- 我國南車株洲所8英寸IGBT專業芯片生產線建成，真正實現國產化，打破了國外公司在高端IGBT芯片技術上的壟斷......
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IGBT 芯片
- 我國首條8英寸絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)專業芯片線，6月20日在中國南車株洲電力機車研究所有限公司建成，打破了國外在高端IGBT芯片技術上的壟斷，對保障國民經濟安全和推動節能減排具有重大戰略意義。
與微電子技術中芯片技術一樣，IGBT芯片技術是電力電子行業中的“心臟”和“大腦”，控制并提供大功率的電力設備電能變換，有效提升設備的能源利用效率、自動化和智能化水平，主要應用于船舶、高壓電網、軌道交通等大功率電力驅動設備中。
IGBT芯
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IGBT 電力電子
- (飛馳于大江南北的和諧號機樣同樣需要IGBT核心器件。)
(一個8英寸IGBT芯片的“誕生”，至少需要2個月以上、歷經200多道工藝、由數6萬個“細胞”完成。)
(中國南車株洲所功率半導體器件生產區域。)
(“中國智造”的南車株洲所辦公樓。)
紅網長沙6月11日訊(記者喻向陽)6月下旬，一個長期被發達國家玩轉的“魔方”——8英寸IGBT芯片將在
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IGBT 芯片
- 據Yole Developpement市場調查公司2013年報告，2014年IGBT市場總值將達到43億美元，比2013年的39億美元多出40億美元。而從2011~2018年走勢可見，主要驅動力是電動汽車/混合動力(EV/HEV)汽車(如圖1)。同時，鐵路牽引、可再生能源發電等需要越來越高的可靠性。 可靠性成為功率電力電子器件的關鍵指標。
IGBT等大功率的電力電子器件通常需要大電流，例如地鐵需要8A，新能源汽車需要600A，風能需要1500A及以上。同時電力電子器件的可靠性非常關鍵，例如機
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IGBT Mentor EV/HEV 201406
- 東芝公司(TOKYO：6502)旗下半導體&存儲產品公司(Semiconductor & Storage Products Company)于2014年5月20日宣布其門驅動光電耦合器陣容增添新成員，用于驅動中等功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。這款新的4A輸出智能門驅動光電耦合器“TLP5214”采用纖薄的SO16L封裝，并具有保護功能，可防止IGBT產生過流狀況。這一新產品將于5月底開始量產出貨。
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東芝 TLP5214 SO16L IGBT
- 據Yole Developpement市場調查公司2013年報告，2014年IGBT市場總值將達到43億美元，比2013年的39億美元多出4億美元。而從2011年~2018年可見，主要驅動力是電動汽車/混合動力(EV/HEV)汽車(下圖草綠色部分)。 可靠性成為功率電力電子器件的關鍵指標 EV/HEV汽車用IGBT等大功率的電力電子器件不僅對性能指標要求高，目前電流已達600安培左右，同時對可靠性的要求更為嚴苛，例如汽車應用的期望壽命需要二三十年，需上萬次甚至百萬次的功率循環要求，而且需要在不同的
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IGBT Mentor MicReD
- 聚焦可靠性 IGBT等大功率的電力電子器件通常需要大電流，例如地鐵需要800A，新能源汽車需要600A，風能需要1500A及以上。同時電力電子器件的可靠性非常關鍵，例如機車牽引的期望壽命超過三十年，功率器件通常需上萬次甚至百萬次的功率循環要求，對新型IGBT等電力電子器件的可靠性提出了巨大的挑戰。 功率循環和熱量導致與熱相關的器件老化降級，容易導致焊線老化降級，金屬層錯位，焊接失效，硅芯片和基板的分層等問題。因此需要精密的實驗設備對電力電子器件的可靠性進行評估。 傳統的功率循環測試和失效分析有諸
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MicReD IGBT 功率循環測試
- 中國已成為全球最大的汽車生產國和消費市場，2013年中國整體汽車銷量增長14%至2,200萬輛，其中乘用車銷售約1,800萬輛(份額80%)，商用車約400萬輛(份額20%);2014年整體銷量可達2,300萬輛，乘用車銷量較2012年增長16%。汽車大趨勢正在推動半導體成分的升高：IHS公司預測，由于汽車安全與導航等系統的不斷采用，中國汽車半導體市場將在2014年增長11%，達到46億美元。而在未來三年會延續增長勢頭，到2017年，中國汽車芯片市場將達到62億美元。
面對巨大的需求，半導體廠商
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安森美 汽車半導體 IGBT
- 高鐵在技術上的突破確實令人欣慰，但這給老百姓帶來的實惠非常有限，其在經濟民生方面的意義更像是國家層面的形象工程。
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IGBT 芯片
- 隨著國民經濟的不斷發展，變頻調速裝置的應用越來越廣泛。如何打破國外產品的壟斷，已成為一個嚴肅的課題擺在我國工程技術人員的面前。
在某型號大功率變頻調速裝置中，由于裝置的尺寸較大，考慮到結構和散熱的條件，主控板上DSP產生的PWM信號需經過較長的距離才能送到IGBT逆變單元中。為保證PWM信號傳輸的準確性和可靠性，必須解決以下幾個問題：首先是抗干擾問題，變頻器工作時，IGBT的開關動作會產生高頻干擾信號;其次是如何保證PWM信號的前、后沿質量，減少IGBT開關動作的過渡過程;最后是如何減少布線電感，盡可能
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CPLD IGBT
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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DC/DC 大功率輸出 電源模塊 IGBT
- 中國南車成為國內唯一一家全面掌握IGBT芯片技術研發、模塊封裝測試和系統應用的企業。讓我們了解一下......
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8英寸 IGBT 芯片
- 日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出用于電機驅動、太陽能逆變器、新能源和焊接設備，以及其他高工作電壓應用的新款IGBT和MOSFET驅動器VOW3120-X017T，擴充其光電子產品組合。VOW3120-X017T的最短電氣間隙和外爬電距離為10mm。該器件不僅具有長隔離距離，還具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔離電壓，非常適合在高工作電壓下運轉的應用及污染程度較重的環境。 除了具有優異的隔離能力，使用可靠和久經考驗的光電子
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Vishay IGBT MOSFET VOW3120
- 英飛凌科技(中國)有限公司宣布正式加入“中國(上海)國際電動汽車示范城市伙伴組織”，該組織成員包括致力于推廣電動車產業的上下游企業。作為全球領先的汽車電子供應商，英飛凌是首家加入的半導體科技公司。英飛凌將依托?“伙伴組織”框架機構，加強與“伙伴組織”成員及其他伙伴企業的交流與合作，助力推進電動汽車產業的發展。 作為全球最大的IGBT芯片及模塊供應商，英飛凌可以為電動汽車的主要核心電子電器模塊提供完整的解決方案，包括電機驅動、電池管理、高壓輔助系統如DC/DC、車載充電器以及整車控制器。大量
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英飛凌 IGBT IGBT 半導體
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