加十幾V的直流電壓,只有μA級的漏電流流過,基本上不消耗功率。但IGBT的柵極-發射極間存在著較大的寄生電容(幾千至上萬pF),在驅動脈沖電壓的上升及下降沿需要提供數A的充放電電流,才能滿足開通和關斷的動態要求,這使得它的驅
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LED 驅動 IGBT
- 6月20日上午,被業界認為現代變流工業“皇冠上的明珠”的關鍵 技術在中國南車取得產業化突破:公司投資近15億元的IGBT產業化基地建成并即將投產。這是國內首條、世界第二條8英寸IGBT專業芯片生產線,首期將實現年產12萬片8英寸IGBT芯片,配套生產100萬只IGBT模塊,真正實現IGBT的國產化。它的投產,將打破國外公司在高端IGBT芯片技術上的壟斷。
國家多部委關注IGBT研發
IGBT,是一種實現電能轉換和 控制的電力電子器件,中文名叫絕緣柵雙極型晶體管。自從
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IGBT 芯片
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